一种有机发光显示面板及装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例公开了一种有机发光显示面板及装置，该有机发光显示面板包括：依次层叠设置的第一电极、第一发光层、第二发光层和第二电极；其中，所述第一发光层的空穴迁移率与电荷迁移率的比值大于或等于10

【技术实现步骤摘要】
一种有机发光显示面板及装置
本专利技术实施例涉及有机发光显示技术，尤其涉及一种有机发光显示面板及装置。
技术介绍
有机发光显示(OrganiclightEmittingDisplay)，由于其具有不需背光源、对比度高、厚度薄、视角广、反应速度快等技术优点，已经成为显示行业发展的重点方向之一。现有的有机发光显示面板包括：阴极、电子传输层、发光层、空穴传输层、阳极和基板。工作时，在有机发光显示面板的阳极和阴极之间施加一偏置电压，空穴和电子突破界面能障，分别从空穴传输层和电子传输层向发光层迁移，在发光层上，电子和空穴复合产生激子，激子不稳定，释放出能量，将能量传递给发光层中有机发光物质的分子，使其从基态跃迁到激发态。激发态很不稳定，受激分子从激发态回到基态，辐射跃迁而产生发光现象。因此，有机发光显示面板中，电子和空穴复合效率的高低决定了有机发光显示面板性能的优劣。但现在的有机发光显示面板中，电子和空穴复合效率偏低，致使有机发光显示面板所需要的偏置电压偏高、发光效率低下，寿命很短。
技术实现思路
本专利技术提供一种有机发光显示面板及装置，以实现提高有机发光显示面板电子和空穴复合效率，进而降低有机发光显示面板所需要的偏置电压，提高有机发光显示面板的发光效率，延长有机发光显示面板的寿命的目的。第一方面，本专利技术实施例提供了一种有机发光显示面板，该有机发光显示面板包括：依次层叠设置的第一电极、第一发光层、第二发光层和第二电极；其中，所述第一发光层的空穴迁移率与电荷迁移率的比值大于或等于102，所述第二发光层的电子迁移率与空穴迁移率的比值大于或等于102。第二方面，本专利技术实施例还提供了一种有机发光显示装置，该有机发光显示装置包括本专利技术实施例提供的任意一种有机发光显示面板。本专利技术实施例通过限定第一发光层的空穴迁移率与电荷迁移率的比值大于或等于102，第二发光层的电子迁移率与空穴迁移率的比值大于或等于102，解决了现有的有机发光显示面板中，因电子和空穴复合效率偏低，致使有机发光显示面板所需要的偏置电压偏高、发光效率低下，寿命很短的问题，实现了提高电子和空穴的复合效率，降低有机发光显示面板所需要的偏置电压，进而提高有机发光显示面板的发光效率和延长有机发光显示面板的寿命。附图说明图1a为本专利技术实施例提供的一种有机发光显示面板的结构示意图；图1b为图1中虚线区域A的结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的另一种有机发光显示面板部分膜层的结构示意图；图3为本专利技术实施例提供的又一种有机发光显示面板部分膜层的结构示意图；图4为本专利技术实施例提供的又一种有机发光显示面板部分膜层的结构示意图；图5为本专利技术实施例提供的又一种有机发光显示面板部分膜层的结构示意图；图6为本专利技术实施例提供的一种有机发光显示装置的结构示意图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术，而非对本专利技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部结构。图1a为本专利技术实施例提供的一种有机发光显示面板的结构示意图。参见图1a，该有机发光显示面板包括基板10。基板10划分为多个像素区域32以及非像素区域31，像素区域32以及非像素区域31间隔设置。在非像素区域31内包括形成于基板10上的薄膜晶体管20，以及形成于薄膜晶体管20背离基板10一侧的像素限定层27。在像素区域32内包括像素发光单元33。像素发光单元33包括第一电极11、第二电极12以及形成第一电极11和第二电极12之间的膜层。图1a中，该薄膜晶体管20可以包括栅极21、栅绝缘层22、有源层23、源极24和漏极25。薄膜晶体管可以为底栅结构(栅极位于基板与有源层之间)的薄膜晶体管，也可以为顶栅结构(有源层位于基板与栅极之间)的薄膜晶体管。示例性地，在图1a中，薄膜晶体管20为底栅结构的薄膜晶体管，有源层23形成在栅极21上方，即栅极21可以位于基板10与有源层23之间。栅极21可以形成在基板10上并且具有导电性。栅绝缘层22可以形成在栅极21上，并覆盖栅极21。栅绝缘层22使栅极21与有源层23绝缘。有源层23可以形成在栅绝缘层22上。有源层23可以与栅极21相对应，例如有源层23与栅极21重叠。有源层13可以包括掺有n型或P型杂质的源区和漏区以及用于将源区和漏区彼此连接的沟道区。一般来说，源区和漏区分别形成在有源层23的两端，而沟道区形成在有源层23的中部。有源层23可以包括半导体材。源极24和漏极25可以形成在有源层23上。源极24和漏极25可以彼此隔开，并且可以通过充当沟道的有源层23彼此电连接。源极24和漏极25可以分别电连接至有源层23的源区和漏区。源极24和漏极25均具有导电性。该有机发光显示面板还包括平坦化层26，该平坦化层26可以形成在整个基板10上。与像素区域32对应的平坦化层26上形成有像素发光单元33，与非像素区域31对应的平坦化层26上形成有像素限定层27。平坦化层26上形成有多个通孔28，薄膜晶体管的漏极25通过通孔28与位于像素区域32内像素发光单元33的第一电极11电连接。可选地，如图1a所示，像素发光单元33中，第一电极11形成于与像素区域32对应的平坦化层26上，相邻两个像素限定层27将位于像素区域32的第一电极11的至少一部分暴露出来。第二电极12覆盖像素区域32以及非像素区域31。图1b为图1a中虚线区域A的结构示意图。参见图1b，该有机发光显示面板包括：依次层叠设置的第一电极11、第一发光层131、第二发光层132和第二电极12。其中，第一发光层131的空穴迁移率与电荷迁移率的比值大于或等于102，第二发光层132的电子迁移率与空穴迁移率的比值大于或等于102。这里，第一发光层131的空穴迁移率与电荷迁移率的比值大于或等于102，是指在具体制作时，第一发光层131的材料选取满足空穴迁移率与电荷迁移率的比值大于或等于102的材料。这样可以使得，第一发光层131具有很高的空穴传输效率，可以使得更多的空穴注入到第一发光层131中，并加速空穴在第一发光层131与第二发光层132的交界面附近积聚。第二发光层132的电子迁移率与空穴迁移率的比值大于或等于102，是指在具体制作时，第二发光层132的材料选取满足电子迁移率与空穴迁移率的比值大于或等于102的材料。这样可以使得，第二发光层132具有很高的电子传输效率，可以使得更多的电子注入到第二发光层132中，可以加速电子在第二发光层132与第一发光层131的交界面附近积聚。可以理解，有机发光显示面板中发光层电子和空穴的浓度会影响发光层中电子与空穴的复合效率。而有机发光显示面板发光层中电子和空穴的复合效率的高低决定了有机发光显示面板的发光效率及性能。本专利技术实施例通过限定第一发光层的空穴迁移率与电荷迁移率的比值大于或等于102，第二发光层的电子迁移率与空穴迁移率的比值大于或等于102，可以提高有机发光显示面板中发光层电子和空穴的浓度，有利于提高在第一发光层131和第二发光层132交界面附近电子和空穴的复合效率，降低有机发光显示面板所需要的偏置电压，进而提高有机发光显示面板的发光效率及性能。可选地，第一发光层131的空穴迁移率与第二发光层132本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机发光显示面板，其特征在于，包括：依次层叠设置的第一电极、第一发光层、第二发光层和第二电极；其中，所述第一发光层的空穴迁移率与电荷迁移率的比值大于或等于10

