高精密度内嵌超高导热陶瓷块的双面铝基板及其制作方法技术

技术编号:15696682 阅读:68 留言:0更新日期:2017-06-24 12:26
本发明专利技术公开了高精密度内嵌超高导热陶瓷块的双面铝基板及其制作方法,在需要导通的孔位先钻大孔,然后在大孔内填充高导热陶瓷块,最后通过压合的方式在铝基板上压合铜箔形成双面铝基板,最后再陶瓷块上打小孔并在小孔内壁上电镀金属导通层,形成层间互连的双面铝基板。本发明专利技术彻底的解决传统树脂填充所带来的所有缺陷,且氧化铝陶瓷块的导热系数为29.3W/(M.K),是环氧树脂的导热系数的150倍左右,大大的提升了铝基板的散热功能,同时又能实现层间互连,很好的解决了铝基板不能互连的问题,大大扩展铝基板的使用范围,市场前景可观,尤其在LED领域具有广阔的发展前景。

【技术实现步骤摘要】
高精密度内嵌超高导热陶瓷块的双面铝基板及其制作方法
本专利技术涉及一种双面铝基板,尤其涉及一种高精密度内嵌超高导热陶瓷块的双面铝基板及其制作方法。
技术介绍
LED的出现,大大的降低了电能的损耗,在同等亮度的前提下,LED对电能的消耗要下降300%。近年来由于LED成本的降低,LED灯具已经逐步取代了钨丝灯,LED的运用前景和市场非常可观。铝基板高散热性能很好的解决LED灯的散热问题,所以铝基板也越来越受到市场的关注。但由于铝具有导电性,不能实现层间互连的性能,使得铝基板的运用也很受局限。现有的双面铝基板制作时采用传统树脂来填充大孔,以实现层间互连,但存在诸多缺点:首先,传统树脂填充大孔易产生气泡,并且在高温下容易产生裂痕,实现层间互连时良率很低;其次,传统的环氧树脂的导热系数低仅0.2W/(M.K),越来越满足不了铝基板的散热要求,而且这样生产出来的铝基板散热系数孔位处的散热系数和层间散热系数存在差异,满足不了产品要求的品质。
技术实现思路
为了克服上述缺陷,本专利技术提供了一种高精密度内嵌超高导热陶瓷块的双面铝基板及其制作方法,既能解决孔位良好的散热性能,又能实现层间互连,大大扩展铝基板的使用范围。本专利技术为了解决其技术问题所采用的技术方案是:一种高精密度内嵌超高导热陶瓷块的双面铝基板,包括依次层叠的第一铜箔层、铝基板和第二铜箔层,所述铝基板需要连通的孔位上钻有半径大于待钻孔位的大孔,所述大孔内填充有高导热性能的陶瓷;所述陶瓷以及对应的第一、二通铜箔层上钻有小孔,所述小孔的内侧面上电镀有金属导通层。作为本专利技术的进一步改进,所述大孔内填充的陶瓷为氧化铝陶瓷块和氧化铝陶瓷PP。作为本专利技术的进一步改进,所述小孔位于所述大孔的中心。作为本专利技术的进一步改进,所述金属导通层为铜层。作为本专利技术的进一步改进,所述铝基板需要连通的孔位上钻有半径大于待钻孔位0.3mm以上的大孔。本专利技术还提供一种如上所述的高精密度内嵌超高导热陶瓷块的双面铝基板的制作方法,包括以下步骤:步骤1,将铝基板上需要连通的孔位上钻半径大于待钻孔位的大孔;步骤2,将所述大孔内填充高导热性能的陶瓷;步骤3,将第一铜箔层铝基板和第二铜箔层依次层叠并压合在一起;步骤4,在所述陶瓷以及对应的第一、二铜箔层上钻用于层间互连的小孔,即导通孔;步骤5,在所述小孔的内侧面上电镀上金属导通层。作为本专利技术的进一步改进,所述步骤1,将铝基板上需要连通的孔位上钻半径大于待钻孔位0.3mm以上的大孔。作为本专利技术的进一步改进,所述步骤2中,所述陶瓷为氧化铝陶瓷块和氧化铝陶瓷PP。作为本专利技术的进一步改进,所述步骤3中,所述小孔的中心与所述大孔的中心重合。本专利技术的有益效果是:该高精密度内嵌超高导热陶瓷块的双面铝基板及其制作方法采用氧化铝陶瓷块和采用氧化铝陶瓷PP配合来填充能彻底的解决传统树脂填充所带来的所有缺陷,且氧化铝陶瓷块的导热系数为29.3W/(M.K),是环氧树脂的导热系数的150倍左右,大大的提升了铝基板的散热功能,同时又能实现层间互连,很好的解决了铝基板不能互连的问题,大大扩展铝基板的使用范围,市场前景可观,尤其在LED领域具有广阔的发展前景。附图说明图1为本专利技术结构示意图。结合附图,作以下说明:1——第一铜箔层2——铝基板3——第二铜箔层21——大孔22——陶瓷23——小孔24——层间导通层具体实施方式结合附图,对本专利技术作详细说明,但本专利技术的保护范围不限于下述实施例,即但凡以本专利技术申请专利范围及说明书内容所作的简单的等效变化与修饰,皆仍属本专利技术专利涵盖范围之内。参阅图1,为本专利技术所述的一种高精密度内嵌超高导热陶瓷块的双面铝基板,包括依次层叠的第一铜箔层1、铝基板2和第二铜箔层3。铝基板2需要连通的孔位上钻有半径大于待钻孔位的大孔21,大孔21内填充有高导热性能的陶瓷22。陶瓷22以及对应的第一、二通铜箔层1、3上钻有小孔23,小孔23的内侧面上电镀有金属导通层24。其中,所述铝基板需要连通的孔位上钻有半径大于待钻孔位0.3mm以上的大孔21;所述大孔内填充的陶瓷为氧化铝陶瓷块和氧化铝陶瓷PP;所述小孔位于所述大孔的中心;所述金属导通层为铜层。一种如上所述的高精密度内嵌超高导热陶瓷块的双面铝基板的制作方法,包括以下步骤:步骤1,将铝基板2上需要连通的孔位上钻半径大于待钻孔位的大孔21;步骤2,将所述大孔内填充高导热性能的陶瓷22;步骤3,将第一铜箔层1、铝基板2和第二铜箔层3依次层叠并压合在一起;步骤4,在所述陶瓷以及对应的第一、二铜箔层上钻用于层间互连的小孔23,即导通孔;步骤5,在所述小孔的内侧面上电镀上金属导通层24。其中,所述步骤1中,将铝基板2上需要连通的孔位上钻半径大于待钻孔位0.3mm以上的大孔21;所述步骤2中,所述陶瓷为氧化铝陶瓷块和氧化铝陶瓷PP;所述步骤3中,所述小孔的中心与所述大孔的中心重合。本专利技术所述的高精密度内嵌超高导热陶瓷块的双面铝基板及其制作方法,采用氧化铝陶瓷块和采用氧化铝陶瓷PP配合来填充能彻底的解决传统树脂填充所带来的所有缺陷,且氧化铝陶瓷块的导热系数为29.3W/(M.K),是环氧树脂的导热系数的150倍左右,大大的提升了铝基板的散热功能,同时又能实现层间互连,很好的解决了铝基板不能互连的问题,大大扩展铝基板的使用范围,市场前景可观,尤其在LED领域具有广阔的发展前景。本专利技术所述的高精密度内嵌超高导热陶瓷块的双面铝基板及其制作方法一方面填补了LED灯高密度互连技术的空白,使得LED核心技术获得突破,同时提升整个行业的核心竞争力;一方面促进当地经济社会持续协调发展,带动本地产业提供大量的就业岗位;一方面将促进产品技术性能指标的提升,满足当前新一代LED技术要求及LED市场导向需求。由此可见,本专利技术很好的解决了铝基板不能层间互连的技术问题,克服了传统树脂的缺陷,提升了产品品质,扩大了应用范围,并具有良好的发展前景。本文档来自技高网...
高精密度内嵌超高导热陶瓷块的双面铝基板及其制作方法

