光电装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术的题目是光电装置及其制造方法。本发明专利技术是揭露一种光电装置及其制造方法。光电装置的制造方法，包括以下步骤：设置一矩阵电路于一基材，矩阵电路的最高点相对于基材的表面具有一矩阵电路厚度；设置复数第一凸部于基材之上，至少一个第一凸部的最高点相对基材的表面具有一第一凸部厚度，第一凸部厚度是大于矩阵电路厚度；将位于一第一承载基板上的复数个第一光电元件进行一第一光电元件转置步骤，以藉由一黏着材料分别接合所述第一凸部与至少其中二个所述第一光电元件。

Photoelectric device and manufacturing method thereof

The subject of the present invention is a photoelectric device and a method of manufacturing the same. The invention discloses a photoelectric device and a manufacturing method thereof. Manufacturing method of electro-optical device, which comprises the following steps: setting a matrix circuit on a substrate, the highest point matrix circuit in relation to the substrate surface has a matrix circuit thickness; set a plurality of first convex surface on a substrate, at least the highest point of a first convex part of the relative substrate has a first convex part of the thickness of the first convex the thickness is greater than the thickness of the matrix circuit; will be located in a first bearing a plurality of first optical components on a substrate of a first photoelectric element to transpose steps, by an adhesive material which is respectively jointed with the first convex part and at least two of the first photoelectric element.

