提取存储单元版图的方法技术

技术编号:15692978 阅读:359 留言:0更新日期:2017-06-24 07:26
本发明专利技术的一种提取存储单元版图的方法及装置,包括:获取存储单元的版图,所述版图包括有源区、与所述有源区相交的第一多晶硅及位于部分所述第一多晶硅上的第二多晶硅;将所述有源区中靠近所述第一多晶硅的两侧定义为体区;将所述第一多晶硅中靠近所述有源区的两侧定义为浮栅极,所述浮栅极上的第二多晶硅定义为控制栅极;将所述体区之间的部分所述第一多晶硅定义为选择栅极;将所述体区与所述选择栅极之间的所述有源区定义为选择栅晶体管的源区/漏区;将所述第一多晶硅两侧的所述有源区定义为控制栅晶体管的源区/漏区。本发明专利技术中直接分辨出不同晶体管的源极、漏极、栅极,便于器件结构的设计。

Method and device for extracting storage cell layout

A storage cell layout extraction method of the invention and the device comprises: acquiring memory cell layout, the layout includes second first polysilicon polysilicon active region, intersect with the active region and is part of the first polysilicon on both sides; definition of the active region near the first polysilicon as the body region; both sides of the active region close to the definition of the first polysilicon floating gate in second, the floating gate polysilicon is defined as a control gate; part of the body between the area of the first polysilicon is defined as the selection gate; the body region and the selection of the the active region defined between the gate drain region selection gate transistor source region; the active region will define the first polysilicon on both sides of the drain source / control gate transistor. The invention directly identifies the source, drain and gate of different transistors, so as to facilitate the design of the device structure.

