The present invention provides a method for maintaining high current LDMOS high voltage ESD protection, including P, NWELL, NP type substrate contact area and the P type substrate surface of thin gate oxide layer, a polysilicon gate electrode, the surface of P substrate injected NP source electrode contact area, PP substrate, NTOP layer, NTOP layer and the left edge of the NP contact zone right edge distance is D1, NTOP and NWELL layer of the right edge of the right edge of the distance is D2, by adjusting the D1 to maintain the current regulation device, by adjusting the D2 to adjust the trigger voltage of the device, the invention provides LDMOS devices through the NTOP layer position in the process does not change the situation to adjust trigger voltage; NTOP layer position change on the one hand to adjust the trigger voltage, on the other hand, can improve the maintenance current so as to avoid the latch up effect; NTOP coating can change the current distribution, improve the device in ESD pulse current Robustness.
【技术实现步骤摘要】
用于高压ESD保护的高维持电流LDMOS结构
本专利技术属于电子科学与
,主要用于静电泄放(ElectroStaticDischarge,简称为ESD)防护技术,具体的说是涉及一种用于高压ESD保护的高维持电流LDMOS结构。
技术介绍
ESD即静电泄放,是自然界普遍存在的现象。ESD存在于人们日常生活的各个角落。而就是这样习以为常的电学现象对于精密的集成电路来讲却是致命的威胁。对于高压集成电路,由于类闩锁效应的存在,LDMOS结构(图1所示)通常不能够直接用于其中。而如通过一些方式将LDMOS的维持电压提升至VDD电压以上,虽然能够带来闩锁免疫,但同时也会提高器件在开态承受的电压,再加上大电流下克尔克效应的影响,LDMOS会很快产生不可逆的损毁。研究结果表明,提高维持电流能够在一定程度上代替提高维持电压解决器件的类闩锁问题。当ESD脉冲过后,若产生的闩锁电流无法保证ESD器件的最低维持电流要求,闩锁效应将不会产生。根据此,本专利技术提出一种用于高压ESD保护的高维持电流LDMOS结构。该结构通过一层高浓度ntop层,实现了在不改变工艺的条件下触发电压/维持电流可调,电流分布均匀,ESD鲁棒性高等特点。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点,本专利技术要解决的问题是:提供一种用于高压ESD保护的高维持电流LDMOS结构,在工艺一定的情况下,实现ESD器件的准确及快速的触发(触发电压合适),高的维持电流,高的二次击穿电流。为实现上述专利技术目的,本专利技术技术方案如下:一种用于高压ESD保护的高维持电流LDMOS结构,包括P型衬底、位于P型衬底表面的N ...
【技术保护点】
一种用于高压ESD保护的高维持电流LDMOS结构,其特征在于:包括P型衬底(1)、位于P型衬底表面的NWELL区(10)、位于NWELL区内部的NP接触区(11)、与NWELL区(10)右侧相切的P型衬底表面的薄栅氧化层(2)、位于薄栅氧化层(2)上方的多晶硅栅电极(3)、与薄栅氧化层(2)右侧相切的P衬底表面注入的NP源极接触区(12)、与NP源极接触区(12)右侧相切的PP衬底(20)、位于NWELL区(10)内部NP接触区(11)右侧的NTOP层(13),NTOP层(13)左边缘与NP接触区(11)右边缘的距离为D1,NTOP层(13)右边缘与NWELL区(10)右边缘的间距为D2,通过调整D1来调节器件的维持电流,通过调节D2来调节器件的触发电压,NP接触区(11)与金属相连形成漏级金属;多晶硅栅电极(3)、NP源极接触区(12)、PP衬底(20)用金属相连构成器件源极,NP接触区(11)构成器件的阳极接触,NP源极接触区(12)、PP衬底(20)、多晶硅栅电极(3)短接构成器件的阴极接触。
【技术特征摘要】
1.一种用于高压ESD保护的高维持电流LDMOS结构,其特征在于:包括P型衬底(1)、位于P型衬底表面的NWELL区(10)、位于NWELL区内部的NP接触区(11)、与NWELL区(10)右侧相切的P型衬底表面的薄栅氧化层(2)、位于薄栅氧化层(2)上方的多晶硅栅电极(3)、与薄栅氧化层(2)右侧相切的P衬底表面注入的NP源极接触区(12)、与NP源极接触区(12)右侧相切的PP衬底(20)、位于NWELL区(10)内部NP接触区(11)右侧的NTOP层(13),NTOP层(13)左边缘与NP接触区(11)右边缘的距离为D1,NTOP层(13)右边缘与NWELL区(10)右边缘的间距为D2,通过调整D1来调节器件的维持电流,通过调节D2来调节器件的触发电压,NP接触区(11)与金属相连形成漏级金属;多晶硅栅电极(3)、NP源极接触区(12)、PP衬底(20)用金属相连构成器件源极,NP接触区(11...
【专利技术属性】
技术研发人员:乔明,齐钊,杨文,张波,
申请(专利权)人:电子科技大学,
类型:发明
国别省市:四川,51
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