The embodiment of the invention provides a device, the device includes a substrate support; the source of laser radiation, the laser radiation along the optical path of laser radiation emission; and lighting optical device, the illumination optics disposed along the optical path. The illumination optical device includes a collection of slow axis lenses and a collection of fast axis lenses. The device further includes a homogenizing device that is disposed between the illumination optical device and the substrate support along the optical path. All of the first light device comprises a cylindrical lens, small lens array and cylindrical lens second small micro optical lens array, wherein the cylindrical lens second micro optical lens array has a first small micro cylindrical lens is greater than the relatively small lens small spacing distance between the lens science lenslet array, small lens axis lens the first optical axis and small lens array and second optical lenslet array along the axial direction of the shaft, the fast axis parallel to the laser radiation source.
【技术实现步骤摘要】
使用微透镜阵列而产生线路的光学设计本申请是申请日为2012年10月12日、申请号为201280044675.5、名称为“使用微透镜阵列而产生线路的光学设计”的专利技术专利申请的分案申请。背景专利
本专利技术的实施例一般涉及半导体基板的热处理。特别地,本专利技术涉及半导体基板的激光热处理。相关技术的描述在形成于硅晶片或诸如用于显示的玻璃面板之类的其它基板中的硅和其它半导体集成电路的制造中需要热处理。所需要温度可在自小于250℃的相对低温至大于1000℃、1200℃或甚至1400℃的范围内,且可用于各种工艺,诸如掺杂剂注入退火、结晶、氧化、氮化、硅化和化学气相沉积以及其它工艺。对于高级集成电路所需要的极浅(veryshallow)电路特征,期望减少实现所需要热处理的总热预算。热预算可认为是在实现期望处理温度所必需的高温下的总时间。晶片需要在最高温度下停留的时间可能极短。举例而言,快速热处理(Rapidthermalprocessing;RTP)使用辐射灯仅加热晶片而不加热腔室的其余部分,所述辐射灯可很快开启和关闭。使用极短(约20ns)激光脉冲的脉冲激光退火对仅加热表面层而不加热下层晶片有效,因此允许极短的斜升速率及斜降速率。各种形式的最近开发的方法,有时称为热通量激光退火或动态表面退火(dynamicsurfaceannealing;DSA),使用锥形光导管和变像成像光学器件来产生照在晶片上的极强烈光束作为薄长线路的辐射。随后在晶片的表面上沿垂直于线路光束的长尺寸的方向扫描线路。然而,据报告,用来沿着慢轴(即,线路长度方向)将图像均化(homogeniz ...
【技术保护点】
一种用于处理半导体基板的热处理设备,所述热处理设备包括:基板支撑件,所述基板支撑件具有基板接收表面;光束源,所述光束源具有快轴,用于沿着与所述基板支撑件的所述基板接收表面交叉的光学路径发射光束;均化器,所述均化器沿着所述光学路径设置在所述光束源与所述基板支撑件之间,所述均化器包括:第一透镜阵列,所述第一透镜阵列具有柱状透镜的小透镜阵列;和第二透镜阵列,所述第二透镜阵列具有柱状透镜的小透镜阵列,其中所述第二透镜阵列的小透镜阵列的至少两个相邻柱状透镜具有比所述第一透镜阵列的小透镜阵列的至少两个相邻柱状透镜的间距更大的间距。
【技术特征摘要】
2011.11.04 US 61/555,938;2012.10.10 US 13/649,0281.一种用于处理半导体基板的热处理设备,所述热处理设备包括:基板支撑件,所述基板支撑件具有基板接收表面;光束源,所述光束源具有快轴,用于沿着与所述基板支撑件的所述基板接收表面交叉的光学路径发射光束;均化器,所述均化器沿着所述光学路径设置在所述光束源与所述基板支撑件之间,所述均化器包括:第一透镜阵列,所述第一透镜阵列具有柱状透镜的小透镜阵列;和第二透镜阵列,所述第二透镜阵列具有柱状透镜的小透镜阵列,其中所述第二透镜阵列的小透镜阵列的至少两个相邻柱状透镜具有比所述第一透镜阵列的小透镜阵列的至少两个相邻柱状透镜的间距更大的间距。2.如权利要求1所述的设备,所述设备进一步包括:多个聚光透镜,所述多个聚光透镜沿着所述光学路径设置在所述均化器与所述基板支撑件之间,其中所述多个聚光透镜包括至少五个球面透镜。3.如权利要求1所述的设备,其中所述光束源以在约190nm与约950nm之间的波长发射光束。4.如权利要求1所述的设备,其中所述第二透镜阵列的小透镜阵列的每一个柱状透镜和所述第一透镜阵列的小透镜阵列的每一个柱状透镜都沿平行于所述快轴的轴定向。5.一种用于处理半导体基板的热处理设备,所述热处理设备包括:基板支撑件,所述基板支撑件具有基板接收表面;激光二极管杆阵列,所述激光二极管杆阵列沿着与所述基板支撑件的所述基板接收表面交叉的光学路径以第一波长发射激光辐射,所述激光二极管杆阵列布置在沿着慢轴延伸的多个平行列内,所述列的激光二极管杆沿着快轴布置在堆叠中,其中所述慢轴和所述快轴与在所述激光二极管杆阵列和所述基板支撑件之间的光学路径正交;照明光学器件,所述照明光学器件沿着所述光学路径设置在所述激光二极管杆阵列和所述基板支撑件之间,所述照明光学器件包括:慢轴透镜集合,所述慢轴透镜集合具有彼此间隔开的至少第一柱状透镜和第二柱状透镜;和快轴透镜集合,所述快轴透镜集合具有彼此间隔开的至少第一柱状透镜和第二柱状透镜,所述快轴透镜集合设置在所述慢轴透镜集合的所述第一柱状透镜与所述第二柱状透镜之间;和均化器,所述均化器沿着所述光学路径设置在所述照明光学器件与所述基板支撑件之间,用于沿着所述慢轴均化激光辐射,所述均化器包括:第一透镜阵列,所述第一透镜阵列具有柱状透镜的小透镜阵列;和第二透镜阵列,所述第二透镜阵列具有柱状透镜的小透镜阵列,其中所述第二透镜阵列的小透镜阵列的至少两个相邻柱状透镜具有比所述第一透镜阵列的小透镜阵列的至少两个相邻柱状透镜的间距更大的间距。6.如权利要求5所述的设备,其中所述照明光学器件进一步包括:二向分光镜,所述二向分光镜设置在所述快轴透镜集合的下游且构造为将自加热基板反射的第二波长和第三波长的激光辐射重导引至高温计;和波片,所述波片设置在所述二向分光镜的下游以将激光辐射的线性偏振变换成为圆偏振。7.如权利...
【专利技术属性】
技术研发人员:道格拉斯·E·霍姆格伦,塞缪尔·C·豪厄尔斯,
申请(专利权)人:应用材料公司,
类型:发明
国别省市:美国,US
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