一种硅基薄膜太阳能电池的背电极结构制造技术

一种硅基薄膜太阳能电池的背电极结构，包括玻璃衬底、设于所述玻璃衬底上的TCO膜层和设于所述TCO膜层上的Si基光电转换层，还包括设于所述Si基光电转换层上ITO层、设于所述ITO层上的Ag金属层和设于所述Ag金属层上的AZO层。本实用新型专利技术结构简单、使用方便，既保证了较好的导电性，又具有较优良的透光性，对光能的利用率高。

【技术实现步骤摘要】
一种硅基薄膜太阳能电池的背电极结构
本技术涉及太阳能电池
，具体是一种硅基薄膜太阳能电池的背电极结构。
技术介绍
非晶硅太阳能电池背电极结构主要作用是将入射光进行反射，在P-I-N光电转换层形成反射，增强光电转换层对光能量的吸收，增加电池转换效率，但现有的一些背电极结构存在缺陷，光电转换效率不能确保，而在应用于建筑时出现透光率低甚至无法正常透光的问题。
技术实现思路
本技术的技术目的在于提供一种硅基薄膜太阳能电池的背电极结构，解决传统太阳能电池背电极结构透光性能差的问题。本技术的具体技术方案如下：一种硅基薄膜太阳能电池的背电极结构，包括玻璃衬底、设于所述玻璃衬底上的TCO膜层和设于所述TCO膜层上的Si基光电转换层，还包括设于所述Si基光电转换层上ITO层、设于所述ITO层上的Ag金属层和设于所述Ag金属层上的AZO层。作为优选，所述ITO层的厚度为70~90nm。作为优选，所述Ag金属层的厚度为2~4nm。作为优选，所述AZO层的厚度为140~160nm。作为优选，所述Si基光电转换层包括依次设置的第一P-I-N层、第二P-I-N层和第三P-I-N层，所述第一P-I-N层与所述TCO膜层相连接，所述第三P-I-N层与所述ITO层相连接。作为优选，所述第一P-I-N层、所述第二P-I-N层及所述第三P-I-N层各自的光学带隙依次减小。作为优选，所述ITO层和所述AZO层之间还设有与所述Ag金属层连接的Al金属层。作为优选，所述Ag金属层及所述Al金属层设有多层，所述Ag金属层与所述Al金属层交替设置。作为优选，所述TCO膜层为绒面膜层。作为优选，所述Si基光电转换层为绒面层。本技术的技术优点在于所述硅基薄膜太阳能电池的背电极结构构造简单、使用方便，既保证了较好的导电性，又具有较优良的透光性，对光能的利用率高。附图说明图1为本技术实施例的结构示意图；图2为本技术实施例的又一结构示意图；图3位本技术实施例的又一结构示意图；图中编号对应的各部位名称分别为：1-玻璃衬底，2-TCO膜层，3-Si基光电转换层，31-第一P-I-N层，32-第二P-I-N层，33-第三P-I-N层，4-ITO层，5-Ag金属层，6-AZO层，7-Al金属层。具体实施方式下面将结合附图，通过具体实施例对本技术作进一步说明：见图1，一种硅基薄膜太阳能电池的背电极结构，包括玻璃衬底1、设于玻璃衬底1上的TCO膜层2和设于TCO膜层2上的Si基光电转换层3，还包括设于Si基光电转换层3上ITO层4、设于ITO层4上的Ag金属层5和设于Ag金属层5上的AZO层6。ITO层将透过Si基光电转换层3的光反射回Si基光电转换层进行再吸收，增加电池的转换效率，其次在Si基光电转换层和AZO之间形成欧姆接触，同时阻止Ag金属层中的银离子向Si基光电转换层扩散；Ag层主要作用为保证背电极具有较好的导电性，提高电池的短路电流密度；AZO层能为背电极提供较好的导电性，同时有效保护Ag金属层。ITO层4的厚度为70~90nm。Ag金属层5的厚度为2~4nm。AZO层6的厚度为140~160nm。经申请人试验，在ITO层4选择80nm、Ag金属层5选择3nm、AZO层6选择150nm的组合配装下，能够使方阻为6.82Ω/口，透光率均值在61.2%左右，既满足较好的导电性，又能保持较高的透光性。TCO膜层2为绒面膜层，Si基光电转换层3为绒面层。见图2，ITO层4和AZO层6之间还设有与Ag金属层5连接的Al金属层7。见图3，Ag金属层5及Al金属层7设有多层，Ag金属层5与Al金属层7交替设置。Si基光电转换层3包括依次设置的第一P-I-N层31、第二P-I-N层32和第三P-I-N层33，第一P-I-N层31与TCO膜层2相连接，第三P-I-N层33与ITO层4相连接。第一P-I-N层31、第二P-I-N层32及第三P-I-N层33各自的光学带隙依次减小。绒面设置、多层金属层设置及多层Si基光电转换层3设置减少了光的反射和透射损失，并增加了光的传播路程，从而增加了光的吸收，提高光电转换效率。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硅基薄膜太阳能电池的背电极结构，包括玻璃衬底（1）、设于所述玻璃衬底（1）上的TCO膜层（2）和设于所述TCO膜层（2）上的Si基光电转换层（3），其特征在于：还包括设于所述Si基光电转换层（3）上ITO层（4）、设于所述ITO层（4）上的Ag金属层（5）和设于所述Ag金属层（5）上的AZO层（6）；所述Si基光电转换层（3）包括依次设置的第一P‑I‑N层（31）、第二P‑I‑N层（32）和第三P‑I‑N层（33），所述第一P‑I‑N层（31）与所述TCO膜层（2）相连接，所述第三P‑I‑N层（33）与所述ITO层（4）相连接；所述ITO层（4）和所述AZO层（6）之间还设有与所述Ag金属层（5）连接的Al金属层（7）。

【技术特征摘要】
1.一种硅基薄膜太阳能电池的背电极结构，包括玻璃衬底（1）、设于所述玻璃衬底（1）上的TCO膜层（2）和设于所述TCO膜层（2）上的Si基光电转换层（3），其特征在于：还包括设于所述Si基光电转换层（3）上ITO层（4）、设于所述ITO层（4）上的Ag金属层（5）和设于所述Ag金属层（5）上的AZO层（6）；所述Si基光电转换层（3）包括依次设置的第一P-I-N层（31）、第二P-I-N层（32）和第三P-I-N层（33），所述第一P-I-N层（31）与所述TCO膜层（2）相连接，所述第三P-I-N层（33）与所述ITO层（4）相连接；所述ITO层（4）和所述AZO层（6）之间还设有与所述Ag金属层（5）连接的Al金属层（7）。2.根据权利要求1所述的一种硅基薄膜太阳能电池的背电极结构，其特征在于：所述ITO层（4）的厚度为70~90nm。3.根据权利要求1所述的一...

【专利技术属性】
技术研发人员：霍元杰，王飞，
申请(专利权)人：浙江长兴汉能薄膜太阳能有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江,33