【技术实现步骤摘要】
低成本IGBT驱动电路
本技术应用于电力电子产品制造领域,特别是一种低成本IGBT驱动电路。
技术介绍
绝缘栅双极晶体管IGBT是第三代电力电子器件,安全工作,它集功率晶体管GTR和功率场效应管MOSFET的优点于一身,具有易于驱动、峰值电流容量大、自关断、开关频率高(10-40kHz)的特点,是目前发展最为迅速的新一代电力电子器件,广泛应用于变频电源、电机调速、UPS、光伏、风力发电、逆变焊机等变流器装置当中,在这些装置中,一般由IGBT组成功率单元,而驱动电路是连接控制电路和功率单元的桥梁,它将装置中的控制电路产生的数字PWM信号进行隔离传输、电平转换和功率放大,实现控制电路对功率单元的开通和关断动作的控制,从而实现装置的功率变换功能。高性能的驱动电路虽然具有更全面的保护功能,但也存在以下问题:1、成本比较高;2、电路板设计比较复杂,进而增加故障点;3、设计中对电路板的层数和工艺要求较高。
技术实现思路
为解决上述问题,本技术提出了一种兼顾稳定性的同时,结构简洁,对设计工作要求低的低成本IGBT驱动电路。本技术所设计的一种低成本IGBT驱动电路,包括光耦合器U1、施密特触发器U2和反相器U3,其中:光耦合器U1的2脚通过电阻R3连接5V公共电源VEE,光耦合器U1的2脚依次通过三极管Q1的3脚-2脚、电阻R2和反向连接的二极管D1连接5V公共电源VEE,光耦合器U1的2脚和3脚之间并联有电容C2和电阻R4,光耦合器U1的脚3依次通过R5和反相器U3的2脚-1脚连接驱动信号Q2;光耦合器U1的脚8连接15V电源,且光耦合器U1的脚8还通过电容C1连接光耦合器U1 ...
【技术保护点】
一种低成本IGBT驱动电路,包括光耦合器U1、施密特触发器U2和反相器U3,其特征是:光耦合器U1的2脚通过电阻R3连接5V公共电源VEE,光耦合器U1的2脚依次通过三极管Q1的3脚‑2脚、电阻R2和反向连接的二极管D1连接5V公共电源VEE,光耦合器U1的2脚和3脚之间并联有电容C2和电阻R4,光耦合器U1的脚3依次通过R5和反相器U3的2脚‑1脚连接驱动信号Q2;光耦合器U1的脚8连接15V电源,且光耦合器U1的脚8还通过电容C1连接光耦合器U1的脚5;光耦合器U1的脚5连接GND;光耦合器U1的脚6和脚7连接,且光耦合器U1的脚7通过电阻R6连接施密特触发器U2的脚1;施密特触发器U2的脚1通过电容C3接地;施密特触发器U2的脚2和脚3连接;施密特触发器U2的脚4依次通过电阻R7和电阻R8连接GND,且在电阻R7和R8之间设置有测试点TP1;施密特触发器U2的脚7直接连接GND;施密特触发器U2的脚14直接连接15V电源;三极管Q1的1脚通过电阻R1与三极管Q1的2脚连接,三极管Q1的1脚直接与5V电源连接。
【技术特征摘要】
1.一种低成本IGBT驱动电路,包括光耦合器U1、施密特触发器U2和反相器U3,其特征是:光耦合器U1的2脚通过电阻R3连接5V公共电源VEE,光耦合器U1的2脚依次通过三极管Q1的3脚-2脚、电阻R2和反向连接的二极管D1连接5V公共电源VEE,光耦合器U1的2脚和3脚之间并联有电容C2和电阻R4,光耦合器U1的脚3依次通过R5和反相器U3的2脚-1脚连接驱动信号Q2;光耦合器U1的脚8连接15V电源,且光耦合器U1的脚8还通过电容C1连接光耦合器U1的脚5;光耦合器U1的脚5连接GND;光耦合器U1的脚6和脚7连接,且光耦合器U1的脚7通过电阻R6连接施密特触发器U2的脚1;施密特触发器U2的脚1通过电容C3接地;施密特触发器U2的脚2和脚3连接;施密特触发器U2的脚4依次通过电阻R7和电阻R8连接GND...
【专利技术属性】
技术研发人员:王亚晶,肖华,杨绍允,胡淑芬,
申请(专利权)人:杭州易和网络有限公司,
类型:新型
国别省市:浙江,33
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