The invention provides a method for etching a semiconductor device, which comprises the following steps: S10, provide a circular semiconductor wafer, comprising a semiconductor substrate, a semiconductor device layer on a semiconductor substrate, a metal layer on a semiconductor device layer, wherein the semiconductor layer comprises a through hole structure is located at the edge of the wafer; S20, on the metal layer coating a photoresist layer; the photoresist removal S30, the edge of a semiconductor wafer using the EBR method, so that the chip at the edge of the through hole structure is covered by the photoresist; and through the improvement in the removal step edge photoresist, achieve the same purpose, so as to improve the hole edge of the wafer by etching wear through the problem, improve the reliability of the semiconductor device.
【技术实现步骤摘要】
半导体器件的刻蚀方法
本专利技术提供一个半导体器件的制造方法,尤其涉及一种半导体器件的刻蚀方法。
技术介绍
在现在大规模集成电路制造中,等离子体干法刻蚀是用于图形转移的基本工艺。常用于在半导体器件层中形成所需的图形,例如顶层金属的刻蚀。在刻蚀中通常需要先采用光刻的方法在待刻蚀的金属层上形成一层掩膜图形,用来保护要保留的金属图形,光刻(photoetchingorlithography)是通过一系列生产步骤,将晶片表面薄膜的特定部分除去的工艺。在此之后,晶片表面会留下带有微图形结构的薄膜。通过光刻工艺过程,最终在晶片上保留的是特征图形部分。光刻形成掩膜图形的标准工艺方法是:首先在金属层上形成光刻胶图层;然后进行软烘(SoftBaking)目的是除去溶剂,增强黏附性,释放光刻胶膜内的应力,防止光刻胶玷污设备;如图1所示,接着边缘光刻胶的去除,光刻胶涂覆后,在硅片边缘的正反两面都会有光刻胶的堆积,边缘的光刻胶一般涂布不均匀,不能得到很好的图形,而且容易发生剥离(Peeling)而影响其它部分的图形,所以需要去除,化学的方法(EBR)是用PGMEA或EGMEA去边溶剂,喷出少量在正反面边缘处,例如距硅片边缘d1距离处,并小心控制不要到达光刻胶有效区域,然后会再结合光学方法,即硅片边缘曝光(WEE,WaferEdgeExposure),在完成图形的曝光后,用激光曝光硅片边缘,例如距离硅片边缘d2距离处,然后在显影或特殊溶剂中溶解,通常d2小于或等于d1;最后在进行剩余的对准(Alignment)、曝光(Exposure)、烘焙、显影、硬烘焙最终完成掩膜图形,利用掩膜 ...
【技术保护点】
一种半导体器件的刻蚀方法,其特征在于,包括步骤:S10,提供圆形半导体晶片,其包括半导体衬底,位于半导体衬底上的半导体器件层,半导体器件层上的金属层,所述半导体器件层包括位于晶片边缘的通孔结构;S20,在所述金属层上涂覆光刻胶层;S30,利用EBR方法去除所述半导体晶片边缘的光刻胶,使得所述位于晶片边缘的通孔被光刻胶所覆盖;S40,进行曝光、显影,形成光刻胶图形;S50,利用所述光刻胶图形作为掩膜层刻蚀金属层,形成金属图形。
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的刻蚀方法,其特征在于,包括步骤:S10,提供圆形半导体晶片,其包括半导体衬底,位于半导体衬底上的半导体器件层,半导体器件层上的金属层,所述半导体器件层包括位于晶片边缘的通孔结构;S20,在所述金属层上涂覆光刻胶层;S30,利用EBR方法去除所述半导体晶片边缘的光刻胶,使得所述位于晶片边缘的通孔被光刻胶所覆盖;S40,进行曝光、显影,形成光刻胶图形;S50,利用所述光刻胶图形作为掩膜层刻蚀金属层,形成金属图形。2.根据权利要求1所述的半导体器件的刻蚀方法,其特征在于,所述金属层的厚度为3.根据权利要求1所述的半导体器件的刻蚀方法,其特征在于,所述半导体器件层和金属层之间还包括氧化层,所述氧化层的厚度为4.根据权利要求1所述的半导体器件的刻蚀方法,其特征在于,所述刻蚀为等离子体刻蚀,时间为20...
【专利技术属性】
技术研发人员:黄冲,李志国,
申请(专利权)人:上海华虹宏力半导体制造有限公司,
类型:发明
国别省市:上海,31
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