半导体装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供一种半导体装置，其包括：衬底，其具有顶部衬底表面、底部衬底表面，及在顶部衬底表面与底部衬底表面之间延伸的横向衬底表面；半导体裸片，其具有顶部裸片表面、底部裸片表面，及在顶部裸片表面与底部裸片表面之间延伸的横向裸片侧表面，其中底部裸片表面耦合到顶部衬底表面；金属柱，其具有顶部柱表面、底部柱表面，及在顶部柱表面与底部柱表面之间延伸的横向柱表面，其中底部柱表面是用粘着构件耦合到顶部衬底表面，且定位在由半导体裸片覆盖的顶部衬底表面的区域外部；及封装材料，其封装横向裸片侧表面的至少一部分及横向柱表面的至少一部分。本实用新型专利技术的各种态样提供一种具有小尺寸及细节距的可堆叠半导体装置。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置
本技术是关于一种半导体装置。
技术介绍
目前的半导体装置及用于制造半导体装置的方法是不适当的，举例来说，引起过低的灵敏度、过多的成本、减低的可靠性，或过大的包装尺寸。通过比较常规及传统途径与如在本申请案的剩余部分中参考附图所阐述的本技术，此类途径的另外限制及缺点对于所属领域的技术人员来说将变得显而易见。
技术实现思路
本技术提供一种半导体装置。作为非限制性实例，本技术的各种态样提供一种具有小尺寸及细节距的可堆叠半导体装置。本技术的一实施例提供一种半导体装置，其包括：衬底，其具有顶部衬底表面、底部衬底表面，及在所述顶部衬底表面与所述底部衬底表面之间延伸的横向衬底表面；半导体裸片，其具有顶部裸片表面、底部裸片表面，及在所述顶部裸片表面与所述底部裸片表面之间延伸的横向裸片侧表面，其中所述底部裸片表面耦合到所述顶部衬底表面；金属柱，其具有顶部柱表面、底部柱表面，及在所述顶部柱表面与所述底部柱表面之间延伸的横向柱表面，其中所述底部柱表面是用粘着构件耦合到所述顶部衬底表面，且定位在由所述半导体裸片覆盖的所述顶部衬底表面的区域外部；及封装材料，其封装所述横向裸片侧表面的至少一部分及所述横向柱表面的至少一部分。在所述半导体装置中，所述粘着构件包括焊料。在所述半导体装置中，所述顶部柱表面与所述顶部裸片表面共面。在所述半导体装置中，所述顶部柱表面与所述封装材料的顶部表面共面。在所述半导体装置中，所述顶部柱表面与所述封装材料的顶部表面共面。所述半导体装置包括上部衬底，所述上部衬底具有顶部上部衬底表面、底部上部衬底表面，及在所述顶部上部衬底表面与所述底部上部衬底表面之间延伸的横向上部衬底表面。在所述半导体装置中，所述上部衬底包括与所述金属柱一体地形成的底部导电图案。在所述半导体装置中，所述金属柱镀覆在所述导电图案上。在所述半导体装置中，所述上部衬底包括顶部导电图案，所述顶部导电图案直接地定位在所述金属柱上方且与所述底部导电图案及所述金属柱一体地形成。在所述半导体装置中，所述横向裸片表面中的每一者与所述横向衬底表面中的相应横向衬底表面及所述横向上部衬底表面中的相应横向上部衬底表面共面。附图说明图1展示根据本技术的各种态样的半导体装置的横截面图；图2展示根据本技术的各种态样的半导体装置的横截面图；图3A到图3F展示说明根据本技术的各种态样的制造半导体装置的方法的视图；图4A到图4I展示说明根据本技术的各种态样的制造半导体装置的方法的视图；且图5A到图5F展示说明根据本技术的各种态样的制造半导体装置的方法的视图。具体实施方式以下论述通过提供本技术的实例来呈现本技术的各种态样。此类实例是非限制性的，且因此，本技术的各种态样的范围应未必受到所提供实例的任何特定特性限制。在以下论述中，短语“举例来说”、“例如”及“示范性”是非限制性的，且与“作为实例而非限制”、“举例来说而非限制”及其类似者大体上同义。如本文中所利用，“及/或”意指由“及/或”接合的列表中的项目中的任何一或多者。作为一实例，“x及/或y”意指三元素集合{(x),(y),(x,y)}中的任何元素。换句话说，“x及/或y”意指“x及y中的一或两者”。作为另一实例，“x、y及/或z”意指七元素集合{(x),(y),(z),(x,y),(x,z),(y,z),(x,y,z)}中的任何元素。换句话说，“x、y及/或z”意指“x、y及z中的一或多者”。本文中所使用的术语是仅出于描述特定实例的目的，且并不意欲限制本技术。如本文中所使用，单数形式也意欲包含复数形式，除非上下文另有清晰指示。将进一步理解，术语“包括”、“包含”、“具有”及其类似者在用于本说明书中时表示所陈述特征、整数、步骤、操作、元件及/或组件的存在，但并不排除一或多个其它特征、整数、步骤、操作、元件、组件及/或其群组的存在或添加。将理解，尽管术语第一、第二等等可在本文中用以描述各种元件，但这些元件不应受到这些术语限制。这些术语仅用以区分一个元件与另一元件。因此，举例来说，在不脱离本技术的教示的情况下，下文所论述的第一元件、第一组件或第一区段可被称为第二元件、第二组件或第二区段。