晶圆级扇出型封装件及其制造方法技术

提供了一种晶圆级扇出型封装件及其制造方法。制造晶圆级扇出型封装件的方法包括：准备具有凸起的基体基底；将芯片设置在基体基底的凸起所处的表面上，并且使芯片与凸起分开布置；在基体基底上形成包封层，以包封芯片和凸起；去除基体基底，以暴露芯片的表面并且在包封层中形成与凸起对应的凹进；以及将被动元件设置在凹进中。在制造晶圆级扇出型封装件的方法中，通过在形成包封层之后形成被动元件，使得能够避免在形成包封层时由于包封层的材料的热膨胀而引起的被动元件的相对位置发生偏移的问题。

Wafer level fan out type package and method of manufacturing the same

A wafer level fan out type package and a method of manufacturing the same are provided. Including the manufacturing method of wafer level package fanout: matrix substrate preparation has a convex surface; the chip bulges arranged on the base substrate, and the chip and raised separately; the formation of inclusion seal in the matrix substrate, with encapsulation chip and bulge; removing the base substrate, the surface exposed chip and in the encapsulation layer formed in corresponding concave and convex; and the passive element is arranged in the recess. In a manufacturing method of wafer level fanout package, through the formation of encapsulation layer after the formation of the passive components, which can avoid the relative position of passive components in the form of cover when package layer due to thermal expansion of materials of the excursion problem.

