EEPROM存储器及其操作方法技术

本发明专利技术公开了一种EEPROM存储器，每一个字节选择电路同时选择多个字节，对应的位数为x×n；列选择电路，用于x×n列所对应的位进行选择；数据擦除和写入单元，用于输入一个字节数据用于数据擦除和写入；第一数据读出单元，用于读出所选择的一个字节数据；第二数据读出单元，用于读出未被选择的(x‑1)个字节数据；数据寄存器，用于将数据擦除和写入单元的数据和第二数据读出单元的数据拼成x个字节数据；在数据擦除和写入过程中，数据寄存器的x个字节数据通过列选择电路输入到对应的同一行的存储单元中，实现对所选择的一个字节的存储单元的擦除或写。本发明专利技术能减少字节选择电路的数目以及减少不同存储单元之间的串扰。

EEPROM memory and operation method thereof

The invention discloses a EEPROM memory, each byte selection circuit simultaneously select multiple byte, corresponding to the number of X * n; column selection circuit for X * n column corresponding to the bit selection; data erase and write unit for inputting a byte of data for data erase and write the first; the data read unit for reading a byte of data selected; second data reading unit for reading out the non selected (x 1) bytes of data; data registers for data erasing and writing unit data and the second data read out the data as X bytes of data in the data and erase unit; during the course of writing, X bytes of data register through a column selection circuit is input to the storage unit corresponding to the same line, realize the storage unit on a byte of the selected erase or write . The invention can reduce the number of byte selection circuits and reduce crosstalk between different memory cells.

