一种引线框架结构及半导体器件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种引线框架结构及半导体器件。引线框架结构包括基岛和环绕所述基岛设置的引脚，所述引脚包括与所述基岛间隔设置的第一引脚，所述第一引脚的侧面上靠近所述基岛的区域设置有凸出于所述侧面的凸起。凸起可以增加引脚和塑封胶体之间的结合力，避免引脚被拉动，从而避免焊线断裂，提高了引线框架在切筋成形后的良品率，且结构简单，成本低。

【技术实现步骤摘要】
一种引线框架结构及半导体器件
本技术涉及半导体器件的
，尤其涉及一种引线框架结构及半导体器件。
技术介绍
现有的引线框架如图1所示，包括基岛1′，基岛1′外环绕有引脚和连接脚(后续会被切除)，引脚包括与基岛1′间隔设置(即未与基岛1′直接连接)的第一引脚2′和与基岛直接连接的第二引脚，引线框架在与芯片焊接后会进行塑封处理，塑封后如图2所示，在将塑封后的引线框架切筋(即将连接脚切除)和成形(将引脚折弯呈类似于S形)时，如图3和图4所示，第一引脚2′在成形时会被拉动，从图3中2′被拉动到2a′的位置，使得铜2b′外露、塑封内部的焊线(连接于芯片和引脚之间的导线)也因此断裂，导致塑封后的引线框架报废。
技术实现思路
本技术的第一目的在于提出一种引线框架结构，利用凸起增加引脚和塑封胶体之间的结合力，避免引脚被拉动，从而避免焊线断裂。为达此目的，本技术采用以下技术方案：一种引线框架结构，包括基岛和环绕所述基岛设置的引脚，所述引脚包括与所述基岛间隔设置的第一引脚，所述第一引脚的侧面上靠近所述基岛的区域设置有凸出于所述侧面的凸起。其中，所述凸起通过冲压或蚀刻形成。其中，所述凸起凸出于侧面的高度为0.05mm-0.15mm。其中，所述凸起凸出于侧面的高度为0.075mm。其中，所述凸起为尖端形。其中，所述凸起位于所述侧面的边缘处。其中，所述第一引脚靠近基岛的一端沿所述基岛的外围间隔设置，且向远离所述基岛的一侧倾斜，并形成倾斜面，所述凸起位于所述倾斜面与所述侧面的交接处。其中，所述第一引脚的数目为多个，多个第一引脚环绕所述基岛设置，每个所述第一引脚上均设置有所述凸起。本技术的第二目的在于提出一种半导体器件，利用凸起增加引脚和塑封胶体之间的结合力，避免引脚被拉动，从而避免焊线断裂。为达此目的，本技术采用以下技术方案：一种半导体器件，其特征在于，包括上述的引线框架结构。有益效果：本技术提供了一种引线框架结构及半导体器件。引线框架结构包括基岛和环绕所述基岛设置的引脚，所述引脚包括与所述基岛间隔设置的第一引脚，所述第一引脚的侧面上靠近所述基岛的区域设置有凸出于所述侧面的凸起。凸起可以增加引脚和塑封胶体之间的结合力，避免引脚被拉动，从而避免焊线断裂，提高了引线框架在切筋成形后的良品率，且结构简单，成本低。附图说明图1是现有技术的引线框架的主视图。图2是现有技术的引线框架的进行塑封后的主视图。图3是现有技术的塑封后的引线框架的切筋成形后的主视图。图4是现有技术的塑封后的引线框架的切筋成形后的侧图。图5是本技术的引线框架的主视图。图6是图5的A处的局部放大图。图7是本技术的引线框架的进行塑封后的主视图。图8是本技术的塑封后的引线框架的切筋成形后的主视图。其中：1-基岛，2-第一引脚，21-凸起，1′-基岛，2′-第一引脚，2a′-变形后的第一引脚，2b′-铜。具体实施方式为使本技术解决的技术问题、采用的技术方案和达到的技术效果更加清楚，下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本技术的技术方案。实施例1本实施例提供了一种引线框架结构，如图5和图6所示，包括基岛1和环绕基岛1设置的引脚，引脚包括与基岛1间隔设置的第一引脚2，第一引脚2的侧面上靠近基岛1的区域设置有凸出于侧面的凸起21。引脚也包括了直接与基岛1连接的第二引脚，第二引脚由于直接与基岛1连接，在折弯时受到基岛1的拉力，不会被拉动。