接合结构及可挠式装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种接合结构及可挠式装置。该接合结构包括接触垫、各向异性导电薄膜(Anisotropic Conductive Film,ACF)以及接触结构。接触垫具有至少一凹槽，其中接触垫的厚度为T且至少一凹槽的宽度为B。各向异性导电薄膜位于接触垫上方并具有多个导电粒子，各导电粒子位于至少一凹槽中，其中，各导电粒子的直径为A，且A大于B以及T，并且满足:B≦2(AT-T

Joint structure and flexible device

The invention discloses a joint structure and a flexible device. The joint structure includes a contact pad, an anisotropic conductive film (Anisotropic Conductive Film, ACF) and the contact structure. The contact pad has at least one groove, wherein the contact pad has a thickness of T, and at least one groove has a width of B. The anisotropic conductive film on the contact pad and has a plurality of conductive particles, the conductive particles in at least one groove, wherein, the conductive particle diameter is A, and the A is greater than B and T, and meet B (AT-T less than or equal to 2

【技术实现步骤摘要】
接合结构及可挠式装置
本专利技术涉及一种接合结构及可挠式装置，且特别是涉及一种增加面板元件压合信赖性及耐挠曲性的接合结构及可挠式装置。
技术介绍
各向异性导电薄膜(AnisotropicConductiveFilm,ACF)是指具有单方向导电特性的薄膜，其材料一般是由导电粒子与绝缘树脂所构成。各向异性导电薄膜主要应用在无法通过高温铅锡焊接的制作工艺，譬如液晶显示面板以及驱动IC的信号传输连结。在软性面板模块的制作工艺中，常利用各向异性导电膜来进行面板元件的接合。然而，在传统的软性面板中，各向异性导电膜的导电粒子与面板元件接触的面积较小，因而使面板元件之间的压合信赖度变低。在可挠式装置中，由于面板尺寸涨缩或变形也会造成元件之间压合/接合不易的问题。因此，如何克服现有面板元件压合时的信赖性及耐挠曲性为目前所欲研究的主题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种接合结构，其可用以增加面板元件压合时的可靠度及耐挠曲性。为达上述目的，本专利技术所提出的接合结构包括接触垫、各向异性导电薄膜以及接触结构。接触垫具有至少一凹槽，其中接触垫的厚度为T且至少一凹槽的宽度为B。各向异性导电薄膜位于接触垫上方并具有多个导电粒子，各导电粒子位于至少一凹槽中，其中，各导电粒子的直径为A，且A大于B以及T，并且满足：B≦2(AT-T2)1/2接触结构位于异方性导电薄膜上方并通过各导电粒子与接触垫电连接。本专利技术另提供一种可挠式装置，其面板元件压合时的可靠度及耐挠曲性较佳。本专利技术所提出的可挠式装置包括基板、图案化绝缘层、至少一接触垫、各向异性导电薄膜以及接触结构。基板具有接合区域以及导线区域。图案化绝缘层位于基板上方，且位于接合区域中。至少一接触垫顺应地覆盖于图案化绝缘层的上方以使得至少一接触垫的表面具有至少一凹槽。各向异性导电薄膜位于至少一接触垫上方并具有多个导电粒子，各导电粒子位于至少一凹槽中。接触结构位于异方性导电薄膜上方并通过导电粒子与接触垫电连接。基于上述，由于本专利技术接合结构以及可挠式装置的接触垫具有至少一凹槽，而导电粒子位于所述凹槽中。因此，当面板元件通过导电粒子进行接合时，其接触点位或接触面积通过凹槽的立体图案而增加，因而能够使面板元件压合时的可靠度及耐挠曲性较佳。为让本专利技术能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附的附图作详细说明如下。附图说明图1A为本专利技术一实施例接合结构的剖面示意图；图1B为图1A的局部剖面放大示意图；图2A至图2C为本专利技术一实施例接触垫的上视示意图；图3A至图3C为本专利技术另一实施例接触垫的上视示意图；图4为本专利技术另一实施例接合结构的剖面示意图；图5A至图5B为本专利技术一实施例可挠式装置的上视示意图；图6A为图5A沿剖线A-A’的剖面示意图；图6B为图5B沿剖线B-B’的剖面示意图；图7为本专利技术一实施例图案化绝缘层的上视示意图；图8A为本专利技术一实施例可挠式装置的上视示意图；图8B为本专利技术另一实施例可挠式装置的上视示意图。符号说明110：基板110B：接合区域110D：有源区域110L：导线区域112：显示元件114：传输导线115：图案化绝缘层115V：纵向部115H：横向部120：接触垫130：各向异性导电薄膜131：绝缘体132：导电粒子140：接触结构R：凹槽具体实施方式图1A为本专利技术一实施例接合结构的剖面示意图。图1B为图1A的局部剖面放大示意图。请同时参考图1A及图1B，本实施例的接合结构包括接触垫120、各向异性导电薄膜130以及接触结构140。上述接合结构设置于基板110上，基板110的材质可为玻璃、石英、有机聚合物、或是不透光/反射材料(例如：导电材料、金属、晶片、陶瓷、塑胶(PI、PET)或其它可适用的材料)、或是其它可适用的材料。若使用导电材料或金属时，则在基板110上覆盖一层绝缘层(未绘示)，以避免短路问题。接触垫120位于基板110上方，且接触垫120为导电材料并可用以输出或接收电子信号。接触垫120的材料包括单层或多层导电材料或导电金属(如钼铝钼、钛铝钛或导电陶瓷(ITO、IZO)的材料)，或是上述材料的组合。接触垫120具有至少一凹槽R，且接触垫120的厚度为T而至少一凹槽R的宽度为B。各向异性导电薄膜130位于接触垫120的上方。各向异性导电薄膜130包括绝缘体131以及位于绝缘体131内的多个导电粒子132。在此，绝缘体131可以是热固性或热塑性高分子材料。导电粒子132例如包括由聚合物、镍(Nickel)以及金(Gold)所组成的有机/无机复合材料的粒子，但不限于此。各向异性导电薄膜130中的各导电粒子132位于所述至少一凹槽R中，且各导电粒子132的直径为A。在本实施例中，导电粒子132的直径A大于凹槽R的宽度B以及接触垫120的厚度T，且满足：B≦2(AT-T2)1/2。凹槽R的宽度B以及接触垫120的厚度T可在满足上述条件的状况下，依据导电粒子132的直径A的大小而进行调整。接触结构140位于各向异性导电薄膜130上方并通过导电粒子132与接触垫120电连接。在本实施例中，接触结构140为导电材料，且例如为与芯片连接的接触结构140，所述芯片包括二极管(Diode)、绝缘栅双极性晶体管(IGBT)、金属氧化物半场效晶体管(MOSFET)或其他的半导体元件，但不限于此。在图1A至图1B的实施例中，导电粒子132位于接触垫120的至少一凹槽R中，且导电粒子132的直径A、凹槽R的宽度B以及接触垫120的厚度T的比例均符合上述条件。因此，本专利技术的接合结构中的导电粒子132与接触垫120的接触点位或接触面积可以增加。换言之，通过接触垫120的凹槽R的立体图案化设计，可增加各向异性导电薄膜130中导电粒子132于压合面板元件时的有效接触切面，使其压合时的可靠度及耐挠曲性较佳。也就是说，可通过本专利技术的接合结构来增加面板元件之间的导通信赖性，并降低接触电阻减少噪声发生机率。在上述的实施例中，主要是说明接触垫120具有至少一凹槽R。在下文中，将针对上述至少一凹槽R所设置的位置及图案类型的各种实施例进行详细说明。图2A至图2C为本专利技术一实施例接触垫的上视示意图。参考图2A，接触垫120中的凹槽R为孔状图案，且所述孔状图案为一圆孔。如图2A所示，具有孔状图案的凹槽R在接触垫120上是上排列成一阵列，但本专利技术不限于此。举例来说，如图2B所示，具有孔状图案的凹槽R为一圆孔，且在接触垫120上是不规则分布。另外，在图2C的实施例中，触垫120中的凹槽R为孔状图案，且所述孔状图案为一三角形孔，并且在接触垫120上是排列成一阵列。值得注意的是，上述具有孔状图案的凹槽R的排列及形状无特别限制，且可为多边形孔，但其仍需符合上述针对宽度B的条件限制，且其比例关系可参考图1B。据此，导电粒子132能够与接触垫120有理想的接触面积。图3A至图3C为本专利技术另一实施例接触垫的上视示意图。参考图3A至图3C，接触垫120中的凹槽R为条状图案。如图3A所示，具有条状图案的凹槽R在接触垫120上是垂直排列，但本专利技术不限于此。举例来说，如图3B所示，具有条状图案的凹槽R在接触垫120上是横向排列。另外，如图3C所示，具有条状图案的凹槽R在接触垫120上是斜向排列。值得注意的是，在图3A至图3C的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种接合结构，包括：接触垫，该接触垫具有至少一凹槽，其中该接触垫的厚度为T且该至少一凹槽的宽度为B；各向异性导电薄膜，该各向异性导电薄膜位于该接触垫上方并具有多个导电粒子，各该导电粒子位于该至少一凹槽中，其中各该导电粒子的直径为A，且A大于B以及T，并且满足:B≦2(AT‑T

