一种TFT阵列基板和半透半反液晶显示器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种TFT阵列基板，其包括形成在该基板上不透光的多条栅线、不透光的多条数据线和多个像素结构；每一像素结构包括：形成在该基板上的透射电极和反射电极，栅线对应遮挡每一像素结构的反射电极和透射电极之间的间隙，以及设置在栅线上的薄膜晶体管；还包括挡光层，其对应遮挡每一像素结构的相邻不透光膜层之间的间隙和相邻像素结构的反射电极与透射电极之间的间隙。本实用新型专利技术还公开了一种半透半反液晶显示器。本TFT阵列基板，其在像素结构上加入挡光层，达到遮挡从背光照射上来不能被有效利用的光线，从而消除漏光的不良影响；能够保证显示效果；减小像素边缘漏光；提升产品对比度；而且不额外增加成本，从而增强了产品竞争力。

【技术实现步骤摘要】
一种TFT阵列基板和半透半反液晶显示器
本技术涉及了显示
，特别是涉及了一种TFT阵列基板和半透半反液晶显示器。
技术介绍
随着九十年代初TFT技术的成熟，彩色液晶平板显示器迅速发展，不到10年的时间，TFT-LCD迅速成长为主流显示器，这与它具有的优点是分不开的。主要特点是：使用特性好、环保特性好、适用范围宽、自动化程度高、易于集成化和更新换代。TFT是在玻璃或塑料基板等非单晶片上（当然也可以在晶片上）通过溅射、化学沉积工艺形成制造电路必需的各种膜，通过对膜的加工制作需要的电路，如图1所示，TFT阵列基板包括形成在该基板上的相互交叉设置的栅线1’和数据线2’、形成在所述栅线1’和数据线2’限定的像素区域内的透射电极3’、反射电极4’和薄膜晶体管5’。由于TFT-LCD的显示需要背光，在显示过程中容易产生一些不良缺陷，漏光就是其中一种常见的缺陷，像素区域中相邻膜层之间有间隙6’，所以光线从间隙6’中射出产生漏光。漏光在某些画面下肉眼能够看见，从而影响TFT-LCD的显示效果，同时漏光还会降低对比度。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是提供了一种TFT阵列基板，其在像素结构上加入挡光层，达到遮挡从背光照射上来不能被有效利用的光线，从而消除漏光的不良影响；能够保证显示效果；减小像素边缘漏光；提升产品对比度；而且不额外增加成本，从而增强了产品竞争力。本技术还提供了一种半透半反液晶显示器。本技术所要解决的技术问题通过以下技术方案予以实现：一种TFT阵列基板，其包括形成在该基板上不透光的多条栅线、不透光的多条数据线和多个像素结构；每一像素结构包括：形成在该基板上的透射电极和反射电极，所述栅线对应遮挡每一像素结构的反射电极和透射电极之间的间隙，以及设置在所述栅线上的薄膜晶体管；还包括挡光层，其对应遮挡每一像素结构的相邻不透光膜层之间的间隙和相邻像素结构的反射电极与透射电极之间的间隙。作为本技术提供的TFT阵列基板的一种改进，所述挡光层与所述栅线同层形成。作为本技术提供的TFT阵列基板的一种改进，所述每一像素结构的相邻不透光膜层之间的间隙包括：数据线和反射电极之间的间隙、反射电极上的缺口。作为本技术提供的TFT阵列基板的一种改进，所述挡光层形成材料为金属或不透光材料。作为本技术提供的TFT阵列基板的一种改进，每个所述像素结构包括有两个所述薄膜晶体管，两个所述薄膜晶体管的栅极均与所述栅线电性连接；其中一个薄膜晶体管的漏极与所述反射电极电性连接，源极与所述数据线电性连接；另一个薄膜晶体管的漏极与所述透射电极电性连接，源极与所述数据线电性连接。作为本技术提供的TFT阵列基板的一种改进，所述薄膜晶体管的栅极与所述栅线电性连接，源极与所述数据线电性连接，漏极分别与所述透射电极和所述反射电极电性连接。一种半透半反液晶显示器，其包括彩膜基板和任一上述的TFT阵列基板，所述彩膜基板包括黑色矩阵，其覆盖所述栅线、数据线和薄膜晶体管。本技术具有如下有益效果：TFT阵列基板，其在像素结构上加入挡光层，其用来遮挡从背光照射上来不能被有效利用的光线，以此来消除漏光的不良影响；能够保证显示效果；减小像素边缘漏光；提升产品对比度；而且不额外增加成本，从而增强了产品竞争力。附图说明图1为现有TFT阵列基板的结构示意图；图2为本技术TFT阵列基板的结构示意图。具体实施方式下面结合实施例对本技术进行详细的说明，实施例仅是本技术的优选实施方式，不是对本技术的限定。实施例1如图2所示，其显示了本实施例提供的一种TFT阵列基板，其包括形成在该基板上不透光的多条栅线1、不透光的多条数据线2和多个像素结构；其中，每一像素结构包括：形成在该基板上的透射电极3和反射电极4，所述栅线1对应遮挡每一像素结构的反射电极4和透射电极3之间的间隙，以及设置在所述栅线1上的薄膜晶体管5。