半导体装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供半导体装置，其包括半导体裸片，其包括作用表面；与所述作用表面相对的非作用表面；多个侧表面，其在所述作用表面与所述非作用表面之间延伸；以及突片，其从所述多个侧表面中的第一侧表面延伸；以及囊封物，其包围所述半导体裸片的至少所述侧表面，其中所述突片的端面从所述囊封物中露出。作为非限制性实例，可以通过将晶片部分切块、模制部分切块的晶片和将模制的并且部分切块的晶片完全切块，借此生产半导体封装。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置
本专利技术关于一种半导体装置。
技术介绍
各种半导体封装，例如囊封在模制化合物中的半导体封装，生产起来不必要地昂贵并且在囊封过程期间会遇到制造缺陷。所属领域的技术人员通过参看图式比较常规方法与本公开其余部分中阐述的本专利技术的方法和系统的一些态样，将容易明白常规囊封半导体封装及其制造方法的局限性和缺点。
技术实现思路
本公开的各种态样提供囊封半导体封装及其生产方法。作为非限制性实例，可以通过部分切块晶片、模制部分切块的晶片和完全切块模制的并且部分切块的晶片，借此生产半导体封装。更具体地说，在一个实施例中，一种半导体装置，所述半导体装置包括半导体裸片以及囊封物，其包围所述半导体裸片的至少所述侧表面，所述半导体裸片包括作用表面；与所述作用表面相对的非作用表面；多个侧表面，其在所述作用表面与所述非作用表面之间延伸；以及突片，其从所述多个侧表面中的第一侧表面延伸，其中所述突片的端面从所述囊封物中露出。所述突片围绕在所述第一侧表面上。所述突片的端面与所述囊封物的侧表面共面。所述突片包括与所述半导体裸片的所述第一侧表面相同的高度。所述囊封物覆盖所述半导体裸片的所述非作用表面和所述突片的顶表面。所述囊封物包括环氧模制化合物。所述囊封物从所述半导体裸片的所述多个侧表面向外横向地延伸不超过25um。所述半导体装置，其包括第二突片，所述第二突片从所述第一侧表面延伸，其中所述第二突片的端面从所述囊封物中露出。在另一实施例中，一种半导体装置，其包括半导体裸片以及囊封物，其包围所述半导体裸片的至少所述侧表面，所述半导体裸片包括作用表面；与所述作用表面相对的非作用表面；多个侧表面，其在所述作用表面与所述非作用表面之间延伸；以及多个突片，每一个所述突片从所述多个侧表面中的个别对应的侧表面延伸，其中每一个所述突片的端面从所述囊封物中露出。每一个所述突片的端面与所述囊封物的个别对应的侧表面共面。所述囊封物覆盖所述半导体裸片的所述非作用表面和每一个所述突片的顶表面。所述半导体装置包括第二多个突片，所述第二多个突片的每一个从所述多个侧表面中的个别对应的侧表面延伸，其中所述第二多个突片的每一个的端面从所述囊封物中露出。附图说明图1示出了根据本公开的各种态样的制造半导体封装的实例方法的流程图。图2A-图2D示出了说明根据本公开的各种方面的图1的实例方法的各种态样的图式。图3A-图3C示出了说明根据本公开的各种态样的实例半导体封装的侧视图、透视图和分解视图的图式。具体实施方式如本文中所使用，“和/或”意味着由“和/或”联结的列表中的项目中的任何一个或多个。作为实例，“x和/或y”意指三元素集合{(x),(y),(x,y)}中的任何元素。也就是说，“x和/或y”意指“x和y中的一个或两个”。作为另一实例，“x、y和/或z”意指七元素集合{(x),(y),(z),(x,y),(x,z),(y,z),(x,y,z)}中的任何元素。也就是说，“x、y和/或z”意指“x、y及z中的一或多个”。如本文所用，术语“例如”和“举例而言”划出一或多个非限制性实例、例子或示例的列表。本文中所使用的术语仅出于描述特定实例的目的，且并不希望限制本公开。如本文中所使用，除非上下文另外明确指示，否则单数形式也意图包含复数形式。将进一步理解，术语“包括”、“包含”、“具有”等等当在本说明书中使用时，表示所陈述特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件的存在，但是不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其群组的存在或添加。将理解，虽然术语第一、第二等可在本文中用以描述各种元件，但这些元件不应受这些术语限制。这些术语仅用以将一个元件与另一元件区分开来。因此，例如，在不脱离本公开的教示的情况下，下文论述的第一元件、第一组件或第一部分可被称为第二元件、第二组件或第二部分。类似地，例如“上部”、“下部”、“侧面”、“顶部”、“底部”等的各种空间术语可用于以相对方式将一个元件与另一元件区分开来。然而，应理解，组件可以不同方式定向，例如，在不脱离本公开的教示的情况下，半导体装置可以侧向转动使得其“顶”表面水平地朝向且其“侧”表面垂直地朝向。在生产模制半导体封装的实例方法中，将晶片完全切块。接着将单独的裸片分别拾取和放置在载体上。当裸片固持在载体上的合适位置时，模制裸片。