【技术保护点】
一种高精密度内嵌超高导热陶瓷块的双面铝基板,包括依次层叠的第一铜箔层(1)、铝基板(2)和第二铜箔层(3),其特征在于:所述铝基板需要连通的孔位上钻有半径大于待钻孔位的大孔(21),所述大孔内填充有高导热性能的陶瓷(22);所述陶瓷以及对应的第一、二通铜箔层上钻有小孔(23),所述小孔的内侧面上电镀有金属导通层(24)。

【技术特征摘要】
1.一种高精密度内嵌超高导热陶瓷块的双面铝基板,包括依次层叠的第一铜箔层(1)、铝基板(2)和第二铜箔层(3),其特征在于:所述铝基板需要连通的孔位上钻有半径大于待钻孔位的大孔(21),所述大孔内填充有高导热性能的陶瓷(22);所述陶瓷以及对应的第一、二通铜箔层上钻有小孔(23),所述小孔的内侧面上电镀有金属导通层(24)。2.根据权利要求1所述的高精密度内嵌超高导热陶瓷块的双面铝基板,其特征在于:所述大孔内填充的陶瓷为氧化铝陶瓷块和氧化铝陶瓷PP。3.根据权利要求1所述的高精密度内嵌超高导热陶瓷块的双面铝基板,其特征在于:所述小孔位于所述大孔的中心。4.根据权利要求1所述的高精密度内嵌超高导热陶瓷块的双面铝基板,其特征在于:所述金属导通层为铜层。5.根据权利要求1所述的高精密度内嵌超高导热陶瓷块的双面铝基板,其特征在于:所述铝基板需要连通的孔位上钻有半径大于待钻孔位0.3mm以上的大孔(21)。6.一种如权利要求1-5中任一项所述的高精密度内嵌...

【专利技术属性】
技术研发人员:倪蕴之朱永乐黄坤
申请(专利权)人:昆山苏杭电路板有限公司
类型:发明
国别省市:江苏,32

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