用于半导体存储装置的控制器及其操作方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种控制器，其包括：命令生成单元，其适用于生成用于选自所述多个页的至少一个页的第一读取命令；误差校正块，其适用于响应于第一读取命令对储存在所述至少一个选择的页中的一个或多个编码字执行第一误差校正操作；以及命令镜像单元，其适用于通过对第一读取命令进行镜像来生成镜像命令。

Controller for semiconductor memory device and operation method thereof

The invention relates to a controller, which includes a command generating unit for at least one page to generate from the plurality of pages of the first read command; error correction block, which is applicable to the response to the first command to read stored in the at least one selected page in one or more a character encoding performs a first error correction operation command; and image unit, which is suitable for the first mirror image to generate a read command command.

【技术实现步骤摘要】
用于半导体存储装置的控制器及其操作方法
各种示例性实施例总体涉及一种电子装置，且更具体地，涉及一种用于半导体存储装置的控制器及其操作方法。
技术介绍
半导体存储装置是由诸如硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)和磷化铟(Inp)的半导体材料制成的储存装置。半导体存储装置可被分类为易失性存储装置和非易失性存储装置。当断电时，易失性存储装置通常丢失储存的数据。易失性存储装置的示例包括静态RAM(SRAM)、动态RAM(DRAM)和同步DRAM(SDRAM)。非易失性存储装置无论通电/断电状态都保留储存的数据。非易失性存储装置的示例包括只读存储器(ROM)、掩膜ROM(MROM)、可编程ROM(PROM)、可擦除可编程ROM(EPROM)、电可擦除和可编程ROM(EEPROM)、闪速存储器、相变随机访问存储器(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)和铁电RAM(FRAM)。闪速存储装置可根据使用的逻辑门的类型被分类为NOR型和NAND型。
技术实现思路
各种实施例涉及用于控制半导体存储装置的操作的控制器、包括该控制器和至少一个半导体存储装置的存储系统以及该控制器的操作方法。存储系统和控制器尤其展示了改善的操作速度。在已经阅读本公开后，本专利技术的实施例的其它优势将对本领域技术人员变得明显。根据一个实施例，控制器被提供用于控制包括多个页的半导体存储装置。控制器可包括：命令生成单元，其适用于生成用于选自多个页的至少一个页的第一读取命令；误差校正块，其适用于响应于第一读取命令对储存在至少一个选择的页中的一个或多个编码字执行第一误差校正操作；以及命令镜像单元，其适用于通过对第一读取命令进行镜像来生成镜像命令。当对一个或多个编码字中的至少一个的误差校正失败时，命令镜像单元可适用于生成第二读取命令。控制器可适用于将第二读取命令通信至半导体存储装置，且误差校正块适用于响应于第二读取命令对一个或多个编码字中的至少一个执行误差校正操作。第二读取命令可被输出至半导体存储装置，且当对应于第二读取命令的编码字被从半导体存储装置接收时，误差校正块可被配置为对对应于第二读取命令的编码字执行误差校正。当对一个或多个编码字的每个的误差校正操作通过时，命令生成单元可将误差校正编码字提供至主机。控制器可包括：主命令队列，其适用于在先进先出(FIFO)的基础上对第一读取命令进行入列和出列；镜像储存单元，其适用于储存镜像命令；以及子命令队列，其适用于在FIFO的基础上对第二读取命令进行入列和出列。控制器可包括命令选择单元，其适用于将主命令队列的第一读取命令和子命令队列的第二读取命令中的一个提供至半导体存储装置。当对一个或多个编码字中的每个的误差校正操作通过时，镜像储存单元中的镜像命令被取消。第二读取命令可以是用于编码字的读取命令，其中，响应于第一读取命令的对该编码字的误差校正操作失败。第二读取命令可以是用于选择的页的读取命令。第二读取命令可包括用于对编码字中的至少一个或多个的一个或多个进行读取重试操作的一系列子命令，其中，响应于第一读取命令的对该编码字的误差校正操作失败。第二读取命令可包括用于对编码字的一个或多个进行软判决(softdecision)操作的一系列子命令，其中，响应于第一读取命令的对该编码字的误差校正操作失败。控制器可包括存储控制器单元，其适用于将第一读取命令和第二读取命令提供至半导体存储装置并从半导体存储装置接收分别对应于第一读取命令和第二读取命令的编码字。根据另一个实施例，用于控制包括多个页的半导体存储装置的控制器的操作方法可包括生成用于选自多个页的至少一个页的第一读取命令、响应于第一读取命令对储存在选择的页中的至少一个或多个编码字执行误差校正操作以及通过对第一读取命令进行镜像来生成镜像命令。当对编码字中的至少一个的误差校正操作失败时，第二读取命令可基于生成的镜像命令而生成。操作方法可包括当对编码字中的每个的误差校正操作通过时将误差校正编码字提供至主机。操作方法可进一步包括当对编码字中的每个的误差校正操作通过时取消镜像命令。操作方法可进一步包括响应于第二读取命令对一个或多个编码字中的至少一个执行误差校正操作。第二读取命令可以是用于编码字的读取命令，其中，响应于第一读取命令的对该编码字的第一误差校正操作失败。第二读取命令可以是用于选择的页的读取命令。第二读取命令可包括用于对编码字的一个或多个进行读取重试操作的一系列子命令，其中，响应于第一读取命令的对该编码字的误差校正操作失败。第二读取命令可包括用于对至少一个或多个编码字的一个或多个进行软判决操作的一系列子命令，其中，响应于第一读取命令的对该至少一个或多个编码字的误差校正操作失败。根据另一个实施例，存储系统可包括具有多个页的半导体存储装置和控制半导体存储装置的控制器，其中，控制器包括：误差校正块，其适用于响应于第一读取命令对储存在选择的页中的编码字中的每个执行误差校正操作；以及命令镜像单元，其适用于通过对第一读取命令进行镜像来生成镜像命令，其中，当对编码字中的至少一个的误差校正操作失败时，命令镜像单元基于镜像命令生成第二读取命令。附图说明图1是说明根据一个实施例的存储系统的框图；图2是进一步说明用于图1中所示的存储系统的半导体存储装置的框图；图3是说明图2中所示的半导体装置的存储块中的一个的框图；图4是说明根据一个实施例的用于半导体存储装置的控制器的操作方法的流程图；图5是示出根据一个实施例的储存在主命令队列和镜像储存单元中的命令的简化示图；图6是说明从选择的页中读取的页数据的误差校正的简化示图；图7是示出储存在字命令队列中的命令的简化示图；图8是说明根据另一个实施例的存储系统的框图；图9是说明根据一个实施例的控制器的操作方法的流程图；图10是说明储存在子命令队列中的子命令的简化示图；图11是说明根据一个实施例的控制器的框图；图12是说明根据一个实施例的存储系统的应用示例的框图；以及图13是说明根据一个实施例的包括存储系统的计算系统的框图。具体实施方式在下文中，将参照附图详细地描述实施例的各种示例。附图是被提供以允许本领域普通技术人员理解本专利技术的本专利技术的示例。然而，应该理解的是，本专利技术可以不同的形式被实施且不应被解释为限于在附图中提出的具体实施例。此外，应该注意的是，如在本公开中使用的术语“被连接”或“被联接”旨在指组件被“直接电”联接至另一个组件或通过另一个组件被间接电联接。单数形式可包括复数形式，只要其未在语句中被特定提到。此外，在说明书中使用的“包括/包含”或“包括有/包含有”表示一个或多个组件、步骤、操作和元件存在或已经被添加。图1是说明根据一个实施例的存储系统的框图。图2是进一步说明用于图1中所示的存储系统的半导体存储装置的框图。图3是说明图2中所示的半导体装置的存储块中的一个的框图。如图1中所示，提供存储系统10，存储系统包括半导体存储装置100和用于控制半导体装置的操作的控制器200。半导体存储装置100可在控制器200的控制下操作。半导体存储装置100可在控制器200的控制下编程数据、读取内部储存的数据和/或擦除内部储存的数据。在不脱离本专利技术的范围的情况下，其它功能还可由半导体装置在控制器200的控制下执行。如本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于控制半导体存储装置的控制器，所述半导体存储装置包括多个页，所述控制器包括：命令生成单元，其适用于生成用于选自所述多个页的至少一个页的第一读取命令；误差校正块，其适用于响应于所述第一读取命令对储存在所述至少一个选择的页中的一个或多个编码字执行第一误差校正操作；以及命令镜像单元，其适用于通过对所述第一读取命令进行镜像来生成镜像命令。

