四周发光的贴片式LED及背光模组制造技术

一种四周发光的贴片式LED及背光模组，该LED包括：包括：陶瓷基板，与该陶瓷基板电性连接的芯片；用硅胶铸模方式形成的将该芯片包覆其中的一次透镜，设置在该一次透镜的顶侧的遮光件，以及设置在该芯片的面向该陶瓷基板的一侧的反光件；其中，该陶瓷基板和该遮光件的反射率在85％以上，该反光件的反射率在90％以上。本发明专利技术能够便利于小混光距离的背光模组的实现。

Patch type LED and backlight module with peripheral illumination

A four patch type LED backlight module and light, the LED comprises: a ceramic substrate and the ceramic substrate is electrically connected with the chip; silica gel mold formed by a lens of the chip coated the set shade top side of the first lens, and set in one side of the chip for the ceramic substrate of the reflector; wherein the ceramic substrate and the shade reflectivity in 85% above, the reflector reflectivity is above 90%. The invention can facilitate the realization of a backlight module with small light mixing distance.

【技术实现步骤摘要】
四周发光的贴片式LED及背光模组
本专利技术涉及背光模组，尤其涉及背光模组所用贴片式LED。
技术介绍
目前的直下式背光模组通常包括相对设置的反射片和扩散板以及设置在反射片与扩散板之间的若干贴片式LED。由于现有的贴片式LED的发光角度较小，LED为朗伯光源，会在扩散板上形成一个明显亮斑，必需增加二次透镜进行匀光。常见的二次光学透镜选用PMMA(PolymethylMethacrylate，聚甲基丙烯酸甲酯)材质，其直径约为15-20mm，高度为5mm左右。目前的透镜设计能力，H(混光距离)/P(LED间距)值约为0.25～0.4，小于0.25时需使用更大尺寸的反射式透镜。由于混光距离越小，设计难度越高，受限于二次透镜的直径及高度尺寸，目前难以实现混光距离在10mm以下的直下式背光模组。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题在于克服上述现有技术存在的不足，而提出一种四周发光的贴片式LED的封装结构，能够便利于小混光距离的背光模组的实现。本专利技术针对上述技术问题而提出的技术方案包括，提出一种四周发光的贴片式LED，包括：陶瓷基板，与该陶瓷基板电性连接的芯片；用硅胶铸模方式形成的将该芯片包覆其中的一次透镜，设置在该一次透镜的顶侧的遮光件，以及设置在该芯片的面向该陶瓷基板的一侧的反光件；其中，该陶瓷基板和该遮光件的反射率在85％以上，该反光件的反射率在90％以上。本专利技术针对上述技术问题而提出的技术方案还包括，提出一种背光模组，包括若干LED、反射片以及扩散板；其中，该LED为如上所述的四周发光的贴片式LED。与现有技术相比，本专利技术的四周发光的贴片式LED通过巧妙地用硅胶铸模方式形成将芯片包覆其中的一次透镜，并在该一次透镜的顶侧设置遮光件，在芯片的面向陶瓷基板一侧设置反光件，并使该陶瓷基板、该遮光件以及该反光件均具有超高的反射率，使得贴片式LED具有较大的光扩散范围，贴片式LED发出的光线在背光模组的内部可以充分混合，背光模组的H/P值可以优化到0.25以下，从而能够便利于小混光距离的背光模组的实现。附图说明图1是本专利技术的四周发光的贴片式LED一实施例的封装结构示意。图2是本专利技术的四周发光的贴片式LED另一实施例的封装结构示意。图3是本专利技术的背光模组中单个贴片式LED的光路示意。图4是本专利技术的背光模组中多个贴片式LED的光路示意。其中，附图标记说明如下：100、200贴片式LED101、201芯片102反光件103、203芯片正极104、204芯片负极105、205陶瓷基板106、206一次透镜107、207遮光件202、透明导电层208、反光件209、210导线300、400背光模组310、410贴片式LED330、430反射片350、450扩散板。具体实施方式以下结合附图，对本专利技术予以进一步地详尽阐述。参见图1，图1是本专利技术的四周发光的贴片式LED一实施例的封装结构示意。本专利技术提出一种四周发光的贴片式LED100，该贴片式LED100的封装结构包括：芯片101，反光件102，芯片正极103，芯片负极104，陶瓷基板105，一次透镜106以及遮光件107。其中，该陶瓷基板105、该遮光件107以及该反光件102均具有超高的反射率。举例而言，在一些实施例中，该陶瓷基板105、该遮光件107以及该反光件102的反射率均在95％以上。在另一些实施例中，该该陶瓷基板105和该遮光件107的反射率在85％以上，该反光件的反射率在90％以上。