【技术实现步骤摘要】
EEPROM存储器及其操作方法
本专利技术涉及半导体集成电路制造领域，特别是涉及一种EEPROM存储器；本专利技术还涉及一种EEPROM存储器的操作方法。
技术介绍
如图1所示，是现有EEPROM存储器的示意图；存储阵列如虚线框101所示，存储阵列由多个存储单元按照行和列排列而成。一个字节通常由n位存储单元构成，图1中一个字节通过一个字节选择电路来选择，图1中显示了四个字节选择电路，分别为字节选择电路一102a、字节选择电路二102b、字节选择电路三102c和字节选择电路四102d。现有技术中，由于一个字节和一个字节选择电路相对应，故图1中每一行对应于一个字节的位数即n为，图1中共显示了四行，分别如标记101a、101b、101c和101d所示。列选择电路103用于对字节的位所对应的位线进行选择，共有n条位线，如图1中的BL1、BL2至BL(n-1)和BLn所示。数据擦除和写入单元104用于提供n位数据供被选择的字节进行擦除和写入。数据读出单元105用于读出被选择的字节的数据，每一次读出的位数为n位即一个字节的位数。字节选择电路能由一个选择晶体管组成。由图1所示可知，同一字节的n位存储单元在物理结构上是相邻的。同一字节的各位通过字节选择电路选中后，同一字节的n位存储单元同时进行擦写读等存储器操作，相邻位之间容易形成串扰。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种EEPROM存储器,能减少字节选择电路的数目以及减少不同存储单元之间的串扰。为此，本专利技术还提供一种EEPROM存储器的操作方法。为解决上述技术问题，本专利技术提供的EEPROM存储器包括：多个字节选择电路，每一个字节选择电路用于同时选择多个字节；令每一个字节为n位，每一个所述字节选择电路同时选择的字节数为x，则一个所述字节选择电路所对应的位数为x×n；存储阵列的行由对应的所述字节选择电路所对应的x×n位存储单元排列而成；所述存储阵列的列由各所述字节选择电路的相同位的所述存储单元排列而成，所述存储阵列的列数为x×n。列选择电路，用于x×n列所对应的位进行选择。数据擦除和写入单元，用于输入所选择的需要进行数据擦除和写入的一个字节数据。第一数据读出单元，用于读出所选择的一个字节数据。第二数据读出单元，用于读出和所选择的字节同行且未被选择的(x-1)个字节数据。数据寄存器，所述数据擦除和写入单元的一个字节数据和所述第二数据读出单元的(x-1)个字节数据都输入到所述数据寄存器中拼成x个字节数据；在数据擦除和写入过程中，所述数据寄存器的x个字节数据通过所述列选择电路输入到对应的同一行的所述存储单元中，实现对所选择的一个字节的所述存储单元的擦除或写入。进一步改进是，各所述字节选择电路分别由选择晶体管组成。进一步改进是，位于同一行中的同一所述字节内的n位数据不相邻。进一步改进是，在数据擦除过程中，首先对一个所述字节选择电路所选择的一行共x×n位的存储单元的数据都擦除；然后，将所选择的需要进行数据擦除的一个字节进行数据保护或不写入，通过所述列选择电路将所述数据寄存器的x个字节数据写入到对应的同一行的所述存储单元中。进一步改进是，在数据写入过程中，首先对一个所述字节选择电路所选择的一行共x×n位的存储单元的数据都擦除；然后，通过所述列选择电路将所述数据寄存器的x个字节数据写入到对应的同一行的所述存储单元中。进一步改进是，在数据读取过程中，通过所述字节选择电路选择所要读取的字节所对应的行，通过所述列选择电路选择所有读取的字节所对应的列，然后通过所述第一数据读出单元将所选择的一个字节的数据读出。为解决上述技术问题，本专利技术提供的EEPROM存储器的操作方法包括三种操作模式，分别为数据读取操作，数据写入操作，数据擦除操作。所述数据读取操作包括如步骤：通过所述字节选择电路选择所要读取的字节所对应的行。通过所述列选择电路选择所有读取的字节所对应的列。通过所述第一数据读出单元将所选择的一个字节的数据读出。进一步改进是，所述数据写入操作包括如步骤：通过所述字节选择电路选择所要写入的字节所对应的行。通过所述列选择电路选择不需要进行写入的字节所对应的列。通过所述第二数据读出单元将不需要进行写入的(x-1)个字节数据读出。从所述数据擦除和写入单元输入需要进行写入的一个字节数据。将所述数据擦除和写入单元的一个字节数据和所述第二数据读出单元的(x-1)个字节数据都输入到所述数据寄存器中拼成x个字节数据。将所述字节选择电路所选择的行的x个字节数据都擦除。将所述数据寄存器中的x个字节数据写入到所述字节选择电路所选择的行中。进一步改进是，所述数据擦除操作包括如步骤：通过所述字节选择电路选择所要擦除的字节所对应的行。通过所述列选择电路选择不需要进行擦除的字节所对应的列。通过所述第二数据读出单元将不需要进行擦除的(x-1)个字节数据读出。从所述数据擦除和写入单元输入一个字节数据。将所述数据擦除和写入单元的一个字节数据和所述第二数据读出单元的(x-1)个字节数据都输入到所述数据寄存器中拼成x个字节数据。将所述字节选择电路所选择的行的x个字节数据都擦除。将所选择的需要进行数据擦除的一个字节进行数据保护或不写入，之后，将所述数据寄存器中的x个字节数据写入到所述字节选择电路所选择的行中。本专利技术的每个字节选择电路能同时选择多个字节，故能采用多个字节形成同时被选择的行，而通过列选择电路和第一数据读出单元的设置能够实现将被选择的字节的n位数据读出。通过列选择电路和第二数据读出单元的设置能够实现将未被选择的字节的共(x-1)×n位数据读出，这些(x-1)×n位数据用于在擦除和写入过程中对未被选择的字节进行读出后回写，使未被选择的字节的数据不被破坏；在列选择电路和第二数据读出单元的基础上，再结合处理一个字节的n位数据数据擦除和写入单元和存储x×n位数据的数据寄存器，能够实现对被选择的字节进行数据擦除和写入。所以本专利技术EEPROM存储器能够很好的实现对字节的读取、擦除和写入，同时能实现一个字节选择电路同时选择多个字节，这样能够节省字节选择电路的数目，这会节省电路的面积和成本。同时，由于一个字节选择电路能同时选择多个字节，这样多个被同时选择的字节位于同一行中，能够实现将同一字节的各位不相邻的分开设置在对应的行中，由于同一字节的各位不相邻，从而能消除相邻位的读串扰问题。相邻位的读串扰问题的消除意味着同一行中相邻位字节的间距可以做的更小，从而能使存储阵列的面积缩小，进一步降低成本。附图说明下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明：图1是现有EEPROM存储器的示意图；图2是本专利技术实施例EEPROM存储器的示意图。具体实施方式如图2所示，是本专利技术实施例EEPROM存储器的示意图，本专利技术实施例EEPROM存储器包括：多个字节选择电路，图2中显示了四个字节选择电路，分别为字节选择电路一2a、字节选择电路二2b、字节选择电路三2c和字节选择电路四2d。每一个字节选择电路用于同时选择多个字节；令每一个字节为n位，每一个所述字节选择电路同时选择的字节数为x，则一个所述字节选择电路所对应的位数为x×n。存储阵列的行由对应的所述字节选择电路所对应的x×n位存储单元排列而成，图2中共显示了四行，分别如标记1a、1b、1c和1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种EEPROM存储器，其特征在于，包括：多个字节选择电路，每一个字节选择电路用于同时选择多个字节；令每一个字节为n位，每一个所述字节选择电路同时选择的字节数为x，则一个所述字节选择电路所对应的位数为x×n；存储阵列的行由对应的所述字节选择电路所对应的x×n位存储单元排列而成；所述存储阵列的列由各所述字节选择电路的相同位的所述存储单元排列而成，所述存储阵列的列数为x×n；列选择电路，用于x×n列所对应的位进行选择；数据擦除和写入单元，用于输入所选择的需要进行数据擦除和写入的一个字节数据；第一数据读出单元，用于读出所选择的一个字节数据；第二数据读出单元，用于读出和所选择的字节同行且未被选择的(x‑1)个字节数据；数据寄存器，所述数据擦除和写入单元的一个字节数据和所述第二数据读出单元的(x‑1)个字节数据都输入到所述数据寄存器中拼成x个字节数据；在数据擦除和写入过程中，所述数据寄存器的x个字节数据通过所述列选择电路输入到对应的同一行的所述存储单元中，实现对所选择的一个字节的所述存储单元的擦除或写入。