【技术实现步骤摘要】
晶圆级扇出型封装件及其制造方法
本专利技术的示例性实施例涉及半导体封装领域，具体地讲，涉及一种集成有被动元件的晶圆级扇出型封装件和制造该晶圆级扇出型封装件的方法。
技术介绍
目前，在集成有被动元件的晶圆级扇出型封装件中，由于晶圆级扇出型封装件内的各元件的热膨胀系数(CoefficientofThermalExpansion，CTE)不同，因此会导致被动元件在晶圆级扇出型封装件中很容易发生位置偏移，继而影响后续形成在被动元件上的电路层与被动元件之间发生电连接不良的缺陷。例如，当利用诸如环氧树脂的包封材料对半导体芯片和被动元件进行包封时，会因包封材料的热膨胀和收缩而导致被动元件发生位置偏移。图1A至图1D是示出了根据现有技术的制造晶圆级扇出型封装件的方法的剖视图。参照图1A，在基体基底110上形成芯片120和与芯片120分开设置的被动元件130，并且在基体基底110上形成包封层140以包封芯片120和被动元件130。然后，参照图1B，从芯片120和被动元件130去除基体基底110，以暴芯片120和被动元件130的表面。接下来，参照图1C，在芯片120和被动元件130的暴露的表面上形成电路层150。最后，参照图1D，在电路层150上形成焊球160。在形成包封层140以包封芯片120和被动元件130时，由于包封层140的材料的热膨胀和收缩而导致被动元件130发生位置偏移，从而导致形成在被动元件上的电路层150与被动元件130之间发生电连接不良的缺陷。因此，需要一种新的集成有被动元件的晶圆级扇出型封装件。
技术实现思路
为了解决现有技术中存在的上述问题，本专利技术的示例性实施例的目的在于提供一种晶圆级扇出型封装件及其制造方法。根据本专利技术的实施例，提供了一种制造晶圆级扇出型封装件的方法，所述方法包括：准备具有凸起的基体基底；将芯片设置在基体基底的凸起所处的表面上，并且使芯片与凸起分开布置；在基体基底上形成包封层，以包封芯片和凸起；去除基体基底，以暴露芯片的表面并且在包封层中形成与凸起对应的凹进；以及将被动元件设置在凹进中。所述方法还可以包括：在将被动元件设置在凹进中之前，在芯片的暴露的表面以及凹进上形成电路层。所述方法还可以包括：在将被动元件设置在凹进中之后，在电路层上设置焊球。被动元件可以通过回流焊设置在凹进中。凸起的上表面与基体基底的所述表面之间的距离可以为50μm-100μm。包封层可以包括环氧树脂。根据本专利技术的另一实施例，提供了一种晶圆级扇出型封装件，所述晶圆级扇出型封装件包括：芯片，具有上表面、与上表面相对的下表面以及端部；包封层，覆盖芯片的上表面和端部并暴露芯片的下表面，其中包封层在包封层的与芯片的下表面位于同一侧的表面上具有开口；电路层，形成在芯片的下表面和开口上；以及被动元件，形成在开口中并与电路层接触。所述晶圆级扇出型封装件还可以包括设置在电路层上的焊球。被动元件可以通过回流焊与电路层连接。开口可以在包封层的厚度方向上具有50μm-100μm的厚度。如上所述，在晶圆级扇出型封装件及其制造方法中，通过在形成包封层之后形成被动元件，使得能够避免在形成包封层时由于包封层的材料的热膨胀而引起的被动元件的相对位置发生偏移的问题，从而能够改善被动元件与电路层之间的电路短路问题。另外，在晶圆级扇出型封装件及其制造方法中，由于在形成电路层之后形成被动元件，从而极大地提高了制造精度；而且在形成被动元件期间可以对被动元件进行重制，从而提高良率。附图说明通过以下结合附图对实施例的描述，这些和/或其它方面将变得清楚且更容易理解，在附图中：图1A至图1D是示出了根据现有技术的制造晶圆级扇出型封装件的方法的剖视图；图2是示出了根据本专利技术的示例性实施例的晶圆级扇出型封装件的示意图；以及图3至图8是示出了根据本专利技术的示例性实施例的制造晶圆级扇出型封装件的方法的剖视图。具体实施方式现在将参照附图更充分地描述本专利技术的实施例，在附图中示出了本专利技术的示例性实施例。然而，本专利技术可以以许多不同的形式实施，而不应被解释为局限于在此阐述的实施例；相反，提供这些实施例使得本公开将是彻底的和完整的，并且这些实施例将向本领域的普通技术人员充分地传达本专利技术的实施例的构思。在下面详细的描述中，通过示例的方式阐述了多处具体的细节，以提供对相关教导的充分理解。然而，本领域技术人员应该清楚的是，可以实践本教导而无需这样的细节。在其它情况下，以相对高的层次而没有细节地描述了公知的方法、步骤、组件和电路，以避免使本教导的多个方面不必要地变得模糊。附图中的同样的标号表示同样的元件，因此将不重复对它们的描述。在附图中，为了清晰起见，可能会夸大层和区域的尺寸和相对尺寸。现在将在下文中参照附图更充分地描述本专利技术。图2是示出了根据本专利技术的示例性实施例的晶圆级扇出型封装件的示意图。参照图2，根据本专利技术的实施例的晶圆级扇出型封装件200包括：芯片220，具有上表面(未示出)、与上表面相对的下表面(未示出)以及端部(未示出)；包封层240，覆盖芯片220的上表面以及端部并暴露芯片220的下表面，其中包封层240在包封层240的与芯片220的下表面位于同一侧的表面上具有开口(或凹进)241；电路层250，形成在芯片220的下表面和开口241上；以及被动元件230，形成在开口241中并与电路层250接触。芯片220可以具有上表面、与上表面相对的下表面以及端部。在本专利技术的示例性实施例中，芯片220可以是本领域中通常所熟知的芯片。包封层240覆盖芯片220的上表面和端部并暴露芯片220的下表面。在本专利技术的示例性实施例中，包封层240在包封层240的与芯片220的下表面位于同一侧的表面(例如，包封层240的下表面)上具有开口241。芯片220与开口241分开布置。在本专利技术的示例性实施例中，包封层240可以包括环氧树脂，然而包封层不限于此。在本专利技术的示例性实施例中，开口241在包封层240的厚度方向(例如，竖直方向或与芯片的上表面垂直的方向)上可以具有50μm-100μm的厚度，然而，本专利技术不限于此，开口241可以具有能够容纳被动元件的任何适合的厚度。电路层250形成在芯片220的下表面和开口241上。在本专利技术的非限制性实施例中，可以使用本领域技术人员所熟知的任何适合的方法来在芯片220的下表面和开口241上形成电路层250。被动元件230形成在开口241中并与电路层250接触(例如，电接触)。在本专利技术的示例性实施例中，可以通过回流焊将被动元件230形成在电路层250上，然而本专利技术不限于此。在本专利技术的示例性实施例中，通过在形成包封层之后形成被动元件，使得能够避免在形成包封层时由于包封层的材料的热膨胀而引起的被动元件的相对位置发生偏移的问题，从而能够改善被动元件与电路层之间的电路短路问题。下面将参照图3至图8详细描述根据本专利技术的示例性实施例的制造晶圆级扇出型封装件的方法。图3至图8是示出了根据本专利技术的示例性实施例的制造晶圆级扇出型封装件的方法的剖视图。参照图3，首先，准备具有凸起211的基体基底210，然后在基体基底210的其上具有凸起211的表面上设置芯片220，并使芯片220与凸起211分开布置。在本专利技术的示例性实施例中，凸起的上表面与基体基底的所述表面之间的距离可以为50μm-100本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造晶圆级扇出型封装件的方法，其特征在于，所述方法包括：准备具有凸起的基体基底；将芯片设置在基体基底的凸起所处的表面上，并且使芯片与凸起分开布置；在基体基底上形成包封层，以包封芯片和凸起；去除基体基底，以暴露芯片的表面并且在包封层中形成与凸起对应的凹进；以及将被动元件设置在凹进中。

【技术特征摘要】
1.一种制造晶圆级扇出型封装件的方法，其特征在于，所述方法包括：准备具有凸起的基体基底；将芯片设置在基体基底的凸起所处的表面上，并且使芯片与凸起分开布置；在基体基底上形成包封层，以包封芯片和凸起；去除基体基底，以暴露芯片的表面并且在包封层中形成与凸起对应的凹进；以及将被动元件设置在凹进中。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：在将被动元件设置在凹进中之前，在芯片的暴露的表面以及凹进上形成电路层。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：在将被动元件设置在凹进中之后，在电路层上设置焊球。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，被动元件通过回流焊设置在凹进中。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，凸起的上表面与基体基底的所述表面之间的距离为50μ...

【专利技术属性】
技术研发人员：张鹏，
申请(专利权)人：三星半导体中国研究开发有限公司，三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：江苏,32