【技术特征摘要】
2015.12.14 TW 1041419961.一种接合结构，包括：接触垫，该接触垫具有至少一凹槽，其中该接触垫的厚度为T且该至少一凹槽的宽度为B；各向异性导电薄膜，该各向异性导电薄膜位于该接触垫上方并具有多个导电粒子，各该导电粒子位于该至少一凹槽中，其中各该导电粒子的直径为A，且A大于B以及T，并且满足:B≦2(AT-T2)1/2；以及接触结构，该接触结构位于该各向异性导电薄膜上方并通过该些导电粒子与该接触垫电连接。2.如权利要求1所述的接合结构，其中该各向异性导电薄膜还包括绝缘体，该多个导电粒子位于该绝缘体内。3.如权利要求1所述的接合结构，其中该至少一凹槽为一孔状图案。4.如权利要求3所述的接合结构，其中该孔状图案为圆孔、三角形孔或多边形孔。5.如权利要求3所述的接合结构，其中该孔状图案在该接触垫上排列成一阵列。6.如权利要求3所述的接合结构，其中该孔状图案在该接触垫上不规则分布。7.如权利要求1所述的接合结构，其中该至少一凹槽为条状图案。8.如权利要求1所述的接合结构，其中至少一凹槽为贯穿孔或是盲孔结构。9.一种可挠式装置，包括：基板，该基板具有接合区域...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭懿正，叶明华，
申请(专利权)人：财团法人工业技术研究院，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71