一种诱导神经嵴干细胞向色素细胞分化的方法技术

本发明专利技术公开了一种诱导神经嵴干细胞向色素细胞分化的方法。采用热处理钛酸锶{110}晶面单晶，产生具有特定功函数性质的表面，继而在其上培养神经嵴干细胞，利用常规的DMEM基础培养基培养28天即可获得成熟分化的色素细胞。本发明专利技术提供的利用材料表面功函数性质的诱导干细胞定向分化的方法不仅操作简单方便，成本极低，可以显著提高神经嵴干细胞向色素细胞方向的分化比例，而且可避免动物血清及生化试剂应用的风险和免疫原性，适用在治疗白化病等皮肤色素异常等领域。

【技术实现步骤摘要】
一种诱导神经嵴干细胞向色素细胞分化的方法
本专利技术涉及一种诱导神经嵴干细胞向色素细胞分化的方法。
技术介绍
干细胞定向分化调控是干细胞研究关注的重点课题之一。除了基因转录因子、细胞生长因子以及化学诱导剂等生物化学方法之外，人们发现材料表面性质对体外介导干细胞定向分化具有决定性的作用，因此，利用材料表面特性调控介导干细胞分化行为逐渐成为研究的新热点。神经嵴干细胞可分化为色素细胞、神经元细胞、星形胶质细胞、少突胶质细胞和牙本质细胞等。介导神经嵴干细胞定向分化为色素细胞，是利用干细胞疗法治疗白化病等皮肤色素异常疾病的重要基础。专利申请CN201380080663.2,CN201380080656.2,CN201010163969.4均采用添加生化试剂或生物因子对干细胞进行定向分化。但是，这些方法不仅成本较高，且引入的动物血清及生化试剂可能产生免疫原性等风险。GiordanoW.Calloni(DOI:10.1073/pnas.0903780106)同样研究发现利用生化试剂可促进神经嵴干细胞向色素细胞分化。这些方法操作较为复杂，且色素细胞分化比例不高。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种诱导神经嵴干细胞向色素细胞分化的方法。本专利技术的诱导神经嵴干细胞向色素细胞分化的方法是通过将清洗干净的钛酸锶{110}晶面单晶片经黑暗处理后利用高温煅烧钛酸锶{110}晶面单晶表面原位形成特定功函数表面，所利用的煅烧温度为500℃，煅烧时间为30～40min。本专利技术的钛酸锶{110}晶面单晶表面原位形成特定功函数表面(功函数＝4.5eV～4.7eV)。本专利技术方法的获得基于分子动力学模拟以及生物化学实验结果分析得到，特定干细胞分化方向的确定由材料表面蛋白质分子的构型决定，而蛋白质分子构型又可有材料表面特定功函数性质调控。而神经嵴干细胞向色素细胞方向的分化对于功函数＝4.5eV～4.7eV的材料表面尤其敏感。本专利技术的诱导神经嵴干细胞向色素细胞分化的方法。所采用神经嵴干细胞来源为小鼠胎鼠头部第4-6体节的颅神经管。采用热处理煅烧钛酸锶{110}晶面单晶，产生具有特定功函数性质的表面，继而在其上培养神经嵴干细胞，利用常规的DMEM基础培养基培养28天可获得成熟分化的色素细胞。所产生的特定功函数性质表面通过原子力显微镜表征测定。所获得的色素细胞比例通过流式细胞鉴定确定。所提供的利用材料表面功函数性质的诱导干细胞定向分化的方法不仅操作简单方便，成本极低，而且可以显著提高神经嵴干细胞向色素细胞方向的分化比例，而且可避免动物血清及生化试剂应用的风险和免疫原性，适用在治疗白化病等皮肤色素异常疾病等领域。具体实施方式实施例1将钛酸锶{110}晶面单晶片表面用去离子水在超声波中清洗干净；将清洗后的钛酸锶{110}晶面单晶片，置于马弗炉中煅烧，煅烧温度为500℃，煅烧时间30min；在钛酸锶{110}晶面单晶表面原位形成功函数为4.5eV；将神经嵴干细胞以5×104/cm2的密度均匀种在钛酸锶{110}晶面单晶片上，以常规的DMEM基础培养基进行培养，每隔两天换液一次；经28天的培养，经流式细胞鉴定获得成熟分化的色素细胞比例为84％。实施例2将钛酸锶{110}晶面单晶片表面用去离子水在超声波中清洗干净；将清洗后的钛酸锶{110}晶面单晶片，置于马弗炉中煅烧，煅烧温度为500℃，煅烧时间40min；在钛酸锶{110}晶面单晶表面原位形成功函数为4.7eV；将神经嵴干细胞以5×104/cm2的密度均匀种在钛酸锶{110}晶面单晶片上，以常规的DMEM基础培养基进行培养，每隔两天换液一次；经28天的培养，经流式细胞鉴定获得成熟分化的色素细胞比例为93％。本文档来自技高网...

【技术保护点】
诱导神经嵴干细胞向色素细胞分化的方法，其特征在于，包括以下步骤：1)将钛酸锶{110}晶面单晶片表面用去离子水在超声波中清洗干净，置于黑暗环境24h；2)将经步骤1)处理的钛酸锶{110}晶面单晶片置于马弗炉中煅烧，500℃中加热30～40min，在钛酸锶{110}晶面单晶片表面原位形成特定功函数表面，使功函数＝4.5eV～4.7eV；3)将神经嵴干细胞以5×10

【技术特征摘要】
1.诱导神经嵴干细胞向色素细胞分化的方法，其特征在于，包括以下步骤：1)将钛酸锶{110}晶面单晶片表面用去离子水在超声波中清洗干净，置于黑暗环境24h；2)将经步骤1)处理的钛酸锶{110}晶面单晶片置于马弗炉中煅烧，500℃中加热30～40min，在钛酸锶{110}晶面单晶片表面...

【专利技术属性】
技术研发人员：周婧，
申请(专利权)人：周婧，
类型：发明
国别省市：浙江,33