【技术特征摘要】
1.一种EEPROM存储器，其特征在于，包括：多个字节选择电路，每一个字节选择电路用于同时选择多个字节；令每一个字节为n位，每一个所述字节选择电路同时选择的字节数为x，则一个所述字节选择电路所对应的位数为x×n；存储阵列的行由对应的所述字节选择电路所对应的x×n位存储单元排列而成；所述存储阵列的列由各所述字节选择电路的相同位的所述存储单元排列而成，所述存储阵列的列数为x×n；列选择电路，用于x×n列所对应的位进行选择；数据擦除和写入单元，用于输入所选择的需要进行数据擦除和写入的一个字节数据；第一数据读出单元，用于读出所选择的一个字节数据；第二数据读出单元，用于读出和所选择的字节同行且未被选择的(x-1)个字节数据；数据寄存器，所述数据擦除和写入单元的一个字节数据和所述第二数据读出单元的(x-1)个字节数据都输入到所述数据寄存器中拼成x个字节数据；在数据擦除和写入过程中，所述数据寄存器的x个字节数据通过所述列选择电路输入到对应的同一行的所述存储单元中，实现对所选择的一个字节的所述存储单元的擦除或写入。2.如权利要求1所述的EEPROM存储器，其特征在于：各所述字节选择电路分别由选择晶体管组成。3.如权利要求1所述的EEPROM存储器，其特征在于：位于同一行中的同一所述字节内的n位数据不相邻。4.如权利要求1所述的EEPROM存储器，其特征在于：在数据擦除过程中，首先对一个所述字节选择电路所选择的一行共x×n位的存储单元的数据都擦除；然后，将所选择的需要进行数据擦除的一个字节进行数据保护或不写入，通过所述列选择电路将所述数据寄存器的x个字节数据写入到对应的同一行的所述存储单元中。5.如权利要求1所述的EEPROM存储器，其特征在于：在数据写入过程中，首先对一个所述字节选择电路所选择的一行共x×n位的存储单元的数据都擦除；然后，通过所述列选择电路将所述数据寄存器的x个字节数据写入到对应的同一行的所述存储单元中。6.如权利要求1所述的EEPROM存储器，...

【专利技术属性】
技术研发人员：张可钢，陈华伦，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31