【技术实现步骤摘要】
光电装置及其制造方法
本专利技术是关于一种电子装置，特别是关于一种光电装置及其制造方法。
技术介绍
由微发光二极管(MicroLED，μLED)所组成的微发光二极管数组(MicroLEDArray)显示器，相较于传统发光二极管显示器，其因无需额外的背光光源，更具助于达成轻量化及薄型化等目的。而与同样是自发光的有机发光二极管(OLED)显示器相较，其稳定性更高，且无影像烙印(ImageSticking)等问题。并且，微发光二极管应用范围相当广泛，例如微投影机、头戴式显示器及抬头显示器，同时更是未来高解析显示器的发展主流。然而微发光二极管的尺寸通常边长约为50微米(μm)，相较于传统发光二极管(超过100微米)所制成的显示器，于制造过程中，需要更高的元件设置精度，因而使得制程时间增加，制造成本提高。然而，若是直接使用选取头(pick-uphead)，自承载基板上一次捉取多个微发光二极管以转置到矩阵基板上时，则因微发光二极管本身尺寸极小的关系，于设置过程中，微发光二极管容易与矩阵基板上的其它元件发生干涉的情况，因而导致所制作出来的显示面板质量不良，反而因此增加后续检验及维修等生产成本。因此，如何降低在微发光二极管等这种小尺寸的光电元件转置过程中可能产生与矩阵基板上的其它元件发生干涉情况，因而降低生产成本，实为本
尚待解决的课题。
技术实现思路
本专利技术的目的为提供一种光电装置及其制造方法，其可降低各光电元件与基板上已存在的诸元件所可能发生碰撞干涉所导致的元件损坏的情况，而提升光电装置的制造良率，因而降低制造成本。为达上述目的，依据本专利技术的一种光电装置制造方法，包括以下步骤：设置一矩阵电路于一基材，矩阵电路的最高点相对于基材的表面具有一矩阵电路厚度；设置复数第一凸部于基材之上，至少一个第一凸部的最高点相对基材的表面具有一第一凸部厚度，第一凸部厚度是大于矩阵电路厚度；将位于一第一承载基板上的复数个第一光电元件进行一第一光电元件转置步骤，以藉由一黏着材料分别接合所述第一凸部与至少其中二个所述第一光电元件。在一实施例中，黏着材料具有导电性，且所述第一光电元件藉由黏着材料与矩阵电路电性连接。在一实施例中，第一光电元件转置步骤包括：反置第一承载基板使所述第一光电元件面对所述矩阵电路；以及对位矩阵电路上的所述第一凸部与所述第一承载基板上不相邻的所述第一光电元件。在一实施例中，第一承载板上的不相邻的二个第一光电元件的间距，实质上等于基板上相邻的二个第一凸部的间距。在一实施例中，第一光电元件转置步骤包括：藉由一多晶选取装置，同时选取第一承载基板上的复数个不相邻第一光电元件；以及藉由多晶选取装置以将所述第一光电元件，放置于所述第一凸部上。在一实施例中，光电装置制造方法还包括以下步骤：设置一平坦化层覆盖所述第一凸部及至少部份的第一光电元件；蚀刻平坦化层并形成至少一开口以露出位于矩阵电路的一驱动电极；以及电性连结各第一光电元件的一导电部以及驱动电极。在一实施例中，光电装置制造方法还包括以下步骤：设置复数第二凸部于基板之上，至少一所述第二凸部的最高点相对基材的表面具有一第二凸部厚度。在一实施例中，第二凸部厚度大于第一凸部厚度。在一实施例中，光电装置制造方法还包括以下步骤：将位于一第二承载基板上的第二光电元件进行一第二光电元件转置步骤，以藉由另一黏着材料分别接合所述第二凸部与至少其中二个第二光电元件。在一实施例中，第二光电元件与第二凸部厚度的总和，其大于第一光电元件与第一凸部厚度的总和。为达上述目的，本专利技术更提供一种光电装置，包括：一基材、一矩阵电路、复数第一凸部，以及复数第一光电元件。矩阵电路设置在基材上，矩阵电路的最高点相对于基材的表面具有一矩阵电路厚度，各个第一凸部则设置于基材之上，各个第一光电元件均是藉由一黏着材料分别接合于各个第一凸部，至少一个第一凸部的最高点相对基材的表面具有一第一凸部厚度，且第一凸部厚度是大于矩阵电路厚度。在一实施例中，第一凸部具有一顶面面积，顶面面积是大于第一光电元件底面面积的50％。在一实施例中，黏着材料具有导电性，且所述第一光电元件藉由黏着材料与矩阵电路电性连接。在一实施例中，第一光电元件是为双电极元件或三电极元件。在一实施例中，光电装置还包括：一平坦化层，覆盖所述第一凸部及至少部份的所述第一光电元件，其中平坦化层具有至少一开口，并露出位于矩阵电路的一驱动电极，其中各第一光电元件的一导电部是电性连接驱动电极。在一实施例中，光电装置还包括：至少一黑框层，设置在平坦化层上，且围绕至少一所述第一光电元件。在一实施例中，光电装置还包括：至少一荧光层，设置于至少部分所述第一光电元件上。在一实施例中，光电装置还包括：一盖板，对应基材设置。在一实施例中，所述盖板更具有复数滤光层，所述滤光层是分别对应于所述第一光电元件。在一实施例中，第一凸部是形成一二维矩阵。在一实施例中，光电装置还包括：复数个第二凸部，设置于基材之上，至少一所述第二凸部的最高点相对基材的表面具有一第二凸部厚度；以及复数个第二光电元件，藉由另一黏着材料分别接合于所述第二凸部。在一实施例中，所述第二光电元件与所述第二凸部厚度的总和，是大于第一光电元件与第一凸部厚度的总和。在一实施例中，第二凸部厚度大于第一凸部厚度。承上所述，依据本专利技术的光电装置及其制造方法，其是利用基板上凸部布设方式及与其它元件的相对高度设计，使光电元件于转置过程中，可因此降低各光电元件与基板上已存在的诸元件所可能发生碰撞干涉所导致的元件损坏，进而可以缩短制程时间并且同时维持甚至是提升光电装置的制造良率，因而降低制造成本。附图说明图1A为本专利技术的较佳实施例的光电装置制造方法的流程示意图。图1B为本专利技术的较佳实施例的光电装置制造方法中第一光电元件转置步骤的流程示意图。图1C为本专利技术的较佳实施例的光电装置制造方法中第一光电元件转置步骤的另一流程示意图。图2A为本专利技术较佳实施例的光电装置制造方法的基材与矩阵电路设置方式示意图。图2B及图2C为本专利技术较佳实施例的光电装置制造方法的不同态样的第一凸部示意图。图2D为本专利技术的较佳实施例的光电装置制造方法中第一光电元件转置示意图。图2E为本专利技术的较佳实施例的光电装置制造方法中使用雷射剥离方式进行第一光电元件转置示意图。图2F至图2H为本专利技术较佳实施例的光电装置制造方法中平坦化层设置过程示意图。图2I为本专利技术较佳实施例的光电装置制造方法中黑框层设置示意图。图2J为本专利技术较佳实施例的光电装置制造方法中荧光层设置示意图。图2K为本专利技术较佳实施例的光电装置制造方法中盖板设置示意图。图2L为本专利技术较佳实施例的光电装置制造方法中使用另一种第一光电元件所组成的光电装置示意图。图2M为本专利技术较佳实施例的光电装置制造方法中使用又一种第一光电元件所组成的光电装置示意图。图2N为本专利技术较佳实施例的光电装置制造方法中使用再一种第一光电元件所组成的光电装置示意图。图3为本专利技术另一较佳实施例的光电装置制造方法的流程示意图。图4A为本专利技术另一较佳实施例的光电装置制造方法中第二凸部设置示意图。图4B为本专利技术另一较佳实施例的光电装置制造方法中第二光电元件转置示意图。图4C为本专利技术另一较佳实施例的光电装置制造方法中第二光电元件转置完成后的示意图。图5A至图5H，为本专利技术较佳本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光电装置制造方法，包括：设置一矩阵电路于一基材，所述矩阵电路的最高点相对于所述基材的表面具有一矩阵电路厚度；设置复数第一凸部于所述基材之上，至少一所述第一凸部的最高点相对所述基材的表面具有一第一凸部厚度，所述第一凸部厚度是大于所述矩阵电路厚度；以及将位于一第一承载基板上的复数个第一光电元件进行一第一光电元件转置步骤，以藉由一黏着材料分别接合所述第一凸部与至少其中二个所述第一光电元件。

