一种阻尼二极管制造技术

本发明专利技术涉及一种阻尼二极管，它包括框架和NPN双极晶体管，在所述框架的一侧依次设置有阳极、中引脚和阴极，所述NPN双极晶体管安装于框架上，所述NPN双极晶体管的发射极和基极分别通过金属线连接至框架上的阳极上，使得发射极与基极短接，所述NPN双极晶体管的集电极以共晶方式连接至框架的阴极上，框架的中引脚悬空并剪切，使其短于阳极和阴极引脚。本发明专利技术有着储存时间长及平滑截止的特性。在RLC回路应用上，他的长储存时间提供足够的时间周期以回收损耗的能量；同时为了避免电压及电流重叠而造成损耗的发生，利用平滑截止的特性来缓冲电流。

A damping diode

The invention relates to a damping diode, which includes a frame and a NPN bipolar transistor, on one side of the frame is arranged in the anode, and the cathode pin in turn, the NPN bipolar transistor is mounted on the frame, the NPN bipolar transistor emitter and base are connected by a metal wire to the anode on the frame. The emitter and base shorted, the NPN bipolar transistor collector to eutectic connected to the framework of the cathode, in the lead frame are suspended and shear, which is shorter than the anode and cathode pin. The invention has the characteristics of long storage time and smooth cut-off. In the RLC application circuit, his long storage time to provide enough time for the loss recovery cycle of energy; and in order to avoid the voltage and current overlap caused by loss occurs, using the characteristic of the smooth cut-off to buffer the current.

