一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板技术

本发明专利技术实施例提供一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板，涉及显示技术领域，可以在形成源极和漏极的过程中，避免刻蚀液对氧化物有源层的表面造成损伤，进而影响薄膜晶体管的特性和信赖稳定性。一种薄膜晶体管的制备方法，包括：在衬底上形成氧化物有源层、源极和漏极；源极和漏极均包括第一透明导电层，第一透明导电层覆盖氧化物有源层；源极还包括位于第一透明导电层远离衬底一侧的第一金属层、第二透明导电层；第二透明导电层覆盖第一金属层；漏极还包括位于第一透明导电层远离衬底一侧的第二金属层、第三透明导电层；第三透明导电层覆盖第二金属层；其中，第一透明导电层位于源极和漏极之间的部分的导电性小于等于氧化物有源层的导电性。

Thin film transistor, method for producing the same, and array substrate

The embodiment of the invention provides a thin film transistor array substrate and a preparation method thereof, and relates to the technical field of display, can be in the process of forming the source and drain, to avoid damage to the surface of the etching liquid on the oxide active layer, thereby affecting the properties and stability of thin film transistor Lai letter. The preparation method includes a thin film transistor: oxide active layer, a source electrode and a drain electrode formed on the substrate; a source electrode and a drain electrode includes a first transparent conductive layer, a first transparent conductive oxide layer covering the active layer; the source also comprises a first transparent conductive layer from the substrate side of the first metal layer, second the transparent conductive layer; the second transparent conductive layer covers the first metal layer; drain also comprises a first transparent conductive layer from the substrate side of the second metal layer and the third transparent conductive layer; the third transparent conductive layer covers the second metal layer; wherein the first transparent conductive layer of conductive is located between the source and drain part is less than or equal to a conductive oxide active layer.