【技术特征摘要】
2015.12.15 TW 1041421491.一种光电装置制造方法，包括：设置一矩阵电路于一基材，所述矩阵电路的最高点相对于所述基材的表面具有一矩阵电路厚度；设置复数第一凸部于所述基材之上，至少一所述第一凸部的最高点相对所述基材的表面具有一第一凸部厚度，所述第一凸部厚度是大于所述矩阵电路厚度；以及将位于一第一承载基板上的复数个第一光电元件进行一第一光电元件转置步骤，以藉由一黏着材料分别接合所述第一凸部与至少其中二个所述第一光电元件。2.如权利要求第1项的光电装置制造方法，其中所述黏着材料具有导电性，且所述第一光电元件藉由所述黏着材料与所述矩阵电路电性连接。3.如权利要求第1项的光电装置制造方法，其中所述第一光电元件转置步骤包括：反置所述第一承载基板使所述第一光电元件面对所述矩阵电路；以及对位所述第一凸部与所述第一承载基板上不相邻的所述第一光电元件。4.如权利要求第3项的光电装置制造方法，所述第一承载板上的不相邻的二所述第一光电元件的间距，等于所述基板上相邻的二所述第一凸部的间距。5.如权利要求第1项的光电装置制造方法，其中所述第一光电元件转置步骤包括：藉由一多晶选取装置，同时选取所述第一承载基板上的复数个不相邻第一光电元件；以及藉由所述多晶选取装置以将所述第一光电元件，放置于所述第一凸部上。6.如权利要求第1项的光电装置制造方法，还包括：设置一平坦化层覆盖所述第一凸部及至少部份的所述第一光电元件；蚀刻所述平坦化层并形成至少一开口以露出位于所述矩阵电路的一驱动电极；以及电性连结各所述第一光电元件的一导电部以及所述驱动电极。7.如权利要求第1项的光电装置制造方法，还包括：设置复数第二凸部于所述基板之上，至少一所述第二凸部的最高点相对所述基材的表面具有一第二凸部厚度。8.如权利要求第7项的光电装置制造方法，其中所述第二凸部厚度大于所述第一凸部厚度。9.如权利要求第7项的光电装置制造方法，还包括：将位于一第二承载基板上的所述第二光电元件进行一第二光电元件转置步骤，以藉由另一黏着材料分别接合所述第二凸部与至少其中二个所述第二光电元件。10.如权利要求第9项的光电装置制造方法，其中所述第二光...

【专利技术属性】
技术研发人员：颜永裕，
申请(专利权)人：优显科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71