所述TFT阵列基板还包括挡光层7，其对应遮挡每一像素结构的相邻不透光膜层之间的间隙和相邻像素结构的反射电极4与透射电极3之间的间隙，其用来遮挡从背光照射上来不能被有效利用的光线，以此来消除漏光的不良影响；不仅能够保证显示效果，而且减小像素边缘漏光和提升产品对比度，改进后的结构对比度相比改进前的提高30%以上。作为一种优选实施方式，所述挡光层7与所述栅线1同层形成，即设计栅线1掩膜板时在掩膜板中加入挡光层7的设计，不需要另外设计挡光层7的掩膜板，因此不额外增加掩膜板，也就不额外增加成本。更优选地，相邻所述像素结构的挡光层7是相互独立，即不连接形成一整片挡光层，连成一片反而会影响正常显示。值得注意的是，所述挡光层7是不通电的，因为挡光层7通电则会有电容易影响像素结构中的电场，不带电则没有此影响。作为一种优选实施方式，所述每一像素结构的相邻不透光膜层之间的间隙包括：数据线2和反射电极4之间的间隙、反射电极4上的缺口6。进一步地，还包括反射电极4上的缺口6，由于缺口6的大小会影响像素开口率和透过率，故其可根据实际情况确定是否需要改缺口6。采用了栅线1位于所述透射电极3和反射电极4之间的现有像素结构后，基板之下的背光源所产生的背光在透射过所述基板时，一部分将被所述栅线1所阻断，但还是有部分光会从数据线2和反射电极4之间的间隙以及反射电极4上的缺口6漏出，实际产品中相邻像素结构的反射电极4和透射电极3之间的间隙也会出现较明显的漏光，因此采用了本技术的像素结构后，由于挡光层7的设计，将不被利用的背光阻挡住，从而能够减少或消除间隙的异常显示，进而改善显示品质。需要说明的是，所述缺口作为一种优选实施方式，所述栅线1和数据线2均可采用不透明的金属材料制成，具体金属材料可以选用铝、钼等金属。所述挡光层7的材质可以是金属或者其他不透光材料等等。作为一种优选实施方式，如图2所示，本实施例中每个像素结构也可以通过一个所述薄膜晶体管5，来同时控制所述透射电极3和所述反射电极4的电压。此时，所述薄膜晶体管5的栅极与所述栅线1电性连接，源极与所述数据线2电性连接，漏极分别与所述透射电极3电性和所述反射电极4电性连接。作为另一种优选实施方式，本实施例中每个像素结构可以包括有两个所述薄膜晶体管5，分别控制所述透射电极3和所述反射电极4的电压。此时，两个所述薄膜晶体管5的栅极均与所述栅线1电性连接；其中一个薄膜晶体管5的漏极与所述反射电极4电性连接，源极与所述数据线2电性连接；另一个薄膜晶体管5的漏极与所述透射电极3电性连接，源极与所述数据线2电性连接。上述两个薄膜晶体管5可以具有相同大小和性能。需要说明的是，每个像素结构采用一个所述薄膜晶体管5，两个所述薄膜晶体管5或更多个所述薄膜晶体管5，均于本领域技术人员为公知技术，可以是上述两种连接方式，也可以是其他连接方式。需要说明的是，为了便于清楚展示，所述TFT阵列基板上的部分膜层（如公共电极等）未显示在图2中，但本领域技术人员根据公知技术可知其他膜层的位置及其作用，在此不再详述。实施例2基于以上的半透半反式的TFT阵列基板，本实施例还提供了一种半透半反液晶显示器，该半透半反液晶显示器包括：彩膜基板、接合于所述彩膜基板的如实施例1所述的TFT阵列基板以及夹设于所述彩膜基板和所述TFT阵列基板之间的液晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种TFT阵列基板，其包括形成在该基板上不透光的多条栅线、不透光的多条数据线和多个像素结构；每一像素结构包括：形成在该基板上的透射电极和反射电极，所述栅线对应遮挡每一像素结构的反射电极和透射电极之间的间隙，以及设置在所述栅线上的薄膜晶体管；还包括挡光层，其对应遮挡每一像素结构的相邻不透光膜层之间的间隙和相邻像素结构的反射电极与透射电极之间的间隙。

【技术特征摘要】
1.一种TFT阵列基板，其包括形成在该基板上不透光的多条栅线、不透光的多条数据线和多个像素结构；每一像素结构包括：形成在该基板上的透射电极和反射电极，所述栅线对应遮挡每一像素结构的反射电极和透射电极之间的间隙，以及设置在所述栅线上的薄膜晶体管；还包括挡光层，其对应遮挡每一像素结构的相邻不透光膜层之间的间隙和相邻像素结构的反射电极与透射电极之间的间隙。2.根据权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述挡光层与所述栅线同层形成。3.根据权利要求1或2所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述每一像素结构的相邻不透光膜层之间的间隙包括：数据线和反射电极之间的间隙、反射电极上的缺口。4.根据权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述挡...

【专利技术属性】
技术研发人员：庄崇营，王亚威，林建伟，黄柏青，李林，
申请(专利权)人：信利半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44