A pixel circuit is disclosed, which comprises: organic light emitting diode; a driving transistor and the organic light emitting diode are connected in series and is connected to the gate of the first node and the second node is connected to the drain electrode; double gate transistor is coupled between the first node and the second node; and the leakage current suppression structure and for the suppression of the organic light emitting diode caused by leakage current flowing through the double gate transistor of the drive current changes. A display device having the pixel circuit is also disclosed.
【技术实现步骤摘要】
像素电路和具有该像素电路的显示装置
本专利技术涉及显示
,具体来说涉及一种像素电路和具有该像素电路的显示装置。
技术介绍
为补偿由于工艺导致的各驱动晶体管的阈值电压的不均匀,各种补偿技术已经被应用于有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)像素电路中。图1是示出一种用于AMOLED像素电路的补偿技术的示意图。如图1所示,驱动晶体管DT的源极连接到第一电源电压Vdd,有机发光二极管(OLED)连接在驱动晶体管DT的漏极与第二电源电压Vss之间,并且补偿晶体管CT连接在驱动晶体管DT的栅极和漏极之间。当补偿晶体管CT的栅极被施加低电平信号SN时,补偿晶体管CT被开启以使得驱动晶体管DT形成二极管结构。该二极管结构可以用于补偿驱动晶体管DT的阈值电压Vth对由驱动晶体管DT供应给OLED的驱动电流IOLED的影响。当驱动晶体管DT形成二极管结构时,其栅极电压Vg等于其漏极电压Vd,并且漏极电压Vd与其源极电压Vs之间的差Vds满足:Vds=Vth。因此,在图1的示例中可以得到:Vg=Vd=Vds+Vs=Vth+Vdd。可以看到,驱动晶体管DT的阈值电压Vth已经被引入栅极电压Vg中。在随后的发光阶段,驱动电流IOLED可以计算为:IOLED=K(Vgs-Vth)2(1)其中K表示由驱动晶体管DT的迁移率(mobility)和寄生电容所确定的恒定值,并且Vgs表示驱动晶体管DT的栅极电压Vg与源极电压Vs之间的差。在该发光阶段,补偿晶体管CT被关断并且数据电压已经被引入到Vg中,使得阈值电压Vth在等式(1)中被抵消。换言之,驱动电流IOLED将与阈值电压Vth ...
【技术保护点】
一种像素电路,包括:有机发光二极管;驱动晶体管,与所述有机发光二极管串联连接并且被配置成在发光阶段期间借助于流过所述有机发光二极管的驱动电流驱动所述有机发光二极管发光,其中所述驱动晶体管具有连接到第一节点的栅极和连接到第二节点的漏极;双栅晶体管,耦合在所述第一节点与所述第二节点之间使得当所述双栅晶体管被开启时所述驱动晶体管形成二极管结构,其中所述双栅晶体管包括经由公共端子串联连接的两个子晶体管;以及漏电流抑制结构,用于抑制由流过所述双栅晶体管的漏电流引起的所述驱动电流的变化。
【技术特征摘要】
1.一种像素电路,包括:有机发光二极管;驱动晶体管,与所述有机发光二极管串联连接并且被配置成在发光阶段期间借助于流过所述有机发光二极管的驱动电流驱动所述有机发光二极管发光,其中所述驱动晶体管具有连接到第一节点的栅极和连接到第二节点的漏极;双栅晶体管,耦合在所述第一节点与所述第二节点之间使得当所述双栅晶体管被开启时所述驱动晶体管形成二极管结构,其中所述双栅晶体管包括经由公共端子串联连接的两个子晶体管;以及漏电流抑制结构,用于抑制由流过所述双栅晶体管的漏电流引起的所述驱动电流的变化。2.如权利要求1所述的像素电路,其中所述漏电流抑制结构包括以下中的至少一个:耦合在所述第一节点与所述公共端子之间的电容器或耦合在所述第一节点与所述双栅晶体管之间的肖特基二极管,其中所述肖特基二极管被布置成反向截止以在所述发光阶段期间抑制所述漏电流流过所述双栅晶体管。3.如权利要求2所述的像素电路,其中所述双栅晶体管包括:有源层;绝缘层,布置在所述有源层上;栅极金属层,布置在所述绝缘层上并且包括彼此间隔开且电连接的两个栅极金属区;第一电极,与所述有源层电接触并且连接到所述第一节点;以及第二电极,与所述有源层电接触并且连接到所述第二节点。4.如权利要求3所述的像素电路,其中所述电容器包括金属板,所述金属板被布置使得所述绝缘层被夹在所述金属板与所述有源层之间。5.如权利要求4所述的像素电路,其中所述金属板位于与所述栅极金属层不同的层。6.如权利要求4所述的像素电路,其中所述金属板位于与所述栅极金属层相同的层。7.如权利要求3所述的像素电路,其中所述第一电极由金属制成,并且其中所述肖特基二极管包括借助于所述第一电极与所述有源层之间的金属-半导体接触而形成的空穴阻挡层。8.如权利要求7所述的像素电路,其中所述有源层由多晶硅制成,并且其中所述金属选自由Ag、Au、Pt和Al组成的组。9.如权利要求1-8中任一项所述的像素电路,其中所述两个子晶体管每个都具有连接到第一扫描线的栅极,并且其中所述像素电路还包括:存储电容器,具有连接到所述第一节点的第一端子和连接到第三节点的第二端子;第三晶体管,连接在所述驱动晶体管与所述有机发光二极管之间并且具有连接到发光控制线的栅极;第四晶体管,具有连接到第二扫描线的栅极、连接到初始化电压的第一电极、以及连接到所述第一节点的第二电极;第五晶体管,具有连接到所述第二扫描线的栅极、连接到第一电源电压的第一电极、以及连接到所述第三节点的第二电极;第六晶体管,具有连接到第一扫描线的栅极、连接到数据线的第一电极、以及连接到所述第三节点的第二电极;以及第七晶体管,具有连接到发光控制线的栅极、连接到参考电压的第一电极、以及连接到所述第三节点的第二电极。10.如权利要求9所述的像素电路,其中所述第四晶体管被配置成响应于来自所述第二扫描线的第二扫描信号将所述第一节点的电位初始化为所述初始化...
【专利技术属性】
技术研发人员:徐映嵩,
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司,成都京东方光电科技有限公司,
类型:发明
国别省市:北京,11
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