基板处理系统技术方案

本实用新型专利技术涉及一种基板处理系统，其包括：研磨部，其对基板进行化学机械研磨(CMP)工艺；载体头，其将完成研磨工艺的基板沿着预先设定的移送路径，向设置于研磨部的卸载区域移送；湿式处理部，其沿着移送路径设置于研磨部，并在完成研磨工艺的基板沿着移送路径连续地移送期间将基板处理为湿式(wetting)状态，据此可得到的效果在于，稳定地保持完成研磨工艺的基板的湿式状态，减少用于将基板保持为湿式状态的流体的使用量。

【技术实现步骤摘要】
基板处理系统
本技术涉及一种基板处理系统，更为具体地涉及一种基板处理系统，所述基板处理系统稳定地保持完成研磨工艺后的基板的湿式(wetting)状态，并且可减少用于使得基板保持为湿式状态的流体的使用量。
技术介绍
半导体元件由微细的电路线高度密集地制造而成，因此，晶元表面必须进行相应的精密研磨。为了对晶元进行更加精细化的研磨，进行机械研磨及化学研磨并行的化学机械研磨工艺(CMP工艺)。化学机械研磨(CMP)工艺是一种为了实现全面平坦化与由用于形成电路的接触(contact)/布线膜分离以及高度集成的元件化而产生的晶元表面粗糙度的改善等而对晶元的表面进行精细研磨加工的工艺，所述全面平坦化是清除在半导体元件制造过程中反复进行掩蔽(masking)、刻蚀(etching)及布线工艺等的同时生成的晶元表面的凹凸而导致的单元(cell)区域与周围电路区域间的高度差。所述CMP工艺通过如下形式完成，在晶元的工艺面与研磨垫相面对的状态下，对所述晶元加压，同时进行工艺面的化学研磨与机械研磨，并且经过以如下形式进行的清洗工艺：完成研磨工艺的晶元被载体头抓握，从而对附着于工艺面的异物进行清洗。换句话说，如图1所示，通常地，晶元的化学机械研磨工艺通过如下形式完成，若在加载单元20将晶元供给于化学机械研磨系统X1，则在将晶元W紧贴于载体头S(S1、S2、S1'、S2')的状态下，在沿着规定的路径Po进行移送66-68的同时，在多个研磨平板P1、P2、P1'、P2'上进行化学机械研磨工艺。将进行化学机械研磨工艺的晶元W通过载体头S移送至卸载单元的放置架10，并且移送至进行接下来的清洗工艺的清洗单元X2，从而进行在多个清洗模块(module)70对附着于晶元W的异物进行清洗的工艺。如上所述，在各个研磨平板P1、P2、P1'、P2'中完成研磨的晶元W通过沿着移送路径Po移动的载体头S来卸载到卸载单元的放置架10后，向清洗模块70移送，并得到清洗。另外，具有的问题在于，如果完成研磨的晶元W沿着移送路径Po向卸载单元移送的途中得到干燥，则在晶元W的表面会产生水印或基板的安装部件受到损伤，由此，完成研磨的晶元W沿着移送路径Po移送的途中，晶元W需保持浸湿的状态。为此，在现有的技术中提出过如下方案：在完成研磨的晶元W被移送至卸载单元的移送路径上安装用于保持基板的湿式状态(浸湿的状态)的流体(DIW)喷射装置或湿式浴装置(wettingbath)，完成研磨的晶元W向卸载单元移送之前，在预先设定的位置可被流体浸湿。但是，在现有技术中，为了浸湿完成研磨的晶元W，换句话说，为了保持湿式状态，使得载体头的移动临时停止，由此会有晶元W的处理时间增加的问题，因此会有费用上升，收率低下的问题。由此，最近进行能够稳定地保持完成研磨的晶元的湿式状态且为了节省费用而提高收率的各个种研究，但是仍存在不足，因此需要对此的开发。
技术实现思路
本技术的目的在于，提供一种基板处理系统，其可稳定地保持完成研磨的基板的湿式状态，可防止因干燥引起的水印的产生及基板的安装部件的损伤。特别地，本技术的目的在于，不停止基板的移送，可稳定地保持基板的湿的状态，防止因干燥引起的水印的产生及基板的安装部件的损伤。此外，本技术的目的在于，减少用于保持基板的湿式状态的流体的使用量，可防止因流体引起的无意的的误差。此外，本技术的目的在于，可节省费用，并提高收率。此外，本技术的目的在于，完成研磨的基板向清洗部移送之前，将存在于基板的异物一次清除，从而能够提高清洗效率。此外，本技术的目的在于，将残留在载体头的异物最小化。根据用于达成上述的本技术的目的的本技术的优选实施例，基板处理系统包括：研磨部，其对基板进行化学机械研磨(CMP)工艺；载体头，其将完成研磨工艺的基板沿着预先设定的移送路径，移动到设置于研磨部的卸载区域；湿式处理部，其沿着移送路径设置于研磨部，完成研磨工艺的基板沿着移送路径连续地移送期间将基板处理为湿式状态。其目的在于，将完成化学机械研磨的基板向卸载区域移送时，稳定地保持基板的湿式状态，据此防止因基板干燥引起的水印的产生，并防止基板安装部件的损伤。尤其，本技术可得到的有利的效果在于，在完成研磨工艺的基板沿着移送路径连续被移送期间，对基板进行湿式处理，换句话说，在不中断载体头的移动(基板的移送)的状态下对基板连续地进行湿式处理，据此不降低工艺效率，在基板被移送的途中，稳定地保持基板的湿式状态。此外，可得到的有利的效果在于，对沿着移送路径移动的载体头的位置进行感知，仅在所述载体头被感知到的位置上对基板进行湿式处理，据此，将流体的使用量最小化的同时，稳定地保持基板的湿式状态。换句话说，可得到如下效果，在完成研磨的基板向卸载单元移送的移送路径上，连续喷射用于浸湿基板的流体，据此，在不停止载体头的状态下可以保持基板的湿式状态，但是在所述方式的情况下，与是否存在完成研磨的基板无关地，在整体移送路径区间上持续喷射流体，由此存在不必要地增加流体的使用量的问题，并且喷射的流体无意向周边装置飞散，由此存在使得各种误差产生的问题。但是，在本技术中，只在基板存在的位置喷射流体，据此，减少流体的使用量，稳定地保持基板的湿式状态。具体地，湿式处理部包括：多个湿式处理单元，其沿着移送路径以隔开的形式配置，将基板独立地处理为湿式状态；感知部，其对沿着移送路径移动的载体头位置进行感知。在多个湿式处理单元中，仅在载体头被感知到的至少任意一个将基板处理为湿式状态，据此可得到将流体的使用量最小化的效果。湿式处理部包括：后方湿式处理部，其配置在第一研磨区域的后方端部和第二研磨区域的后方端部；中心湿式处理部，配置在第一研磨区域和第二研磨区域之间。第一研磨区域或第二研磨区域中被研磨的基板，在依次通过后方湿式处理部与中心湿式处理部的期间，连续地处理为湿式状态，据此可得到更为稳定地保持基板的湿式状态的有利效果。并且，湿式处理部包括湿式浴装置，载体头以可移动地形式收容于所述湿式浴装置，湿式处理单元包括在湿式浴装置内部向基板喷射流体的流体喷射部。流体喷射部可形成为可向基板喷射流体的多样的构造。例如，作为流体喷射部可使用通常的喷嘴。不同地，可使用其他不同的喷射手段来代替喷嘴，本技术不受喷射装置的种类的限制或限定。优选地，流体喷射部向基板的底面垂直地喷射流体，据此可以得到的效果在于，保持基板的湿式状态，同时，在完成研磨的基板向清洗部被移送之前，利用流体引起的撞击力(垂直撞击力)来一次清除存在于基板的异物。此时，流体喷射部构成为喷射液状流体(例如，纯水)及蒸汽中至少任意一个。并且，在湿式浴装置的内部可设置有侧面喷射部，所述侧面喷射部朝向载体头的侧面喷射流体。侧面喷射部向载体头的侧面喷射流体(液态流体或蒸汽)，并能够清除存在于载体头侧面的异物，因此可得到的有利效果在于，将因可能残存在载体头的异物而在基板研磨之前被污染或损伤的情况最小化。优选地，湿式浴装置形成为具有覆盖载体头侧面的高度，侧面喷射部配置在低于湿式浴装置上端的位置。如上所述，在低于湿式浴装置的上端位置配置侧面喷射部，据此可得到的有利效果在于，将从侧面喷射部喷射的流体向外部飞散的情况最小化。感知部包括多个感知传感器，所述多本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板处理系统，其特征在于，包括：研磨部，其对基板进行化学机械研磨工艺；载体头，其将完成研磨工艺的所述基板沿着预先设定的移送路径，向设置于所述研磨部的卸载区域移送；湿式处理部，其沿着所述移送路径设置于所述研磨部，并在完成研磨工艺的所述基板沿着所述移送路径连续地移送期间将基板处理为湿式状态。

