The invention discloses a chip level LED packaging technology, which comprises the following steps: A, providing a ceramic substrate; step two: provide a plurality of chips, evenly spaced on a ceramic substrate; step three: provide fluorescent diaphragm covered on the chip; step four: the fluorescent diaphragm cutting. Is divided into several intervals of the fluorescent diaphragm, the diaphragm and the corresponding fluorescence chip; size dimension of each fluorescent diaphragm is higher than that of the chip; step five: provide package, package of the chip and the fluorescent membrane; around the chip and the fluorescent membrane package flat top surface and with the fluorescent diaphragm Qi; step six: cutting out LED packaging granules; ceramic substrate after cutting edge is larger than the corresponding edge of the fluorescent film. The chip level LED encapsulation process of the invention avoids the mixing treatment of phosphor powder of the whole package through the way that the fluorescent diaphragm covers the chip, thereby improving the optical performance of the LED packaging structure.
【技术实现步骤摘要】
芯片级LED封装工艺
本专利技术涉及一种半导体封装结构,尤其涉及一种芯片级LED封装工艺。
技术介绍
相比于传统的发光源,发光二极管(LightEmittingDiode,LED)具有重量轻、体积小、节能环保、发光效率高等优点,其作为一种新型的发光源,已经被越来越多地广泛应用于指示、显示、装饰、背光源、普通照明和城市夜景等领域。现有的发光LED封装结构通常将封装胶体跟荧光粉混合,然后对芯片及导线进行封装。然而,由于封装胶体体积较大,如果都使用混合了荧光粉的胶体进行封装,容易导致浪费荧光粉并且使得荧光粉分布不均匀,容易出现出光不均匀等情况,导良品率低。
技术实现思路
基于此,本专利技术提供一种制作简单、良品率高的芯片级LED封装工艺。为了实现本专利技术的目的,本专利技术采用以下技术方案:一种芯片级LED封装工艺,包括以下步骤:步骤一,提供一陶瓷基板;步骤二:提供若干芯片,均匀间隔放置在陶瓷基板上;步骤三:提供一荧光膜片,覆盖在所述芯片上;步骤四:对所述荧光膜片进行切割,分割成若干间隔设置的荧光膜片,各荧光膜片与芯片一一对应;各荧光膜片的外形尺寸大于所述芯片的外形尺寸;步骤五:提供封装体,对所述芯片及荧光膜片进行封装;所述封装体围绕所述芯片及荧光膜片的四周并与荧光膜片的顶面平齐;步骤六:切割出LED封装颗粒;切割后的陶瓷基板的边缘大于对应的荧光膜片的边缘。在其中一个实施例中,所述步骤三中,所述荧光膜片为预制式荧光膜片。在其中一个实施例中,所述荧光膜片的制作方法为:将荧光粉和粘结剂充分混合均匀,在模具里面涂成薄膜,然后在温度170°-220°下加热固化。在其中一个实 ...
【技术保护点】
一种芯片级LED封装工艺,其特征在于,包括以下步骤:步骤一,提供一陶瓷基板;步骤二:提供若干芯片,均匀间隔放置在陶瓷基板上;步骤三:提供一荧光膜片,覆盖在所述芯片上;步骤四:对所述荧光膜片进行切割,分割成若干间隔设置的荧光膜片,各荧光膜片与芯片一一对应;各荧光膜片的外形尺寸大于所述芯片的外形尺寸;步骤五:提供封装体,对所述芯片及荧光膜片进行封装;所述封装体围绕所述芯片及荧光膜片的四周并与荧光膜片的顶面平齐;步骤六:切割出LED封装颗粒;切割后的陶瓷基板的边缘大于对应的荧光膜片的边缘。
【技术特征摘要】
1.一种芯片级LED封装工艺,其特征在于,包括以下步骤:步骤一,提供一陶瓷基板;步骤二:提供若干芯片,均匀间隔放置在陶瓷基板上;步骤三:提供一荧光膜片,覆盖在所述芯片上;步骤四:对所述荧光膜片进行切割,分割成若干间隔设置的荧光膜片,各荧光膜片与芯片一一对应;各荧光膜片的外形尺寸大于所述芯片的外形尺寸;步骤五:提供封装体,对所述芯片及荧光膜片进行封装;所述封装体围绕所述芯片及荧光膜片的四周并与荧光膜片的顶面平齐;步骤六:切割出LED封装颗粒;切割后的陶瓷基板的边缘大于对应的荧光膜片的边缘。2.根据权利要求1所述的芯片级LED封装工艺,其特征在于:所述步骤三中,所述荧光膜片为预制式荧光膜片。3.根据权利要求2所述的芯片级LED封装工艺,其特征在于:所述荧光膜片的制作方法为:将荧光粉和粘结剂充分混合均匀,在模具里面涂成薄膜,然后在温度170°-220°下加热固化。4.根据权利要求2所述的芯片级LED封装工艺,其特征在于:所述荧光膜片的制作方法为:先分别调胶、调荧光粉;然后以钢板或者玻璃作为载体一层荧光粉一层胶膜交替地堆叠到需要厚度;最后在温度170°-220°下加热固化得出所需的荧光膜片。5.根据权利要求1所述的芯片级LED封装工艺,其特征在于:所述荧光膜片的厚度为...
【专利技术属性】
技术研发人员:尹梓伟,张万功,
申请(专利权)人:东莞中之光电股份有限公司,
类型:发明
国别省市:广东,44
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