The invention discloses a rapid annealing rate increase by method of field effect transistor migration, which comprises the following: firstly, the preparation of polymer modification layer on the gate insulating substrate; the gate insulating substrate for rapid annealing operation; plating the organic semiconductor layer and a source electrode and a drain of steam in polymer modified layer. Preparation of organic field-effect transistors; transfer characteristic test of the transistor, extracting the corresponding migration rate, and calculate the average transfer rate. The invention further provides an airport effect transistor prepared by the method of improving the mobility of an organic field effect transistor by rapid annealing. The invention also provides a method for preparing the above field effect transistors. The invention effectively improves the mobility of an organic field effect transistor by simple solution processing technology, and is convenient for popularization and application.
【技术实现步骤摘要】
一种通过快速退火提高有机场效应晶体管迁移率的方法
本专利技术属于半导体行业有机场效应晶体管
,具体涉及一种提高有机场效应晶体管迁移率的实现方法。
技术介绍
有机场效应晶体管作为电子电路中的基本元器件,因其半导体层材料具有来源广泛、轻柔、加工工艺简单的特点,并可应用于大面积印刷工艺,非常适合下一代柔性电子产业的发展。近年来,有机场效应晶体管已取得了快速的发展,其中基于红荧烯的单晶场效应晶体管迁移率达到了15cm2/Vs,已经超过了无定形硅。在有机场效应晶体管中,导电沟道位于有机半导体层内靠近栅绝缘层的亚纳米尺度范围内。因为栅绝缘层表面的形貌、粗糙度以及表面能这些因素,极大地影响着有机半导体导电沟道的质量。通常,粗糙度小(<1nm)、表面能匹配的栅绝缘层界面有利于有机半导体的有序堆积和高结晶度,进而提高迁移率、加速晶体管的开关速度。目前,可通过对栅绝缘层进行表面修饰的方式,来降低表面粗糙度、增加表面能匹配。修饰层材料包括聚合物及自组装单层材料,已经研究报道的修饰方式包括高k/低k介电材料匹配(IEEEElectronDeviceLett.2015,36,950-2),聚合物分子量调控(Adv.Mater.2011,23,1009-14),诱导垂直相分离(Org.Electron.2015,21,111-6)等。对于聚合物修饰层材料,其本身具有高分子特有的超分子作用力、自组装及拓扑结构等分子化学特征。然而迄今为止,从高分子构象变化角度对聚合物修饰层表面进行界面性质调控的研究寥寥无几。
技术实现思路
为解决通过调节聚合物修饰层分子构象进而调控界面性质、提高 ...
【技术保护点】
一种通过快速退火提高有机场效应晶体管迁移率的方法,其特征在于,包括以下具体步骤:(1)、制备具有聚合物修饰层的栅绝缘基片;(2)、对所述栅绝缘基片进行快速退火操作;(3)、在聚合物修饰层上蒸镀有机半导体层及源漏电极,制备有机场效应晶体管;(4)、测试所述晶体管的转移特性曲线,提取对应的迁移率,并计算平均迁移率。
【技术特征摘要】
1.一种通过快速退火提高有机场效应晶体管迁移率的方法,其特征在于,包括以下具体步骤:(1)、制备具有聚合物修饰层的栅绝缘基片;(2)、对所述栅绝缘基片进行快速退火操作;(3)、在聚合物修饰层上蒸镀有机半导体层及源漏电极,制备有机场效应晶体管;(4)、测试所述晶体管的转移特性曲线,提取对应的迁移率,并计算平均迁移率。2.根据权利要求1所述的通过快速退火提高有机场效应晶体管迁移率的方法,其特征在于:所述聚合物修饰层选自侧链含有苯环基团的高分子材料。3.根据权利要求1所述的通过快速退火提高有机场效应晶体管迁移率的方法,其特征在于:所述栅绝缘基片包括衬底、栅电极和栅绝缘层。4.根据权利要求1所述通过快速退火提高有机场效应晶体管迁移率的方法,其特征在于:步骤2中所述快速退火操作是在氮气手套箱中进行,修饰后的基片置于热台上6~12h后,快速取下并置于室温,热台的温度低于聚合物材料的玻璃化转化温度。5.根据权利要求1所述的通过快速退火提高有机场效应晶体管迁移率的方法,其特征在于:步骤4中所述的迁移率提取自转移特性曲线的饱和区。6.根据权利要求5所述的通过快速退火提高...
【专利技术属性】
技术研发人员:仪明东,张晨曦,陈艳,李焕群,凌海峰,解令海,黄维,
申请(专利权)人:南京邮电大学,
类型:发明
国别省市:江苏,32
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