【技术实现步骤摘要】
摄像设备和摄像系统
本专利技术涉及一种摄像设备和摄像系统。
技术介绍
作为用于照相机的图像传感器等的摄像设备,提出了多层摄像设备。在WO2012/004923的图1例示的摄像设备中,光电转换膜被设置在半导体基板上。透明电极被设置在光电转换膜上,并且,像素电极被设置在光电转换膜与半导体基板之间。绝缘膜被设置在光电转换膜与像素电极之间。根据WO2012/004923,这种构造使得能够进行相关双采样(CDS),因此可以降低噪声。
技术实现思路
根据实施例的摄像设备包括:基板,其上设置有多个像素电路;半导体层,其被设置在所述基板上;第一电极,其被设置在所述半导体层上;以及第二电极,其被设置在所述半导体层与所述基板之间。所述半导体层的连续部分包括:第一部分,所述第一部分形成被设置在所述第一电极与所述第二电极之间的光接收区域;以及第二部分,所述第二部分形成保持在所述光接收区域中产生的电荷的电荷保持区域,该电荷保持区域被设置在与所述光接收区域不同的位置处。根据另一实施例的摄像设备包括:基板,其上设置有多个像素电路;半导体层,其被设置在所述基板上,并且针对所述多个像素电路中的各个像素电路,所述半导体层包括接收光的第一部分和被遮光的第二部分;以及偏置电压供给器,其被构造为彼此独立地向所述第一部分和所述第二部分施加偏置电压。根据下面参照附图对示例性实施例的描述,本专利技术的其他特征将变得清楚。附图说明图1A示意性地例示了摄像设备的像素的构造,图1B例示了光电转换部的等效电路,图1C例示了光电转换部的等效电路。图2示意性地例示了摄像设备的整体构造。图3例示了摄像设备的列电路的等效电 ...
【技术保护点】
一种摄像设备,所述摄像设备包括:基板,其上设置有多个像素电路;半导体层,其被设置在所述基板上;第一电极,其被设置在所述半导体层上;以及第二电极,其被设置在所述半导体层与所述基板之间,其中,所述半导体层的连续部分包括:第一部分,所述第一部分形成被设置在所述第一电极与所述第二电极之间的光接收区域;以及第二部分,所述第二部分形成保持在所述光接收区域中产生的电荷的电荷保持区域,该电荷保持区域被设置在与所述光接收区域不同的位置处。
【技术特征摘要】
2015.12.04 JP 2015-2378671.一种摄像设备,所述摄像设备包括:基板,其上设置有多个像素电路;半导体层,其被设置在所述基板上;第一电极,其被设置在所述半导体层上;以及第二电极,其被设置在所述半导体层与所述基板之间,其中,所述半导体层的连续部分包括:第一部分,所述第一部分形成被设置在所述第一电极与所述第二电极之间的光接收区域;以及第二部分,所述第二部分形成保持在所述光接收区域中产生的电荷的电荷保持区域,该电荷保持区域被设置在与所述光接收区域不同的位置处。2.根据权利要求1所述的摄像设备,所述摄像设备还包括:第一绝缘层,其被设置在所述第一部分与所述第二电极之间。3.根据权利要求2所述的摄像设备,所述摄像设备还包括:第三电极,其被设置在所述半导体层上;以及第四电极,其被设置在所述半导体层与所述基板之间,其中,所述第二部分被设置在所述第三电极与所述第四电极之间。4.根据权利要求3所述的摄像设备,所述摄像设备还包括:第二绝缘层,其被设置在所述第二部分与所述第四电极之间。5.一种摄像设备,所述摄像设备包括:基板,其上设置有多个像素电路;半导体层,其被设置在所述基板上,并且针对所述多个像素电路中的各个像素电路,所述半导体层包括接收光的第一部分和被遮光的第二部分;以及偏置电压供给器,其被构造为彼此独立地向所述第一部分和所述第二部分施加偏置电压。6.根据权利要求5所述的摄像设备,其中所述偏置电压供给器包括第一电极、第二电极、第三电极和第四电极,所述第一部分被设置在所述第一电极与所述第二电极之间,并且所述第二部分被设置在所述第三电极与所述第四电极之间。7.根据权利要求6所述的摄像设备,其中所述第一电极和所述第三电极由连续的导电层形成,并且所述第二电极与所述第四电极相互隔离。8.根据权利要求7所述的摄像设备,所述摄像设备还包括:遮光层,其被设置在所述第三电极上或者被设置在所述第三电极与所述第二部分之间。9.根据权利要求8所述的摄像设备,其中所述遮光层由金属形成,并且所述导电层与所述遮光层相互电连接。10.根据权利要求6所述的摄像设备,其中所述第一电极与所述第三电极相互隔离,并且所述第二电极与所述第四电极相互隔离。11.根据权利要求10所述的摄像设备,其中,所述第一电极的透光率高于所述第三电极的透光率。12.根据权利要求6所述的摄像设备,所述摄像设备还包括:第一绝缘层,其被设置在所述半导体层与所述第二电极之间;以及第二绝缘层,其被设置在所述半导体层与所述第四电极之间。13.根据权利要求3、4和6至12中的任一项所述的摄像设备,其中,所述第四电极被设置成在与所述基板的表面平行的平面上围绕所述第二电极。14.根据权利要求3、4和6至12中的任一项所述的摄像设备,其中所述多个像素电路中的各个像素电路读取基于通过光电转换产生的空穴的信号,并且当空穴从所述第一部分转移到所述第二部分时,供给到所述第二电极且由Vp表示的电压和供给到所述第四电极且由Vm表示的电压满足由Vp>Vm表达的关系。15.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员:田代和昭,郷田达人,
申请(专利权)人:佳能株式会社,
类型:发明
国别省市:日本,JP
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