The invention provides a packaging method for packaging structure of integrated power transmission chip, the package structure comprises electricity chip and connected to the power transmission power below the chip chip; the power transmission chip for a plurality of voltage the voltage of the external power supply into the electricity chip required the power supply rail, and provide a plurality of docking the power chip. The method of using the power transmission chip 3 as the active 2.5D medium plate, through micro bumps or other bump structure will power chip 5 is integrated in the active 2.5D medium plate, three-dimensional stacked chip structure. The power transmission system of the whole system of the circuit board is realized by the power transmission chip, can eliminate the parasitic resistance of the package substrate, so as to improve the power transmission efficiency, improving the response time of power control, improve the fidelity.
【技术实现步骤摘要】
集成有功率传输芯片的封装结构的封装方法
本专利技术属于半导体封装
,涉及一种集成有功率传输芯片的封装结构的封装方法。
技术介绍
所有的计算和通信系统都需要功率传输系统。功率传输系统会将电源的高电压转换成系统中离散器件所需的许多不同的低电压。功率传输系统的效率决定了向下转换的电力损失,而功率传输轨数决定了可支持的离散电压供应或器件的数量。目前的功率传输技术面临着如下挑战:一、随着工艺节点的收缩,器件电压减小,功率传输的效率会随之降低,使功率消耗更大。二、添加更多的功率传输轨道需要复制更多的功率传输组件,会增加元件数量、增大电路板尺寸、增加电路板的层数、加大系统体积、成本和重量。三、由于再布线层的线距、线宽的限制,需要增加封装尺寸。因此,如何提高功率传输效率,增加不同电压轨道的可用数量,已成为本领域技术人员亟待解决的一个重要技术问题。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点,本专利技术的目的在于提供一种集成有功率传输芯片的封装结构的封装方法,用于解决现有功率传输系统的功率传输效率低,不同电压轨道的可用数量少的问题。为实现上述目的及其他相关目的,本专利技术提供一种集成有功率传输芯片的封装结构的封装方法,所述封装结构包括用电芯片及连接于所述用电芯片下方的功率传输芯片;所述功率传输芯片用于将外部电源的电压转换成所述用电芯片所需的多个电压,并提供多条对接所述用电芯片的供电轨道;所述封装方法包括如下步骤:提供一载体,并在所述载体上形成粘附层;将所述功率传输芯片的有源元件与无源元件放置于所述粘附层上,其中,所述有源元件及无源元件具有焊盘的一面朝上;在所述粘附层上形成覆 ...
【技术保护点】
一种集成有功率传输芯片的封装结构的封装方法,其特征在于,所述封装结构包括用电芯片及连接于所述用电芯片下方的功率传输芯片;所述功率传输芯片用于将外部电源的电压转换成所述用电芯片所需的多个电压,并提供多条对接所述用电芯片的供电轨道;所述封装方法包括如下步骤:提供一载体,并在所述载体上形成粘附层;将所述功率传输芯片的有源元件与无源元件放置于所述粘附层上,其中,所述有源元件及无源元件具有焊盘的一面朝上;在所述粘附层上形成覆盖所述有源元件与无源元件的塑封层,并对所述塑封层进行研磨,以暴露出所述焊盘;形成多个上下贯穿所述塑封层的通孔,并在所述通孔中填充导电材料,得到导电柱;在所述塑封层上形成所述功率传输芯片的再布线层;所述再布线层的导电部分与所述导电柱及所述焊盘连接,实现所述有源元件与无源元件之间的电连接,并提供多条对接所述用电芯片的供电轨道;通过多个第一凸块结构将所述用电芯片与所述再布线层连接,实现所述用电芯片与多条所述供电轨道的对接;去除所述载体及粘附层,暴露出所述导电柱下表面;形成多个与所述导电柱连接的第二凸块结构。
【技术特征摘要】
1.一种集成有功率传输芯片的封装结构的封装方法,其特征在于,所述封装结构包括用电芯片及连接于所述用电芯片下方的功率传输芯片;所述功率传输芯片用于将外部电源的电压转换成所述用电芯片所需的多个电压,并提供多条对接所述用电芯片的供电轨道;所述封装方法包括如下步骤:提供一载体,并在所述载体上形成粘附层;将所述功率传输芯片的有源元件与无源元件放置于所述粘附层上,其中,所述有源元件及无源元件具有焊盘的一面朝上;在所述粘附层上形成覆盖所述有源元件与无源元件的塑封层,并对所述塑封层进行研磨,以暴露出所述焊盘;形成多个上下贯穿所述塑封层的通孔,并在所述通孔中填充导电材料,得到导电柱;在所述塑封层上形成所述功率传输芯片的再布线层;所述再布线层的导电部分与所述导电柱及所述焊盘连接,实现所述有源元件与无源元件之间的电连接,并提供多条对接所述用电芯片的供电轨道;通过多个第一凸块结构将所述用电芯片与所述再布线层连接,实现所述用电芯片与多条所述供电轨道的对接;去除所述载体及粘附层,暴露出所述导电柱下表面;形成多个与所述导电柱连接的第二凸块结构。2.根据权利要求1所述的集成有功率传输芯片的封装结构的封装方法,其特征在于:所述外部电源的电压高于所述用电芯片所需的电压。3.根据权利要求1所述的集成有功率传输芯片的封装结构的封装方法,其特征在于:所述有源元件包括控制器及降压变换器;所述无源元件包括电容、电感和电阻。4.根据权利要求1所述的集成有功率传输...
【专利技术属性】
技术研发人员:林章申,林正忠,何志宏,汤红,
申请(专利权)人:中芯长电半导体江阴有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏,32
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。