【技术实现步骤摘要】
一种基于Si/TiOx异质结的双面晶体硅太阳电池
本技术属于太阳电池领域,也属于半导体器件领域,涉及硅太阳电池的结构。
技术介绍
晶体硅太阳电池是一类重要的太阳电池,其产量占据了当前太阳电池总产量的大部分份额。随着工艺的进步,目前基于扩散工艺制备的同质结晶体硅太阳电池其光电转换效率逐渐逼近极限。而异质结太阳电池可以充分利用两种不同半导体之间功函数和能带位置的差异,可以在不增加太阳电池内部载流子复合的前提下增强内建电场强度,从而提高太阳电池的光电转换效率。因此,基于异质结的晶体硅太阳电池有望在效率上超越同质结晶体硅电池而成为未来太阳电池的主流。目前比较成熟的晶体硅异质结太阳电池是基于非晶硅/晶体硅异质结的HIT电池(典型结构为ITO/α-Si(p)/α-Si(i)/c-Si/α-Si(i)/α-Si(n)/ITO)。然而,HIT电池的生产工艺和设备与传统硅太阳电池的生产工艺和设备存在较大差异。若从传统晶体硅太阳电池转向HIT太阳电池的生产,当前的生产设备就会被浪费。另外,由于HIT太阳电池生产中需要昂贵的真空设备,同等规模生产线的投资是传统晶体硅太阳电池生产线的数倍。这些在一定程度上阻碍了HIT太阳电池的发展。实际上,除非晶硅外,还存在其它能有效钝化硅表面并与硅形成优质异质结的材料。另外,晶体硅异质结太阳电池的结构也不仅局限于HIT太阳电池的结构。若能选择合适的材料和器件结构,并使其能适用(或部分适用)于传统的同质结晶体硅太阳电池生产设备,则即能提高晶体硅太阳电池的光电转换效率,又避免对生产设备的重复投资。这对晶体硅太阳电池的生产具有较大的实际意义。
技术实现思路
...
【技术保护点】
一种基于Si/TiO
【技术特征摘要】
1.一种基于Si/TiOx异质结的双面晶体硅太阳电池,其特征是包括前电极、TiOx层、晶体硅吸收层、p型晶体硅重掺杂层、钝化层、金属栅状电极;其结构从迎光面开始依次为:前电极、TiOx层、晶体硅吸收层、p型晶体硅重掺杂层、钝化层、金属栅状电极。2.根据权利要求1所述的双面晶体硅太阳电池,其特征是所述的TiOx层为n型掺杂。3.根据权利要求1所述的双面晶体硅太阳电池,其特征是所述的晶体硅吸收层为n型或p型掺杂。4.根据权利要求1所述的双面晶体硅太阳电池,其特征是所...
【专利技术属性】
技术研发人员:高超,黄海宾,周浪,岳之浩,
申请(专利权)人:南昌大学,
类型:新型
国别省市:江西,36
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