接着将模制的裸片再次单分以形成单个封装。此过程包含各种改进机会。举例来说，裸片拾取和放置过程是低效并且昂贵的。另外，在模制期间，单个裸片可能会在载体上移位，从而导致有缺陷的封装。本公开的各种态样提供模制半导体封装及其生产方法，其能得到更低的生产成本、更快的生产时间和更低数目的有缺陷的封装。图1示出了根据本公开的各种态样的制造半导体封装的实例方法100的流程图。实例封装可以例如包括晶片级芯片规模封装，但本公开的范围不限于此。实例方法100可以在框105处开始执行。实例方法100可以响应于任何各种原因或条件而开始执行，在此提供所述各种原因或条件的非限制性实例。举例来说，实例方法100可以响应于指示半导体裸片的晶片准备好被封装和/或在其去往实施方法100的平台的路途上或路途的一部分上的上游过程而开始执行。另外，举例来说，实例方法100可以响应于方法100的执行流程返回到来自方法100的另一框的框105而开始执行。总的来说，实例方法100可以响应于任何多种原因或条件而开始执行。因此，本公开的范围不应受到任何特定原因或条件的特性的限制。实例方法100可以在框110处包括接收半导体裸片的晶片。框110可以包括以任何各种方式接收晶片，在此提供所述各种方式的非限制性实例。举例来说，框110可包括从操作者接收晶片。而且，举例来说，框110可包括从自动操控系统接收晶片(例如，无需直接操作者交互)。另外，举例来说，框110可包括在行进或传送紧固件等上作为单独的零件接收原始晶片。总的来说，框110可包括接收半导体裸片的晶片。因此，本公开的范围不应受到接收此晶片的任何特定方式的特性的限制。虽然本公开总体上涉及半导体裸片的晶片(例如硅晶片等)，但是本公开的各种态样的范围不限于此。举例来说，可以作为面板、晶片的部分等接收半导体裸片。并且，接收到的晶片可包括任何多种特征，例如在后端晶片制造过程中添加到晶片的特征、通过先前半导体器件封装过程添加的特征等。举例来说，晶片可仅包括裸片，晶片可包括形成于其上(例如在晶片的作用侧上)的各种电介质层和/或传导层(例如再分布层)，接收到的晶片可具有形成于其上(例如在晶片的作用侧上)的互连特征(例如衬垫、凸台、凸块等)，接收到的晶片可包括形成于其中的穿硅通孔等。因此，本公开的范围不应受到接收到的半导体裸片的晶片或面板的特定特性的限制。实例方法100可以在框120处包括固定接收到的晶片(例如在框110处接收到的晶片)。框120可以包括以任何各种方式固定接收到的晶片，在此提供所述各种方式的非限制性实例。举例来说，框120可包括将接收到的晶片附着到胶带(例如热释放胶带、紫外辐射释放胶带等)，胶带安置于载体上。举例来说，可以将接收到的晶片的作用侧放置成与释放胶带接触。而且举例来说，框120可包括将接收到的晶片附着到粘合膏或液体，其例如涂布在载体上或者放置在载体上。应注意，必要时可以执行粘合固化。另外本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于，其包括：半导体裸片，其包括：作用表面；与所述作用表面相对的非作用表面；多个侧表面，其在所述作用表面与所述非作用表面之间延伸；以及突片，其从所述多个侧表面中的第一侧表面延伸；以及囊封物，其包围所述半导体裸片的至少所述侧表面，其中所述突片的端面从所述囊封物中露出。

【技术特征摘要】
2015.11.16 US 14/942,8631.一种半导体装置，其特征在于，其包括：半导体裸片，其包括：作用表面；与所述作用表面相对的非作用表面；多个侧表面，其在所述作用表面与所述非作用表面之间延伸；以及突片，其从所述多个侧表面中的第一侧表面延伸；以及囊封物，其包围所述半导体裸片的至少所述侧表面，其中所述突片的端面从所述囊封物中露出。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，其中所述突片围绕在所述第一侧表面上。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，其中所述突片的端面与所述囊封物的侧表面共面。4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，其中所述突片包括与所述半导体裸片的所述第一侧表面相同的高度。5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，其中所述囊封物覆盖所述半导体裸片的所述非作用表面和所述突片的顶表面。6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，其中所述囊封物包括环氧模制化合物。7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，其中所述囊封物从所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：波拉·巴洛葛卢，可陆提斯·史温格，罗恩·休莫勒，
申请(专利权)人：艾马克科技公司，
类型：新型
国别省市：美国,US