【技术特征摘要】
1.一种有机发光显示面板，其特征在于，包括：依次层叠设置的第一电极、第一发光层、第二发光层和第二电极；其中，所述第一发光层的空穴迁移率与电荷迁移率的比值大于或等于102，所述第二发光层的电子迁移率与空穴迁移率的比值大于或等于102。2.根据权利要求1所述的有机发光显示面板，其特征在于，所述第一发光层的空穴迁移率与所述第二发光层的电子迁移率的比值大于或等于0.5且小于或等于2。3.根据权利要求1所述的有机发光显示面板，其特征在于，所述第一发光层和所述第二发光层的厚度之和小于或等于30nm。4.根据权利要求1所述的有机发光显示面板，其特征在于，所述第一发光层和/或所述第二发光层包括至少一种主体材料和至少一种客体掺杂物。5.根据权利要求4所述的有机发光显示面板，其特征在于，所述第一发光层或所述第二发光层中，所述主体材料的最高占有分子轨道能级高于所述客体掺杂物的最高占有分子轨道能级，所述主体材料的最低未占有分子轨道能级低于所述客体掺杂物的最低未占有分子轨道能级；所述第一发光层中所述客体掺杂物的最高占有分子轨道能级低于所述第二发光层中所述客体掺杂物的最高占有分子轨道能级；所述第一发光层中所述客体掺杂物的最低未占有分子轨道能级低于所述第二发光层中所述客体掺杂物的最低未占有分子轨道能级。6.根据权利要求5所述的有机发光显示面板，其特征在于，所述第一发光层包括第一主体材料和第一客体掺杂物，所述第二发光层包括第二主体材料、第二客体掺杂物和第三客体掺杂物；所述第一主体材料的最高占有分子轨道能级高于所述第一客体掺杂物的最高占有分子轨道能级；所述第二主体材料的最高占有分子轨道能级高于所述第二客体掺杂物的最高占有分子轨道能级以及所述第三客体掺杂物的最高占有分子轨道能级；所述第一客体掺杂物的最高占有分子轨道能级低于所述第二客体掺杂物的最高占有分子轨道能级以及所述第三客体掺杂物的最高占有分子轨道能级；所述第二客体掺杂物的最高占有分子轨道能级低于所述第三客体掺杂物的最高占有分子轨道能级；所述第一主体材料的最低未占有分子轨道能级低于所述第一客体掺杂物的最低未占有分子轨道能级；所述第二主体材料的最低未占有分子轨道能级低于所述第二客体掺杂物的最低未占有分子轨道能级以及所述第三客体掺杂物的最低未占有分子轨道能级；所述第一客体掺杂物的最低未占有分子轨道能级低于所述第二客体掺杂物的最低未占有分子轨道能级以及所述第三客体掺杂物的最低未占有分子轨道能级；...

【专利技术属性】
技术研发人员：雷志宏，牛晶华，滨田，吕磊，
申请(专利权)人：上海天马有机发光显示技术有限公司，天马微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31