【技术实现步骤摘要】
一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板。
技术介绍
薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，简称TFT)根据制备工艺的不同，可以分为背沟道刻蚀(BackChannelEtch，简称BCE)型和刻蚀阻挡(EtchStopLayer，简称ESL)型等。其中，BCE型的TFT因其工艺流程简单，而被广泛应用。ESL型与BCE型TFT的区别在于：ESL型TFT的氧化物有源层与源漏间还包括刻蚀阻挡层。在ESL型TFT的制备工艺中，由于刻蚀阻挡层的存在，采用湿法刻蚀对源极和漏极进行刻蚀时，刻蚀液不会直接接触氧化物有源层，因此，氧化物有源层表面不会被腐蚀损伤。然而，如图1所示，在BCE型TFT的制备工艺中，采用湿法刻蚀对源极14和漏极15进行刻蚀时，由于刻蚀液直接接触氧化物有源层13，导致氧化物有源层13中与刻蚀液直接接触的部分被腐蚀损伤，例如：与刻蚀液直接接触的氧化物有源层13的表面凹凸不平、失氧、以及被杂质元素污染等，使与刻蚀液直接接触的氧化物有源层13的表面产生大量缺陷态，从而影响TFT的特性和信赖稳定性。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板，在形成源极和漏极的过程中，避免刻蚀液对氧化物有源层的表面造成损伤，进而影响薄膜晶体管的特性和信赖稳定性。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案：第一方面，提供一种薄膜晶体管的制备方法，包括：在衬底上形成氧化物有源层、源极和漏极；所述源极和所述漏极均包括第一透明导电层，所述第一透明导电层覆盖所述氧化物有源层。所述源极还包括位于所述第一透明导电层远离所述衬底一侧的第一金属层、第二透明导电层；所述第二透明导电层覆盖所述第一金属层；所述漏极还包括位于所述第一透明导电层远离所述衬底一侧的第二金属层、第三透明导电层；所述第三透明导电层覆盖所述第二金属层。其中，所述第一透明导电层位于所述源极和所述漏极之间的部分的导电性小于等于所述氧化物有源层的导电性。可选的，形成氧化物有源层、源极和漏极，包括：在所述衬底上，依次形成氧化物半导体薄膜、第一透明导电薄膜、金属薄膜、以及第二透明导电薄膜，并在所述第二透明导电薄膜上方形成光刻胶；利用半色调掩模板对所述光刻胶进行曝光，显影后形成光刻胶完全保留部分、光刻胶半保留部分和光刻胶完全去除部分；所述光刻胶完全保留部分与所述源极和所述漏极对应，所述光刻胶半保留部分与所述源极和所述漏极之间的区域对应，所述光刻胶完全去除部分与其他区域对应。采用刻蚀工艺，对与所述光刻胶完全去除部分对应的所述第二透明导电薄膜、所述金属薄膜、所述第一透明导电薄膜、以及所述氧化物半导体薄膜进行刻蚀，形成所述氧化物有源层；并采用灰化工艺去除所述光刻胶半保留部分。采用刻蚀工艺，对露出的所述第二透明导电薄膜和所述金属薄膜进行刻蚀，形成所述第二透明导电层、所述第三透明导电层、所述第一金属层、以及所述第二金属层；对所述第一透明导电薄膜位于所述源极和所述漏极之间的区域的导电性进行处理，形成所述第一透明导电层。可选的，形成氧化物有源层、源极和漏极，包括：在衬底上，通过一次构图工艺形成所述氧化物有源层。在形成有所述氧化物有源层的所述衬底上依次形成第一透明导电薄膜、金属薄膜、以及第二透明导电薄膜，并在所述第二透明导电薄膜上方形成光刻胶；利用半色调掩模板对所述光刻胶进行曝光，显影后形成光刻胶完全保留部分、光刻胶半保留部分和光刻胶完全去除部分；所述光刻胶完全保留部分与所述源极和所述漏极对应，所述光刻胶半保留部分与所述源极和所述漏极之间的区域对应，所述光刻胶完全去除部分与其他区域对应。采用刻蚀工艺，对与所述光刻胶完全去除部分对应的所述第二透明导电薄膜、所述金属薄膜、以及所述第一透明导电薄膜进行刻蚀；并采用灰化工艺去除所述光刻胶半保留部分。采用刻蚀工艺，对露出的所述第二透明导电薄膜和所述金属薄膜进行刻蚀，形成所述第二透明导电层、所述第三透明导电层、所述第一金属层、以及所述第二金属层；对所述第一透明导电薄膜位于所述源极和所述漏极之间的区域的导电性进行处理，形成所述第一透明导电层。优选的，所述第一金属层和所述第二金属层的材料均包括铜；所述第一透明导电层、所述第二透明导电层和所述第三透明导电层的材料均包括氧化铟锌；所述第一透明导电层中锌与铟的质量比范围为70：30～90：10，所述第二透明导电层和所述第三透明导电层中锌与铟的质量比为20：80～25：75。对所述第一透明导电薄膜位于所述源极和所述漏极之间的区域的导电性进行处理，形成所述第一透明导电层，包括：在所述第二透明导电层和所述第三透明导电层上方形成光刻胶；利用掩模板对所述光刻胶进行曝光，显影后形成光刻胶完全保留部分和光刻胶完全去除部分；所述光刻胶完全去除部分与所述源极和所述漏极之间的区域对应，所述光刻胶完全保留部分与其他区域对应。采用氧气、笑气中的至少一种，对与所述光刻胶完全去除部分对应的所述第一透明导电薄膜进行等离子体处理。进一步优选的，采用刻蚀工艺，对露出的所述第二透明导电薄膜和所述金属薄膜和进行刻蚀，具体包括：采用铜刻蚀速率大于氧化铟锌刻蚀速率的铜刻蚀液，对露出的所述第二透明导电薄膜和所述金属薄膜进行刻蚀。优选的，所述第一透明导电层的厚度范围为20～50nm。