一种NGFF母座制造技术

本实用新型专利技术公开了一种NGFF母座，包括绝缘本体以及固持在所述绝缘本体内部的上排端子和下排端子，所述绝缘本体底部两端设置有卡钩，所述卡钩包括V形的本体以及设置在本体一侧的延长板，所述V形的本体设置于绝缘本体内部，延长板延伸至绝缘本体外部，在增加插拔力的同时提供了更好的抓板力。另外，该NGFF母座0.5mmpitch，67pin厚度仅为2.3mm，同时支持PCI Express 3.0，USB3.0和SATA 3.0当前主流的标准，支持更高的速率，相对现有的NGFF母座，节约了20％的PCB空间，实现了高速高频，体积小的需求。

【技术实现步骤摘要】
一种NGFF母座
本技术属于电路板电性连接
，具体涉及一种NGFF母座。
技术介绍
目前由于全球现代化办公需求在不断的扩增，并且消费者对工作效率及便携性的要求特别高，旧一代接口已经满足不了高速高频，体积小的要求。而NGFF接口则具备这些功能，因其抗震性极佳，同时工作温度很宽，扩展温度的电子硬盘可工作在-45℃～85℃。然而，现有的NGFF母座体积都比较大且速度慢，同时插拔力和抓板力都比较差。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种NGFF母座，解决了现有NGFF母座接口体积大且速度慢的问题。本技术所采用的技术方案是，一种NGFF母座：包括绝缘本体以及固持在所述绝缘本体内部的上排端子和下排端子，所述绝缘本体底部两端设置有卡钩。本技术的特点还在于，所述上排端子和下排端子延伸到所述绝缘本体外。所述绝缘本体的表面为镂空结构。所述卡钩包括V形的本体以及设置在本体一侧的延长板，所述V形的本体设置于绝缘本体内部，延长板延伸至绝缘本体外部，用于增加插拔力和抓板力。本技术的有益效果是，本技术一种NGFF母座，0.5mmpitch，67pin厚度仅为2.3mm，同时支持PCIExpress3.0，USB3.0和SATA3.0当前主流的标准，支持更高的速率，相对现有的NGFF母座，节约了20％的PCB空间，实现了高速高频，体积小的需求。附图说明图1是本技术实施例提供一种NGFF母座的主视图；图2是本技术实施例提供一种NGFF母座的俯视图；图3是本技术实施例提供一种NGFF母座的爆炸图；图4是本技术实施例提供一种NGFF母座中卡钩的结构示意图。图中，1.绝缘本体，2.上排端子，3.下排端子，4.卡钩。具体实施方式为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。本技术实施例提供一种NGFF母座，如图1-3所示，包括绝缘本体1以及固持在所述绝缘本体1内部的上排端子2和下排端子3，所述绝缘本体1底部两端设置有卡钩4，所述上排端子2和下排端子3延伸到所述绝缘本体1外；所述绝缘本体1的表面为镂空结构，如图4所示，所述卡钩4包括V形的本体以及设置在本体一侧的延长板，所述V形的本体设置于绝缘本体1内部，延长板延伸至绝缘本体1外部，用于增加插拔力和抓板力。NGFF接口有两种类型：Socket2和Socket3，其中Socket2支持SATA、PCI-EX2接口，而如果采用PCI-E×2接口标准，最大的读取速度可以达到700MB/s，写入也能达到550MB/s。而其中的Socket3可支持PCI-E×4接口，理论带宽可达4GB/s。本项目中的就是Socket3类型的。本技术实施例的一种NGFF母座，0.5mmpitch，67pin厚度仅为2.3mm，同时支持PCIExpress3.0，USB3.0和SATA3.0当前主流的标准，支持更高的速率，相对现有的NGFF母座，节约了20％的PCB空间，实现了高速高频，体积小的需求。以上所述，仅为本技术的较佳实施例而已，并非用于限定本技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种NGFF母座，其特征在于，包括绝缘本体(1)以及固持在所述绝缘本体(1)内部的上排端子(2)和下排端子(3)，所述绝缘本体(1)底部两端设置有卡钩(4)。

【技术特征摘要】
1.一种NGFF母座，其特征在于，包括绝缘本体(1)以及固持在所述绝缘本体(1)内部的上排端子(2)和下排端子(3)，所述绝缘本体(1)底部两端设置有卡钩(4)。2.根据权利要求1所述的一种NGFF母座，其特征在于，所述上排端子(2)和下排端子(3)延伸到所述绝缘本体(1)外。3.根据权利要求2任一项所述的一种NGFF母...

【专利技术属性】
技术研发人员：周代兵，
申请(专利权)人：仕昌电子深圳有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44