【技术特征摘要】
2015.12.11 US 14/966,6851.一种用于控制半导体存储装置的控制器，所述半导体存储装置包括多个页，所述控制器包括：命令生成单元，其适用于生成用于选自所述多个页的至少一个页的第一读取命令；误差校正块，其适用于响应于所述第一读取命令对储存在所述至少一个选择的页中的一个或多个编码字执行第一误差校正操作；以及命令镜像单元，其适用于通过对所述第一读取命令进行镜像来生成镜像命令。2.根据权利要求1所述的控制器，其中，当对所述一个或多个编码字中的至少一个的误差校正失败时，所述命令镜像单元适用于生成第二读取命令。3.根据权利要求1所述的控制器，其中，所述命令镜像单元适用于在所述第一读取命令被通信至所述半导体存储装置之前生成第二读取命令。4.根据权利要求1所述的控制器，其中，所述控制器适用于将第二读取命令通信至所述半导体存储装置；以及所述误差校正块适用于响应于所述第二读取命令对所述一个或多个编码字中的至少一个执行所述误差校正操作。5.根据权利要求1所述的控制器，其中，当对所述一个或多个编码字中的每个的所述误差校正操作通过时，所述命令生成单元将误差校正编码字提供至主机。6.根据权利要求1所述的控制器，其进一步包括：主命令队列，其适用于在先进先出(FIFO)的基础上对所述第一读取命令进行入列和出列；镜像储存单元，其适用于储存所述镜像命令；以及子命令队列，其适用于在先进先出的基础上对第二读取命令进行入列和出列。7.根据权利要求6所述的控制器，其进一步包括命令选择单元，其适用于将所述主命令队列的第一读取命令和所述子命令队列的第二读取命令中的一个提供至所述半导体存储装置。8.根据权利要求6所述的控制器，其中，当对所述一个或多个编码字中的每个的所述误差校正操作通过时，所述镜像储存单元中的镜像命令被取消。9.根据权利要求2所述的控制器，其中，所述第二读取命令是用于所述一个或多个编码字中的至少一个的读取命令，其中，响应于所述第一读取命令的对所述一个或多个编码字的误差校正操作失败。10.根据权利要求2所述的控制器，其中，所述第二读取命令是用于所述选择的页的读取命令。11.根据权利要求2所述的控制器，其中，所述第二读取命令包括用于对所述一个或多个编码字中的至少一个进行一个或多个读取重试操作的一系列子命令，其中，响应于所述第一读取命令的对所述一个或多个编码字的误差校正操作失败。12.根据权利要求2所述的控制器，其中，所述第二读取命令包括用于对所述一个或多个编码字中的至少一个进行一个或多个软判决操作的一系列子命令，其中，响应于所述第一读取命令...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢永东，朴世天，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR