基于EXB841的IGBT驱动与保护电路制造技术

基于EXB841的IGBT驱动与保护电路包括驱动电路和保护电路。采用EXB34-10模块，大大简化IGBT驱动和保护电路的设计，提高了可靠性。当IGBT发生过流时，EXB841的5脚电平收高为低，RS触发器S端变为高电平，输出端Q输出高电平，经过三极管，加到与门上的电平为低电平，封锁EXB841的输入信号，达到及时撤出栅极信号、保护IGBT的目的。并端加了复位按扭，发生故障时，RS触发器将Q端输出的高电平锁住，当排除故障后，可以按动复位按钮，解除对栅极控制信号的封锁。

IGBT driver and protection circuit based on EXB841

The IGBT driver and protection circuit based on EXB841 includes driver circuit and protection circuit. Using EXB34-10 module greatly simplifies the design of IGBT driver and protection circuit, and improves the reliability. When the IGBT flow, EXB841 5 feet high level is low, the RS terminal of the S trigger into a high output Q output high level after the triode, added to the gate level is low, the input signal blocked EXB841, to achieve the timely withdrawal of the gate signal and protecting IGBT objective. And the end of the reset button, when a fault occurs, the RS will trigger high level lock Q output, when after troubleshooting, you can press the reset button, the lifting of the blockade of the gate control signal.

【技术实现步骤摘要】
基于EXB841的IGBT驱动与保护电路
本专利技术涉及一种基于EXB841的IGBT驱动与保护电路。
技术介绍
功率器件IGBT是一种由双极晶体管与MOSFET组合的器件，它既具有MOSFET的栅极电压控制快速开关特性，又具有双极晶体管大电流处理能力和低饱和压降的特点，是目前最引人注目的功率器件。近年来IGBT在高、中频电源，电机调速，不间断电源，焊接电源等电力变换装置中得到广泛的应用。IGBT的门极驱动电路影响IGBT的通态压降、开关时间、开关损耗、承受短路电流能力及dVce/dt电流等参数，决定了IGBT的静态与动态特性。当电路发生故障时，必须采取适当措施保护IGBT。其驱动和保护电路的性能直接影响到IGBT性能的发挥和整个系统的可靠，因此，在使用IGBT时，最重要的工作是要设计好驱动与故障保护电路。
技术实现思路
为解决上述问题，本专利技术设计了一种基于EXB841的IGBT驱动与保护电路。本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是。基于EXB841的IGBT驱动与保护电路包括驱动电路和保护电路。所述驱动电路以EXB为核心，采用EAR43-10快速恢复二极管，RS触发器采用CD4043构成，与门采用74LS09构成，TLP52为快速光耦；所述保护电路中TLP521的信号延迟时间为2-3个μs，CD4043的信号延迟时间最大为几百个ns，而74LS09的信号延迟时间最大为几十个ns。因此，保护电路在信号响应上是足够快的。当IGBT发生过流时，EXB841的5脚电平收高为低，RS触发器S端变为高电平，输出端Q输出高电平，经过三极管，加到与门上的电平为低电平，封锁EXB841的输入信号，达到及时撤出栅极信号、保护IGBT的目的。在RS触发器的R端加复位按扭，发生故障时，RS触发器将Q端输出的高电平锁住，当排除故障后，可以按动复位按钮，解除对栅极控制信号的封锁。本专利技术的有益效果是：基于EXB841的IGBT驱动与保护电路以EXB841为核心，打打简化了IGBT驱动和保护电路的设计，同时提高了可靠性，可靠的过流保护电路，能够避免故障时器件的损坏。附图说明下面结合附图对本专利技术进一步说明。图1是用EXB841构成的驱动和保护电路。具体实施方式在图1中，基于EXB841的IGBT驱动与保护电路包括驱动电路和保护电路驱动电路以EXB为核心，采用EAR43-10快速恢复二极管，RS触发器采用CD4043构成，与门采用74LS09构成，TLP52为快速光耦；所述保护电路中，TLP521的信号延迟时间为2-3个μs，CD4043的信号延迟时间最大为几百个ns，而74LS09的信号延迟时间最大为几十个ns。因此，保护电路在信号响应上是足够快的。当IGBT发生过流时，EXB841的5脚电平收高为低，RS触发器S端变为高电平，输出端Q输出高电平，经过三极管，加到与门上的电平为低电平，封锁EXB841的输入信号，达到及时撤出栅极信号、保护IGBT的目的。在RS触发器的R端加复位按扭，发生故障时，RS触发器将Q端输出的高电平锁住，当排除故障后，可以按动复位按钮，解除对栅极控制信号的封锁。本文档来自技高网...

【技术保护点】
基于EXB841的IGBT驱动与保护电路包括驱动电路和保护电路，其特征是所述驱动电路以EXB为核心，采用EAR43‑10快速恢复二极管，RS触发器采用CD4043构成，与门采用74LS09构成，TLP52为快速光耦。

【技术特征摘要】
1.基于EXB841的IGBT驱动与保护电路包括驱动电路和保护电路，其特征是所述驱动电路以EXB为核心，采用EAR43-10快速恢复二极管，RS触发器采用CD4043构成，与门采用74LS09构成，TLP52为快速光耦。2.根据权利要求1所述的基于EXB841的IGBT驱动与保护电路，其特征是所述保护电路中TLP521的信...

【专利技术属性】
技术研发人员：张凤军，
申请(专利权)人：张凤军，
类型：发明
国别省市：辽宁,21