【技术实现步骤摘要】
提取存储单元版图的方法及装置
本专利技术涉及存储单元
,尤其涉及一种提取存储单元版图的方法及装置。
技术介绍
存储单元装置通常作为内部元件、半导体集成电路提供于计算机或其它电子装置中。存储单元分为许多不同的类型,例如随机存取存储单元(RAM)、只读存储单元(ROM)、动态随机存取存储单元(DRAM)、同步动态随机存取存储单元(SDRAM)及非易失性快闪存储单元。快闪存储单元装置已发展成为用于各种电子应用的非易失性存储单元的普遍来源。快闪存储单元装置通常使用允许高存储单元密度、高可靠性及低功率消耗的单晶体管存储单元单元。快闪存储单元的常见使用包含个人计算机、个人数字助理(PDA)、数码相机及蜂窝式电话。存储器中通常包括多个存储单元,但是,现有技术中的存储器中难以直接区分中存储单元中的源极、栅极、漏极等结构。
技术实现思路
本专利技术的目的在于,提供一种提取存储单元版图的方法及装置,解决现有技术中的存储单元的源极、漏极、漏极等结构难以分辨的技术问题。为解决上述技术问题,本专利技术提供一种提取存储单元版图的方法,包括:获取存储单元的版图,所述版图包括有源区、与所述有源区相交的第一多晶硅及位于部分所述第一多晶硅上的第二多晶硅;将所述有源区中靠近所述第一多晶硅的两侧定义为体区;将所述第一多晶硅中靠近所述有源区的两侧定义为浮栅极,所述浮栅极上的第二多晶硅定义为控制栅极;将所述体区之间的部分所述第一多晶硅定义为选择栅极;将所述体区与所述选择栅极之间的所述有源区定义为选择栅晶体管的源区/漏区;将所述第一多晶硅两侧的所述有源区定义为控制栅晶体管的源区/漏区。可选的,所述第一多晶硅覆盖部分所述有源区,并向背离所述有源区的两侧延伸。可选的,所述第二多晶硅覆盖第一多晶硅相对的两侧,并覆盖部分所述有源区。可选的,所述存储单元的版图还包括:位于所述有源区两侧,并与所述有源区相连的两条位线。可选的,所述两条位线分别于所述控制栅晶体管的源区/漏区相连。可选的,所述存储单元的版图还包括:位于所述第二多晶硅上的第一插塞,所述第一插塞位于所述控制栅极上。可选的,所述存储单元的版图还包括:位于所述有源区上的用于将所述体区接出的第二插塞。可选的,所述存储单元的版图还包括:位于所述第一多晶硅上的用于连接字线电压的第三插塞。可选的,所述浮栅极还延伸至所述第一多晶硅的两侧。相应的,本专利技术还提供一种提取存储单元版图的装置,包括:版图获取单元,用于获取所述存储单元的版图,所述版图包括有源区、与所述有源区相交的第一多晶硅及位于部分所述第一多晶硅上的第二多晶硅;参数提取单元,所述参数提取单元包括有源区参数提取单元、第一多晶硅参数提取单元及第二多晶硅提取单元;其中,所述有源区参数提取单元将所述有源区中靠近所述第一多晶硅的两侧定义为体区;所述第一多晶硅参数提取单元将所述第一多晶硅中靠近所述有源区的两侧定义为浮栅极,所述第二多晶硅参数提取单元所述浮栅极上的第二多晶硅定义为控制栅极;所述第一多晶硅参数提取单元将所述体区之间的部分所述第一多晶硅定义为选择栅极;所述有源区参数提取单元将所述体区与所述选择栅极之间的所述有源区定义为选择栅晶体管的源区/漏区;所述有源区参数提取单元将所述第一多晶硅两侧的所述有源区定义为控制栅晶体管的源区/漏区。与现有技术相比,本专利技术的提取存储单元版图的方法包括:获取存储单元的版图,所述版图包括有源区、与所述有源区相交的第一多晶硅及位于部分所述第一多晶硅上的第二多晶硅;将所述有源区中靠近所述第一多晶硅的两侧定义为体区;将所述第一多晶硅中靠近所述有源区的两侧定义为浮栅极,所述浮栅极上的第二多晶硅定义为控制栅极;将所述体区之间的部分所述第一多晶硅定义为选择栅极;将所述体区与所述选择栅极之间的所述有源区定义为选择栅晶体管的源区/漏区;将所述第一多晶硅两侧的所述有源区定义为控制栅晶体管的源区/漏区。本专利技术中直接分辨出不同晶体管的源极、漏极、栅极,便于器件结构的设计。附图说明图1为本专利技术一实施例中存储单元的版图提取装置的结构示意图;图2为本专利技术一实施例中的提取存储单元版图的方法流程图;图3为本专利技术一实施例中的存储单元的版图;图4为本专利技术一实施例中提取体区的结构示意图;图5为本专利技术一实施例中提取浮栅极的结构示意图;图6为本专利技术一实施例中提取选择栅极的结构示意图;图7为本专利技术一实施例中提取选择栅晶体管源区/漏区的结构示意图;图8为本专利技术一实施例中提取控制栅晶体管源区/漏区的结构示意图;图9为本专利技术一实施例中存储单元的等效电路图。具体实施方式下面将结合示意图对本专利技术的提取存储单元版图的方法及装置进行更详细的描述,其中表示了本专利技术的优选实施例,应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本专利技术,而仍然实现本专利技术的有利效果。因此,下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道,而并不作为对本专利技术的限制。本专利技术的核心思想在于,提供的提取存储单元版图的方法包括:获取存储单元的版图,所述版图包括有源区、与所述有源区相交的第一多晶硅及位于部分所述第一多晶硅上的第二多晶硅;将所述有源区中靠近所述第一多晶硅的两侧定义为体区;将所述第一多晶硅中靠近所述有源区的两侧定义为浮栅极,所述浮栅极上的第二多晶硅定义为控制栅极;将所述体区之间的部分所述第一多晶硅定义为选择栅极;将所述体区与所述选择栅极之间的所述有源区定义为选择栅晶体管的源区/漏区;将所述第一多晶硅两侧的所述有源区定义为控制栅晶体管的源区/漏区。本专利技术中直接分辨出不同晶体管的源极、漏极、栅极,便于器件结构的设计。以下结合附图对本专利技术的提取存储单元版图的方法及装置进行具体说明。参考图1中所示,本专利技术提供的一种提取存储单元版图的装置包括:版图获取单元1,所述版图获取单元用于获取所述存储单元的版图,所述版图包括有源区、与所述有源区相交的第一多晶硅及位于部分所述第一多晶硅上的第二多晶硅;参数提取单元2,所述参数提取单元包括有源区参数提取单元21、第一多晶硅参数提取单元22及第二多晶硅提取单元22,有源区参数提取单元、第一多晶硅参数提取单元及第二多晶硅提取单元分别对有源区、第一多晶硅及第二多晶硅的参数进行提取。具体的,参考图2中所示,采用上述装置对存储单元版图进行提取,提取存储单元版图的方法包括如下步骤:执行步骤S1,参考图3所示,版图获取单元首先获取存储单元的版图,所述版图包括位于半导体衬底100中的有源区110、与所述有源区110相交的第一多晶硅120及位于部分所述第一多晶硅120上的第二多晶硅130,。其中,所述第一多晶硅120覆盖部分所述有源区110,并向背离所述有源区110的两侧延伸。所述第二多晶硅130覆盖第一多晶硅120相对的两侧,并覆盖部分所述有源区110。执行步骤S2,参考图4所示,有源区参数提取单元将所述有源区110中靠近所述第一多晶硅120的两侧定义为体区150;执行步骤S3,参考图5所示,第一多晶硅参数提取单元将所述第一多晶硅120中靠近所述有源区110的两侧定义为浮栅极(FG)160,所述浮栅极150还延伸至所述第一多晶硅120的两侧,使得同一行的浮栅极相连。并且,第二多晶硅参数提取单元所述浮栅极160上的第二多晶硅130定义为控制栅极(CG)。执行步骤S4,参考图6所示,第一多晶硅参数提取单元将所述体区本文档来自技高网...
提取存储单元版图的方法