芯片101具体包括：蓝宝石衬底，N型GaN(氮化镓)层，MQW(多量子阱multiplequantumwells)层以及P型GaN层。其中，P型GaN层下方与芯片正极103之间设置有反光件102。值得一提的是，在本实施例中，反光件102选用欧姆接触材料，除了能够保证小的接触电阻之外，还具有超高的反射率，使得PN结产生的向下光线能够被反光件102反射回来。该贴片式LED100的封装过程大致包括：首先，将倒装芯片101的正、负极(即芯片正极103，芯片负极104)直接焊接到陶瓷基板105上；然后，在模具内注入硅胶，并在硅胶的顶侧设置遮光件107。其中，硅胶固化后形成一次透镜106。在本实施例中，该遮光件107选用二氧化钛(TiO2)白色遮光墙。由于陶瓷基板105和该遮光件107均具有超高的反射率，倒装芯片101发出的光线能够从该贴片式LED100的四周出射。参见图2，图2是本专利技术的四周发光的贴片式LED另一实施例的封装结构示意。本专利技术提出一种四周发光的贴片式LED200，该贴片式LED200的封装结构包括：芯片201，透明导电层202，芯片正极203，芯片负极204，陶瓷基板205，一次透镜206，遮光件207，反光件208以及导线209、210。其中，该陶瓷基板205、该遮光件207以及该反光件208均具有超高的反射率。区别于前述贴片式LED100的倒装方式，该贴片式LED200采用的是正装方式。芯片201具体包括：蓝宝石(三氧化二铝)衬底，N型GaN层，MQW层以及P型GaN层。其中，P型GaN层上方与芯片正极203之间设置有透明导电层202。该透明导电层202除了具有良好的导电性能外，还具有超高的透射率，使得PN结产生的向上光线能够从芯片201透射出去。举例而言，在一些实施例中，透明导电层202的透射率在95％以上；在另一些实施例中，透明导电层202的透射率在90％以上。该芯片201的蓝宝石衬底下方设置反光件208。在本实施例中，该反光件208选用二氧化钛白色遮光墙或者分布布拉格反射镜(DBR，DistributedBragReflector)，对PN结产生的向下光线进行反射。芯片201的正、负极(即芯片正极203，芯片负极204)通过导线(金线)209、210连接到陶瓷基板205上。类似地，硅胶通过铸模(molding)的方式形成一次透镜206，硅胶上部设置有遮光件207，该遮光件207选用二氧化钛材质白色遮光墙。同样的，由于该该反光件208和该遮光件207具有超高的反射率，正装芯片201发出的光线能够从该贴片式LED200的四周出射。值得一提的是，无论是在倒装的贴片式LED100中，还是在正装的贴片式LED200中，通过铸模方式形成的一次透镜106、206的形状可以为圆柱型或者正方体。一次透镜106、206顶层的遮光件107、207的尺寸可依据芯片101、201的配光曲线进行调整。另外，在用于形成一次透镜106、206的硅胶中，既可以通过混合不同的荧光粉，以制作出不同色域范围的白光LED；也可以不添加荧光粉，直接制作出蓝光LED。举例而言，在背光模组中采用的LED芯片多为蓝色，蓝色芯片可以激发YAG或YR粉，形成白光LED。这种背光模组应用于液晶显示，可以形成普通色域的显示屏，NTSC1931标准下色域约为72％。另外，蓝光芯片可以激发绿色氮化物荧光粉和红色KSiF，NTSC1931标准下色域约为90％。另外，将不添加荧光粉的蓝色四周发光LED，与量子点技术相结合，NTSC1931标准下色域约为110％。参见图3，图3是本专利技术的背光模组中单个贴片式LED的光路示意。本专利技术提出一种背光模组300，其大致包括一个前述的贴片式LED310，一反射片330和一扩散板350。其中，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种四周发光的贴片式LED，其特征在于，包括：陶瓷基板，与该陶瓷基板电性连接的芯片；用硅胶铸模方式形成的将该芯片包覆其中的一次透镜，设置在该一次透镜的顶侧的遮光件，以及设置在该芯片的面向该陶瓷基板的一侧的反光件；其中，该陶瓷基板和该遮光件的反射率在85％以上，该反光件的反射率在90％以上。

【技术特征摘要】
1.一种四周发光的贴片式LED，其特征在于，包括：陶瓷基板，与该陶瓷基板电性连接的芯片；用硅胶铸模方式形成的将该芯片包覆其中的一次透镜，设置在该一次透镜的顶侧的遮光件，以及设置在该芯片的面向该陶瓷基板的一侧的反光件；其中，该陶瓷基板和该遮光件的反射率在85％以上，该反光件的反射率在90％以上。2.依据权利要求1所述的四周发光的贴片式LED，其特征在于，该芯片为倒装芯片，该反光件是欧姆接触材料的，设置在该芯片与芯片正极之间。3.依据权利要求2所述的四周发光的贴片式LED，其特征在于，该倒装芯片的正、负极直接焊接在该陶瓷基板上。4.依据权利要求2所述的四周发光的贴片式LED，其特征在于，该芯片为正装芯片，该反光件设置在该芯片与该陶瓷基板之间。5.依据权利要求4所述的四周发光的贴片式LED，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹晓梅，高上，邱婧雯，杨洲，
申请(专利权)人：青岛海信电器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：山东,37