第一引脚2通过在侧面(侧面是指第一引脚2延伸的两侧的面)设置凸起21，第一引脚2的侧面不再是光面，可以增加第一引脚2和塑封胶体之间的结合力，避免第一引脚2被拉动，从而避免焊线断裂，提高了引线框架在切筋成形后的良品率，且结构简单，成本低。本实施例的引线框架在塑封后如图7所示，在经过切筋和折弯后，如图8所示，第一引脚2仍然保持在原位置，不会被拉动。凸起21可以通过冲压形成，即在冲压形成第一引脚2时，在此处加大冲压模之间的间隙，故意形成毛刺结构，形成凸起21，此种方式不需要增加额外工序，简单可靠。凸起21也可以由蚀刻形成，此种方式可以不改变现有的冲压模具，重新经过蚀刻形成凸起21。凸起21还可以不拘于上述的形成方式，只要能形成从侧面凸出的凸起21即可，均可以避免第一引脚21被拉动。凸起21凸出于侧面的高度最低不能低于0.05mm，否则不能拉住第一引脚，导致第一引脚由于与塑封胶体之间结合力偏低而被拉动；由于第一引脚2与基岛1之间的间隔不太大，因此，为了避免芯片短路，凸起21的高度凸起21凸出的高度不宜超过0.15mm，凸起21凸出于侧面的高度在0.075mm比较适宜，可以兼顾第一引脚2与塑封胶体的结合力和间隙。本实施例的凸起21为尖端形，此种结构易于成型，其他形状也可以，此处不对其作限制。本实施例的凸起21设置于侧面的边缘处，由于第一引脚2折弯时比较靠近塑封胶体的边缘，而为了塑封后的尺寸尽可能小，塑封胶体本身的边缘也已经非常贴近引脚的端部，因此，可以将凸起21设置于侧面的边缘处，从而保证凸起21位于塑封胶体内，且在前端拉住第一引脚2，避免第一引脚2被拉动。具体而言，第一引脚2靠近基岛1的一端沿基岛1的外围间隔设置，且向远离基岛1的一侧倾斜，并形成倾斜面，凸起21位于倾斜面与侧面的交接处，避免第一引脚2被拉动。由于第一引脚21的端部向远离基岛1的一侧偏离，因此，第一引脚2在远离基岛1的一侧本身已经形成了凸出于侧面的结构，可以增强与塑封胶体之间的结合力，只需要在第一引脚2靠近基岛1的侧面与倾斜面的交接处设置凸起21即可。本实施例的第一引脚2的数目为多个，多个第一引脚2环绕基岛1设置，每个第一引脚2上均设置有凸起21，保证每个第一引脚2均不被拉动。实施例2本实施例提供了一种半导体器件，包括实施例1的引线框架结构。第一引脚2通过在侧面(侧面是指第一引脚2延伸的两侧的面)设置凸起21，第一引脚2的侧面不再是光面，可以增加第一引脚2和塑封胶体之间的结合力，避免第一引脚2被拉动，从而避免焊线断裂，提高了引线框架在切筋成形后的良品率，且结构简单，成本低。以上内容仅为本技术的较佳实施例，对于本领域的普通技术人员，依据本技术的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，本说明书内容不应理解为对本技术的限制。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种引线框架结构，其特征在于，包括基岛(1)和环绕所述基岛(1)设置的引脚，所述引脚包括与所述基岛(1)间隔设置的第一引脚(2)，所述第一引脚(2)的侧面上靠近所述基岛(1)的区域设置有凸出于所述侧面的凸起(21)。

【技术特征摘要】
1.一种引线框架结构，其特征在于，包括基岛(1)和环绕所述基岛(1)设置的引脚，所述引脚包括与所述基岛(1)间隔设置的第一引脚(2)，所述第一引脚(2)的侧面上靠近所述基岛(1)的区域设置有凸出于所述侧面的凸起(21)。2.如权利要求1所述的引线框架结构，其特征在于，所述凸起(21)通过冲压或蚀刻形成。3.如权利要求1所述的引线框架结构，其特征在于，所述凸起(21)凸出于侧面的高度为0.05mm-0.15mm。4.如权利要求3所述的引线框架结构，其特征在于，所述凸起(21)凸出于侧面的高度为0.075mm。5.如权利要求1-4任一项所述的引线框架结构，其特征在于，所述凸起...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹周，
申请(专利权)人：杰群电子科技东莞有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44