【技术保护点】
一种提取存储单元版图的方法,其特征在于,包括:获取存储单元的版图,所述版图包括有源区、与所述有源区相交的第一多晶硅及位于部分所述第一多晶硅上的第二多晶硅;将所述有源区中靠近所述第一多晶硅的两侧定义为体区;将所述第一多晶硅中靠近所述有源区的两侧定义为浮栅极,所述浮栅极上的第二多晶硅定义为控制栅极;将所述体区之间的部分所述第一多晶硅定义为选择栅极;将所述体区与所述选择栅极之间的所述有源区定义为选择栅晶体管的源区/漏区;将所述第一多晶硅两侧的所述有源区定义为控制栅晶体管的源区/漏区。

【技术特征摘要】
1.一种提取存储单元版图的方法,其特征在于,包括:获取存储单元的版图,所述版图包括有源区、与所述有源区相交的第一多晶硅及位于部分所述第一多晶硅上的第二多晶硅;将所述有源区中靠近所述第一多晶硅的两侧定义为体区;将所述第一多晶硅中靠近所述有源区的两侧定义为浮栅极,所述浮栅极上的第二多晶硅定义为控制栅极;将所述体区之间的部分所述第一多晶硅定义为选择栅极;将所述体区与所述选择栅极之间的所述有源区定义为选择栅晶体管的源区/漏区;将所述第一多晶硅两侧的所述有源区定义为控制栅晶体管的源区/漏区。2.如权利要求1所述的提取存储单元版图的方法,其特征在于,所述第一多晶硅覆盖部分所述有源区,并向背离所述有源区的两侧延伸。3.如权利要求1所述的提取存储单元版图的方法,其特征在于,所述第二多晶硅覆盖第一多晶硅相对的两侧,并覆盖部分所述有源区。4.如权利要求1所述的提取存储单元版图的方法,其特征在于,所述存储单元的版图还包括:位于所述有源区两侧,并与所述有源区相连的两条位线。5.如权利要求4所述的提取存储单元版图的方法,其特征在于,所述两条位线分别于所述控制栅晶体管的源区/漏区相连。6.如权利要求1所述的提取存储单元版图的方法,其特征在于,所述存储单元的版图还包括:位于所述第二多晶硅上的第一插塞,所述第一插塞位于所述控制栅极上。...

【专利技术属性】
技术研发人员:曹云于明郑舒静
申请(专利权)人:上海华虹宏力半导体制造有限公司
类型:发明
国别省市:上海,31

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