A storage cell layout extraction method of the invention and the device comprises: acquiring memory cell layout, the layout includes second first polysilicon polysilicon active region, intersect with the active region and is part of the first polysilicon on both sides; definition of the active region near the first polysilicon as the body region; both sides of the active region close to the definition of the first polysilicon floating gate in second, the floating gate polysilicon is defined as a control gate; part of the body between the area of the first polysilicon is defined as the selection gate; the body region and the selection of the the active region defined between the gate drain region selection gate transistor source region; the active region will define the first polysilicon on both sides of the drain source / control gate transistor. The invention directly identifies the source, drain and gate of different transistors, so as to facilitate the design of the device structure.
【技术实现步骤摘要】
提取存储单元版图的方法及装置
本专利技术涉及存储单元
,尤其涉及一种提取存储单元版图的方法及装置。
技术介绍
存储单元装置通常作为内部元件、半导体集成电路提供于计算机或其它电子装置中。存储单元分为许多不同的类型,例如随机存取存储单元(RAM)、只读存储单元(ROM)、动态随机存取存储单元(DRAM)、同步动态随机存取存储单元(SDRAM)及非易失性快闪存储单元。快闪存储单元装置已发展成为用于各种电子应用的非易失性存储单元的普遍来源。快闪存储单元装置通常使用允许高存储单元密度、高可靠性及低功率消耗的单晶体管存储单元单元。快闪存储单元的常见使用包含个人计算机、个人数字助理(PDA)、数码相机及蜂窝式电话。存储器中通常包括多个存储单元,但是,现有技术中的存储器中难以直接区分中存储单元中的源极、栅极、漏极等结构。
技术实现思路
本专利技术的目的在于,提供一种提取存储单元版图的方法及装置,解决现有技术中的存储单元的源极、漏极、漏极等结构难以分辨的技术问题。为解决上述技术问题,本专利技术提供一种提取存储单元版图的方法,包括:获取存储单元的版图,所述版图包括有源区、与所述有源区相交的第一多晶硅及位于部分所述第一多晶硅上的第二多晶硅;将所述有源区中靠近所述第一多晶硅的两侧定义为体区;将所述第一多晶硅中靠近所述有源区的两侧定义为浮栅极,所述浮栅极上的第二多晶硅定义为控制栅极;将所述体区之间的部分所述第一多晶硅定义为选择栅极;将所述体区与所述选择栅极之间的所述有源区定义为选择栅晶体管的源区/漏区;将所述第一多晶硅两侧的所述有源区定义为控制栅晶体管的源区/漏区。可选的,所述第 ...
【技术保护点】
一种提取存储单元版图的方法,其特征在于,包括:获取存储单元的版图,所述版图包括有源区、与所述有源区相交的第一多晶硅及位于部分所述第一多晶硅上的第二多晶硅;将所述有源区中靠近所述第一多晶硅的两侧定义为体区;将所述第一多晶硅中靠近所述有源区的两侧定义为浮栅极,所述浮栅极上的第二多晶硅定义为控制栅极;将所述体区之间的部分所述第一多晶硅定义为选择栅极;将所述体区与所述选择栅极之间的所述有源区定义为选择栅晶体管的源区/漏区;将所述第一多晶硅两侧的所述有源区定义为控制栅晶体管的源区/漏区。
【技术特征摘要】
1.一种提取存储单元版图的方法,其特征在于,包括:获取存储单元的版图,所述版图包括有源区、与所述有源区相交的第一多晶硅及位于部分所述第一多晶硅上的第二多晶硅;将所述有源区中靠近所述第一多晶硅的两侧定义为体区;将所述第一多晶硅中靠近所述有源区的两侧定义为浮栅极,所述浮栅极上的第二多晶硅定义为控制栅极;将所述体区之间的部分所述第一多晶硅定义为选择栅极;将所述体区与所述选择栅极之间的所述有源区定义为选择栅晶体管的源区/漏区;将所述第一多晶硅两侧的所述有源区定义为控制栅晶体管的源区/漏区。2.如权利要求1所述的提取存储单元版图的方法,其特征在于,所述第一多晶硅覆盖部分所述有源区,并向背离所述有源区的两侧延伸。3.如权利要求1所述的提取存储单元版图的方法,其特征在于,所述第二多晶硅覆盖第一多晶硅相对的两侧,并覆盖部分所述有源区。4.如权利要求1所述的提取存储单元版图的方法,其特征在于,所述存储单元的版图还包括:位于所述有源区两侧,并与所述有源区相连的两条位线。5.如权利要求4所述的提取存储单元版图的方法,其特征在于,所述两条位线分别于所述控制栅晶体管的源区/漏区相连。6.如权利要求1所述的提取存储单元版图的方法,其特征在于,所述存储单元的版图还包括:位于所述第二多晶硅上的第一插塞,所述第一插塞位于所述控制栅极上。...
【专利技术属性】
技术研发人员:曹云,于明,郑舒静,
申请(专利权)人:上海华虹宏力半导体制造有限公司,
类型:发明
国别省市:上海,31
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