第二方面，提供一种薄膜晶体管，包括衬底、依次设置于所述衬底上的氧化物有源层、源极和漏极；所述源极和所述漏极均包括第一透明导电层，所述第一透明导电层覆盖所述氧化物有源层；其中，所述第一透明导电层位于所述源极和所述漏极之间的部分的导电性小于等于所述氧化物有源层的导电性。优选的，所述源极还包括设置于所述第一透明导电层远离所述衬底一侧的第一金属层、第二透明导电层；所述第二透明导电层覆盖所述第一金属层；所述漏极还包括设置于所述第一透明导电层远离所述衬底一侧的第二金属层、第三透明导电层；所述第三透明导电层覆盖所述第二金属层。所述第一金属层和所述第二金属层的材料均包括铜；所述第一透明导电层、所述第二透明导电层和所述第三透明导电层的材料均包括氧化铟锌；所述第一透明导电层中锌与铟的质量比范围为70：30～90：10，且位于所述源极和所述漏极之间的部分还包括氧化铟和氧化锌；所述第二透明导电层和所述第三透明导电层中锌与铟的质量比为20：80～25：75。优选的，所述第一透明导电层的厚度范围为20～50nm。第三方面，提供一种阵列基板，包括权利要求第二方面所述的薄膜晶体管。本专利技术实施例提供一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板，通过在形成源极和漏极的过程中，保留第一透明导电层位于源极与漏极之间的部分，使第一透明导电层覆盖氧化物有源层形成，可以避免刻蚀液接触氧化物有源层，并对氧化物有源层中与刻蚀液接触的部分造成腐蚀损伤，进而避免影响薄膜晶体管的特性和信赖稳定性。在此基础上，覆盖在氧化物有源层上的第一透明导电层，还可以减轻光对氧化物有源层位于源极和漏极之间的部分的照射，进而起到防止氧化物有源层退化的作用。其中，第一透明导电层位于源极和漏极之间的部分的导电性小于等于氧化物有源层的导电性，可以避免源极和漏极通过第一透明导电层导通。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：在衬底上形成氧化物有源层、源极和漏极；所述源极和所述漏极均包括第一透明导电层，所述第一透明导电层覆盖所述氧化物有源层；所述源极还包括位于所述第一透明导电层远离所述衬底一侧的第一金属层、第二透明导电层；所述第二透明导电层覆盖所述第一金属层；所述漏极还包括位于所述第一透明导电层远离所述衬底一侧的第二金属层、第三透明导电层；所述第三透明导电层覆盖所述第二金属层；其中，所述第一透明导电层位于所述源极和所述漏极之间的部分的导电性小于等于所述氧化物有源层的导电性。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：在衬底上形成氧化物有源层、源极和漏极；所述源极和所述漏极均包括第一透明导电层，所述第一透明导电层覆盖所述氧化物有源层；所述源极还包括位于所述第一透明导电层远离所述衬底一侧的第一金属层、第二透明导电层；所述第二透明导电层覆盖所述第一金属层；所述漏极还包括位于所述第一透明导电层远离所述衬底一侧的第二金属层、第三透明导电层；所述第三透明导电层覆盖所述第二金属层；其中，所述第一透明导电层位于所述源极和所述漏极之间的部分的导电性小于等于所述氧化物有源层的导电性。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，形成氧化物有源层、源极和漏极，包括：在所述衬底上，依次形成氧化物半导体薄膜、第一透明导电薄膜、金属薄膜、以及第二透明导电薄膜，并在所述第二透明导电薄膜上方形成光刻胶；利用半色调掩模板对所述光刻胶进行曝光，显影后形成光刻胶完全保留部分、光刻胶半保留部分和光刻胶完全去除部分；所述光刻胶完全保留部分与所述源极和所述漏极对应，所述光刻胶半保留部分与所述源极和所述漏极之间的区域对应，所述光刻胶完全去除部分与其他区域对应；采用刻蚀工艺，对与所述光刻胶完全去除部分对应的所述第二透明导电薄膜、所述金属薄膜、所述第一透明导电薄膜、以及所述氧化物半导体薄膜进行刻蚀，形成所述氧化物有源层；采用灰化工艺去除所述光刻胶半保留部分；采用刻蚀工艺，对露出的所述第二透明导电薄膜和所述金属薄膜进行刻蚀，形成所述第二透明导电层、所述第三透明导电层、所述第一金属层、以及所述第二金属层；对所述第一透明导电薄膜位于所述源极和所述漏极之间的区域的导电性进行处理，形成所述第一透明导电层。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，形成氧化物有源层、源极和漏极，包括：在衬底上，通过一次构图工艺形成所述氧化物有源层；在形成有所述氧化物有源层的所述衬底上依次形成第一透明导电薄膜、金属薄膜、以及第二透明导电薄膜，并在所述第二透明导电薄膜上方形成光刻胶；利用半色调掩模板对所述光刻胶进行曝光，显影后形成光刻胶完全保留部分、光刻胶半保留部分和光刻胶完全去除部分；所述光刻胶完全保留部分与所述源极和所述漏极对应，所述光刻胶半保留部分与所述源极和所述漏极之间的区域对应，所述光刻胶完全去除部分与其他区域对应；采用刻蚀工艺，对与所述光刻胶完全去除部分对应的所述第二透明导电薄膜、所述金属薄膜、以及所述第一透明导电薄膜进行刻蚀；采用灰化工艺去除所述光刻胶半保留部分；采用刻蚀工艺，对露出的所述第二透明导电薄膜和所述金属薄膜进行刻蚀，形成所述第二透明导电层、所述第三透明导电层、所述第一金属层、以及所述第二金属层；...

【专利技术属性】
技术研发人员：邸云萍，杨维，王利忠，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11