【技术特征摘要】
2016.07.06 KR 10-2016-00852841.一种基板处理系统，其特征在于，包括：研磨部，其对基板进行化学机械研磨工艺；载体头，其将完成研磨工艺的所述基板沿着预先设定的移送路径，向设置于所述研磨部的卸载区域移送；湿式处理部，其沿着所述移送路径设置于所述研磨部，并在完成研磨工艺的所述基板沿着所述移送路径连续地移送期间将基板处理为湿式状态。2.根据权利要求1所述的基板处理系统，其特征在于，所述湿式处理部包括：多个湿式处理单元，其沿着所述移送路径以隔开的形式配置，并独立地将所述基板处理为湿式状态；感知部，对沿着所述移送路径移动的所述载体头的位置进行感知，在所述多个湿式处理单元中，仅在所述载体头被感知的至少任意一个将所述基板处理为湿式状态。3.根据权利要求2所述的基板处理系统，其特征在于，所述感知部包括多个感知传感器，所述多个感知传感器分别与所述多个湿式处理单元邻近地配置，并且感知所述载体头。4.根据权利要求3所述的基板处理系统，其特征在于，所述感知传感器为光传感器。5.根据权利要求2所述的基板处理系统，其特征在于，所述湿式处理部包括湿式浴装置，所述载体头以可移动的...

【专利技术属性】
技术研发人员：高永学，
申请(专利权)人：KC科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：韩国,KR