【技术实现步骤摘要】
一种新型集成电路封装工艺
本专利技术涉及一种新型集成电路封装工艺,本专利技术属于电子
技术介绍
集成电路产业是信息化社会的基础性和先导性产业,集成电路封装测试是整个产业链中的重要一环,表面贴装技术(SMT)是目前广泛采用的中高端封装技术,也是许多先进封装技术的基础。方形扁平无引脚封装(QuadFlatNo-leadPackage,QFN)技术是一种重要的集成电路封装工艺,具有表面贴装式封装,焊盘尺寸小、体积小、占有PCB区域小、元件厚度薄、非常低的阻抗、自感,可满足高速或者微波的应用等优点。由于底部中央的大面积裸露焊盘被焊接到PCB的散热焊盘上,使得QFN具有极佳的电和热性能。但缺点在于QFN中部向四周连续布线,线宽受限于铜厚、且难以设计孤岛电极,增加I/0数会带来的生产成本和可靠性问题,限制了芯片和PCB板的设计自由度。
技术实现思路
针对现有技术的不足,本专利技术提出了一种新型自由平面无引脚封装的集成电路封装工艺,其特征在于:工艺过程包括:(1)在金属基板上涂覆感光材料;(2)感光材料图形转移,露出线路槽;(3)在图形化区金属基板露出部分镀底电极;(4)在底电极上继续镀铜层;(5)在铜层上镀顶电极;(6)去除剩余感光材料;(7)在铜层侧面修饰有机金属转化膜;(8)将芯片邦定在顶电极上并灌注封装树脂材料;(9)树脂固化成型后去除掉金属基板,露出底电极,完成封装。感光材料优选聚丙烯酸酯类的干膜、湿膜。所述底电极为标准电极电势高于铜的金属材料,优选金、银、钯或其合金,顶电极为标准电极电势高于铜且易于焊接的金属,优选银、钯或其合金。铜层侧面修饰有机金属转 ...
【技术保护点】
一种新型集成电路封装工艺,其特征在于:工艺过程包括:(1)在金属基板上涂覆感光材料;(2)感光材料图形转移,露出线路槽;(3)在图形化区金属基板露出部分镀底电极;(4)在底电极上继续镀铜层;(5)在铜层上镀顶电极;(6)去除剩余感光材料;(7)在铜层侧面修饰有机金属转化膜;(8)将芯片邦定在顶电极上并灌注封装树脂材料;(9)树脂固化成型后去除掉金属基板,露出底电极,完成封装。
【技术特征摘要】
1.一种新型集成电路封装工艺,其特征在于:工艺过程包括:(1)在金属基板上涂覆感光材料;(2)感光材料图形转移,露出线路槽;(3)在图形化区金属基板露出部分镀底电极;(4)在底电极上继续镀铜层;(5)在铜层上镀顶电极;(6)去除剩余感光材料;(7)在铜层侧面修饰有机金属转化膜;(8)将芯片邦定在顶电极上并灌注封装树脂材料;(9)树脂固化成型后去除掉金属基板,露出底电极,完成封装。2.根据权利要求1所述一种新型集成电路封装工艺,其特征在于:所述感光材料优选聚丙烯酸酯类的干膜、湿膜。3.根据权利要求1所述一种新型集成电路封装工艺,其特征在于:所述底电极为标准电极电势高于铜的金属材料,优选金...
【专利技术属性】
技术研发人员:何忠亮,郭秋卫,汪元元,朱争鸣,
申请(专利权)人:深圳市环基实业有限公司,
类型:发明
国别省市:广东,44
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