【技术实现步骤摘要】
一种阻尼二极管
本专利技术涉及一种应用于手机充电电路的阻尼二极管。属于集成电路或分立器件芯片制造

技术介绍
随着智能手机的快速发展，手机电池容量也在稳步提高，与之对应的充电速度要求越来越高，充电功率及转化效率这两点是衡量“快充技术”的重要指标。现有充电电路中的RLC回路采用的二极管为1N4005、1N4006等整流二极管，其转化效率见表一：负载020%50%100%输出电流(A)00.3980.99652.9946输出电压(V)5.0515.0495.0475.046输出功率(W)02.0095025.02933610.06475输入电流(mA)28.95250.1395.54172.99输入功率(W)0.2682.8686.76713.482输入电压(V)230230230230转化效率(%)0.00%70.07%74.32%74.65%表一不足之处在于：电压波形有震荡，转化效率偏低。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是针对上述现有技术提供一种能改善电压波形、提高转化效率的二极管。本专利技术解决上述问题所采用的技术方案为：一种阻尼二极管，它包括框架和NPN双极晶体管，在所述框架的一侧依次设置有阳极、中引脚和阴极，所述NPN双极晶体管安装于框架上，所述NPN双极晶体管的发射极和基极分别通过金属线连接至框架上的阳极上，使得发射极与基极短接，所述NPN双极晶体管的集电极以共晶方式连接至框架的阴极上，框架的中引脚悬空并剪切，使其短于阳极和阴极引脚。优选地，所述NPN双极晶体管包括环掺杂区、基极掺杂区、发射极掺杂区和集电极掺杂区，所述环掺杂区开设于集电极掺杂区上，所述基极掺杂区位于环掺杂区（2.1）内部且两者紧密相连，所述发射极掺杂区位于基极掺杂区内部且两者紧密相连，通过在集电极掺杂区掺杂浓磷和淡磷并扩散形成集电极，通过在环掺杂区内掺杂浓硼并扩散形成GR环，结深达到15um左右，通过在基极掺杂区进行掺杂淡硼并扩散形成基极，结深达到5um左右，对发射极掺杂区进行掺杂浓磷并扩散形成发射极，结深达到2um左右。与现有技术相比，本专利技术的优点在于：本专利技术的阻尼二极管短路连接了NPN高频高压双极型晶体管的基极与发射极，相较普通的整流二极管，本专利技术的阻尼二极管有着储存时间长及平滑截止的特性。在RLC回路应用上，他的长储存时间提供足够的时间周期以回收损耗的能量；同时为了避免电压及电流重叠而造成损耗的发生，利用平滑截止的特性来缓冲电流。附图说明图1为本专利技术的结构示意图。图2为本专利技术中NPN双极晶体管的结构示意图。图中：框架1、NPN双极晶体管2、环掺杂区2.1、基极掺杂区2.2、发射极掺杂区2.3、集电极掺杂区2.4、阳极3、中引脚4、阴极5、金属线6。具体实施方式以下结合实施例对本专利技术作进一步详细描述。参见图1、2，本专利技术涉及一种阻尼二极管，它包括框架1和NPN双极晶体管2，在所述框架1的一侧依次设置有阳极3、中引脚4和阴极5，所述NPN双极晶体管2安装于框架1上，包括环掺杂区2.1、基极掺杂区2.2、发射极掺杂区2.3和集电极掺杂区2.4，所述环掺杂区2.2开设于集电极掺杂区2.4上，所述基极掺杂区2.2位于环掺杂区2.1内部且两者紧密相连，所述发射极掺杂区2.3位于基极掺杂区2.2内部且两者紧密相连，通过在集电极掺杂区2.4掺杂浓磷和淡磷并扩散形成集电极，通过在环掺杂区2.1内掺杂浓硼并扩散形成GR环，结深达到15um左右，通过在基极掺杂区2.2进行掺杂淡硼并扩散形成基极，结深达到5um左右，对发射极掺杂区2.3进行掺杂浓磷并扩散形成发射极，结深达到2um左右，其“GR环”结深设计的较深，以提高击穿电压BVCBO典型值；同时基区结深设计的比较浅，基区宽度较小，可以得到较理想的高频性能。所述NPN双极晶体管2的发射极和基极分别通过金属线6（打线方式）连接至框架1上的阳极3上，使得发射极与基极短接，从而使整个二极管具有平滑截止的特性，可以避免电压和电流重叠造成的损耗，所述NPN双极晶体管2的集电极以共晶方式连接至框架1的阴极5上，框架1的中引脚5悬空并剪切，使其短于阳极和阴极的引脚。采用上述阻尼二极管后的转化效率见表二：负载020%50%100%输出电流(A)00.3980.99652.9946输出电压(V)5.0495.0495.0485.048输出功率(W)02.0095025.03033210.06874输入电流(mA)28.92349.61494.26170.53输入功率(W)0.2622.8116.62113.254输入电压(V)230230230230转化效率(%)0.00%72.49%75.98%75.97%表二除上述实施例外，本专利技术还包括有其他实施方式，凡采用等同变换或者等效替换方式形成的技术方案，均应落入本专利技术权利要求的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阻尼二极管，其特征在于：它包括框架（1）和NPN双极晶体管（2），在所述框架（1）的一侧依次设置有阳极（3）、中引脚（4）和阴极（5），所述NPN双极晶体管（2）安装于框架（1）上，所述NPN双极晶体管（2）的发射极和基极分别通过金属线（6）连接至框架（1）上的阳极（3）上，使得发射极与基极短接，所述NPN双极晶体管（2）的集电极以共晶方式连接至框架（1）的阴极（5）上，框架（1）的中引脚（5）悬空并剪切，使其短于阳极和阴极引脚。

【技术特征摘要】
1.一种阻尼二极管，其特征在于：它包括框架（1）和NPN双极晶体管（2），在所述框架（1）的一侧依次设置有阳极（3）、中引脚（4）和阴极（5），所述NPN双极晶体管（2）安装于框架（1）上，所述NPN双极晶体管（2）的发射极和基极分别通过金属线（6）连接至框架（1）上的阳极（3）上，使得发射极与基极短接，所述NPN双极晶体管（2）的集电极以共晶方式连接至框架（1）的阴极（5）上，框架（1）的中引脚（5）悬空并剪切，使其短于阳极和阴极引脚。2.根据权利要求1所述的一种阻尼二极管，其特征在于：所述NPN双极晶体管（2）包括环掺杂区（2.1）...

【专利技术属性】
技术研发人员：王金富，徐初惠，王伟，张艳，许柏松，
申请(专利权)人：江阴新顺微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32