相似地，诸如“上部”、“上方”、“下部”、“下方”、“侧”、“横向”、“水平”、“垂直”及其类似者的各种空间术语可用来以相对方式区分一个元件与另一元件。然而，应理解，在不脱离本技术的教示的情况下，组件可以不同方式而定向，举例来说，半导体装置可侧向地转动使得其“顶部”表面水平地面向且其“侧”表面垂直地面向。还将理解，术语耦合、连接、附接及其类似者包含直接及间接(例如，用介入元件)耦合、连接、附接等等，除非另有明确指示。举例来说，如果元件A耦合到元件B，那么元件A可通过中间信号分配结构而间接地耦合到元件B，元件A可直接地耦合到元件B(例如，直接地粘附到、直接地焊接到、通过直接金属到金属结合而附接)，等等。在附图中，可出于清晰起见而夸示结构、层、区域等等的尺寸(例如，绝对及/或相对尺寸)。虽然此类尺寸通常指示实例实施方案，但其并非限制性的。举例来说，如果将结构A说明为大于区域B，那么此通常指示实例实施方案，但通常并不要求结构A大于结构B，除非另有指示。另外，在附图中，类似参考数字可在整个论述中指代类似元件。本技术的各种态样提供一种半导体装置，其特征可为小占据面积、小厚度及细节距图案间距。举例来说，半导体装置可为可堆叠的。本技术的各种态样提供一种半导体装置，其包括衬底、耦合到衬底的一个表面的半导体裸片、耦合到衬底的表面的金属柱，及封装半导体裸片及金属柱且暴露金属柱的封装物。举例来说，金属柱可沿着封装物的孔垂直地形成。本技术的各种态样提供一种制造半导体装置的方法，所述方法包括：提供包含金属柱的载体衬底及环绕金属柱的绝缘构件；在绝缘构件表面上涂布及图案化光刻胶；对金属柱执行镀覆；将金属柱耦合到衬底；去除光刻胶及载体衬底；及形成封装金属柱的封装物。本技术的各种态样提供一种制造半导体装置的方法，所述方法包括：在载体衬底的表面上提供种子层及光刻胶；通过在光刻胶的图案中执行镀覆而形成金属柱；去除光刻胶；将金属柱耦合到衬底；形成封装金属柱的封装物；及去除载体衬底。举例来说，本技术的各种态样可提供一种半导体装置，其包括在衬底的顶部表面上具有细节距的金属柱，其中金属柱暴露到封装物外部，由此提供具有小尺寸及细节距图案间距的可堆叠半导体装置。举例来说，半导体装置还可包括耦合到金属柱的上部衬底。现在将参考附图来详细地描述本技术的各种态样，使得其可容易由所属领域的技术人员实践。图1展示根据本技术的各种态样的半导体装置的横截面图。举例来说，实例半导体装置100可包括衬底110、半导体裸片120、金属柱130、封装物140及导电球150。举例来说，衬底110可由一般印刷电路板(PCB)或引线框架形成。而且，衬底110可以半导体工艺而由基于硅的内建衬底形成。尽管未单独地展示，但举例来说，衬底110可包含一或多个导电层(例如，金属等等)，其电耦合形成在衬底的顶部及底部表面上的衬垫，从而提供上覆半导体裸片120或金属柱130以电连接到下伏导电球150。举例来说，衬底110的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于，其包括：衬底，其具有顶部衬底表面、底部衬底表面，及在所述顶部衬底表面与所述底部衬底表面之间延伸的横向衬底表面；半导体裸片，其具有顶部裸片表面、底部裸片表面，及在所述顶部裸片表面与所述底部裸片表面之间延伸的横向裸片侧表面，其中所述底部裸片表面耦合到所述顶部衬底表面；金属柱，其具有顶部柱表面、底部柱表面，及在所述顶部柱表面与所述底部柱表面之间延伸的横向柱表面，其中所述底部柱表面是用粘着构件耦合到所述顶部衬底表面，且定位在由所述半导体裸片覆盖的所述顶部衬底表面的区域外部；及封装材料，其封装所述横向裸片侧表面的至少一部分及所述横向柱表面的至少一部分。

【技术特征摘要】
2016.07.26 US 15/219,5111.一种半导体装置，其特征在于，其包括：衬底，其具有顶部衬底表面、底部衬底表面，及在所述顶部衬底表面与所述底部衬底表面之间延伸的横向衬底表面；半导体裸片，其具有顶部裸片表面、底部裸片表面，及在所述顶部裸片表面与所述底部裸片表面之间延伸的横向裸片侧表面，其中所述底部裸片表面耦合到所述顶部衬底表面；金属柱，其具有顶部柱表面、底部柱表面，及在所述顶部柱表面与所述底部柱表面之间延伸的横向柱表面，其中所述底部柱表面是用粘着构件耦合到所述顶部衬底表面，且定位在由所述半导体裸片覆盖的所述顶部衬底表面的区域外部；及封装材料，其封装所述横向裸片侧表面的至少一部分及所述横向柱表面的至少一部分。2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，其中所述粘着构件包括焊料。3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，其中所述顶部柱表面与所述顶部裸片表面共面。4.如权利要求3所述的半导体装...

【专利技术属性】
技术研发人员：金进勇，郑季洋，元秋亨，安旷黄，林河贞，李泰勇，贝俊明，
申请(专利权)人：艾马克科技公司，
类型：新型
国别省市：美国,US