The invention provides a low switching loss LIGBT dual gate SOI device structure, including P type substrate, which are sequentially arranged from the bottom of the buried oxide layer of silicon dioxide, N drift region, P type well area, N buffer layer, the oxide layer; two N source and P type contact area is equipped with internal above the P type well region; type N with N buffer anode layer above the inside; with N type within the N type drift region buried layer, and / or P type buried layer; the invention enables the device structure on resistance is reduced; in the turn off process of the V
【技术实现步骤摘要】
低关断损耗双栅SOI-LIGBT器件结构
本专利技术属于半导体
,具体的说涉及一种低关断损耗双栅SOI-LIGBT器件结构。
技术介绍
高压功率器件是电力电子技术的基础与核心,其具有耐高压、导通电流密度大的特点。提高功率器件的耐压能力,降低功率器件关断损耗是设计器件的关键。IGBT器件(绝缘栅双极型晶体管器件)作为一类重要的功率半导体器件,在电力电子领域应用广泛。但是,IGBT器件由于P-body区与N-漂移区交界处空穴注入效率较低,载流子浓度分布很低,导致器件的饱和压降升高,在关断时,N-漂移区内储存了大量的少数载流子,导致器件关断电流拖尾现象严重,关断损耗大。通常改善关断损耗的方式有两种,一种是降低载流子寿命,另一种是在阳极附近增加Buffer场阻层。第一种方式对工艺要求非常高,而第二种虽然工艺上难度不大,但降低关断损耗的效果不够理想。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点,本专利技术的目的在于解决问题,提供一种低关断损耗双栅SOI-LIGBT器件结构。为实现上述专利技术目的,本专利技术技术方案如下:一种低关断损耗双栅SOI-LIGBT器件结构,包括从下至上依次设置的P型衬底、埋氧层二氧化硅、N型漂移区、设置于N型漂移区内部一端的P型阱区、设置于N型漂移区内部另一端的N-buffer层、N型漂移区上方的氧化层;所述P型阱区内部上方设有两个N型源端、以及两个N型源端之间的P型接触区;所述N-buffer层内部上方设有N型阳极区;所述N型源端、P型接触区以及N型阳极区上方分别设有金属层;所述N型源端和P型阱区间的沟道上方是栅氧层,栅氧层上方是多晶硅; ...
【技术保护点】
一种低关断损耗双栅SOI‑LIGBT器件结构,包括从下至上依次设置的P型衬底(9)、埋氧层二氧化硅(8)、N型漂移区(3)、设置于N型漂移区(3)内部一端的P型阱区(4)、设置于N型漂移区(3)内部另一端的N‑buffer层(2)、N型漂移区(3)上方的氧化层(10);所述P型阱区(4)内部上方设有两个N型源端(5)、以及两个N型源端(5)之间的P型接触区(6);所述N‑buffer层(2)内部上方设有N型阳极区(1);所述N型源端(5)、P型接触区(6)以及N型阳极区(1)上方分别设有金属层;所述N型源端(5)和P型阱区(4)间的沟道上方是栅氧层,栅氧层上方是多晶硅(7);其特征在于:在N型漂移区(3)的内部设有N型埋层(11)、和/或P型埋层(21),P型埋层(21)位于N型埋层(11)下方,且所述N型埋层(11)、P型埋层(21)均没有与P型阱区(4)和N‑buffer区(2)直接连接。
【技术特征摘要】
1.一种低关断损耗双栅SOI-LIGBT器件结构,包括从下至上依次设置的P型衬底(9)、埋氧层二氧化硅(8)、N型漂移区(3)、设置于N型漂移区(3)内部一端的P型阱区(4)、设置于N型漂移区(3)内部另一端的N-buffer层(2)、N型漂移区(3)上方的氧化层(10);所述P型阱区(4)内部上方设有两个N型源端(5)、以及两个N型源端(5)之间的P型接触区(6);所述N-buffer层(2)内部上方设有N型阳极区(1);所述N型源端(5)、P型接触区(6)以及N型阳极区(1)上方分别设有金属层;所述N型源端(5)和P型阱区(4)间的沟道上方是栅氧层,栅氧层上方是多晶硅(7);其特征在于:在N型漂移区(3)的内部设有N型埋层(11)、和/或P型埋层(21),P型埋层(21)位于N型埋层(11)下方,且所述N型埋层(11)、P型埋层(21)均没有与P型阱区(4)和N-buffer区(2)直接连接。2.根据权利要求1所述的一种低关断损耗双栅SOI-LIGBT器件结构,其特征在于:在N型漂移区(3)的内部设有至少2个N型埋层(11)、至少...
【专利技术属性】
技术研发人员:乔明,李路,何逸涛,杨文,张波,
申请(专利权)人:电子科技大学,电子科技大学广东电子信息工程研究院,
类型:发明
国别省市:四川,51
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