一种主动放电电路及放电装置制造方法及图纸

技术编号:15647649 阅读:245 留言:0更新日期:2017-06-17 00:10
本发明专利技术公开了一种主动放电电路及放电装置,所述主动放电电路包括:第一电容、第二电容、双向可控硅、双向触发二极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻;当交流电压断开时,所述第一电容通过第一电阻向第二电容充电;当第二电容的电压大于双向触发二极管的导通电压时,双向可控硅与第三电阻形成的通路将第一电容存储电荷进行泄放;当第二电容的电压降至双向可控硅的截止电压,双向可控硅截止,放电结束。本发电电路可快速将电路中大容量电容中电荷快速泄放而不会引起待机功耗的明显增加;采用主动放电电路代替继电器控制电路控制的放电电路,且无需采用继电器控制电路,简化了电路,降低了成本。

【技术实现步骤摘要】
一种主动放电电路及放电装置
本专利技术涉及电路
,尤其涉及的是一种主动放电电路及放电装置。
技术介绍
电磁加热设备、超声波加工设备、大功率开关电源等产品中存在大功率开关器件,如图1所示,往往需要在电源输入端接入大容量电容,以抑制差模干扰。在拔掉电源插头之后,大容量电容存在残余电压。对于多种类型家电产品,安规“GB4706.1家用和类似用途电器的安全”或“IEC60335-1”有残余电压的要求,即在拔掉电源插头后,要将大容量电容的残余电压在1s之内降低到34V以下。如图2所示,现有产品设计中,常使用泄放电阻将大容量电容残余电压泄放掉。然而大容量电容需要使用较小的放电电阻,较小的放电电阻产生较大功耗,在待机状态,放电电阻仍然持续消耗能量,使产品难以满足0.5W待机功耗要求。如图3所示,目前,常用解决办法是使用继电器控制X电容接入。工作时,继电器将大容量电容接入;待机时或估计时,继电器将大容量电容断开。这样就可以使用较大阻值的放电电阻,产生较小的功耗,以满足待机功耗要求。但是,继电器切换方式有以下缺点:1.成本高;2.体积大;3.需要额外驱动和控制电路;4.占用MCU资源。因此,现有技术还有待于改进和发展。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题在于,针对现有技术的上述缺陷,提供一种主动放电电路及放电装置。本专利技术解决了继电器控制电路成本高、体积大的技术问题。本专利技术解决技术问题所采用的技术方案如下:一种主动放电电路,用于泄放残余电压,其中,包括:第一电容、第二电容、双向可控硅、双向触发二极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻;所述第一电容连接电压输入端,第一电阻与第二电容串联,第三电阻、双向可控硅、第二电阻、双向触发二极管依次连接,双向触发二极管与第一电阻、第二电容连接;当交流电压断开时,所述第一电容通过第一电阻向第二电容充电;当第二电容的电压大于双向触发二极管的导通电压时,双向可控硅与第三电阻形成的通路将第一电容存储电荷进行泄放;当第二电容的电压降至双向可控硅的截止电压,双向可控硅截止,放电结束。所述主动放电电路,其中,所述第一电容的两端分别连接第一供电线和第二供电线;所述第一电阻一端连接第一供电线,第一电阻另一端连接双向触发二极管一端、第二电容一端;所述第二电容另一端连接第二供电线;所述双向触发二极管另一端连接第二电阻一端;所述第二电阻另一端连接双向可控的硅控制极G;所述双向可控硅的主电极T2连接第三电阻另一端,所述双向可控硅的主电极T1连接第二供电线。所述主动放电电路,其中,当所述第二电容的电压大于双向触发二极管的导通电压时,导通双向触发二极管,第二电容存储电荷通过双向触发二极管及第二电阻触发导通双向可控硅。一种主动放电电路,用于对泄放残余电压,其中,还包括:第四电阻、第五电阻;所述第四电阻一端连接第一电阻另一端,所述第四电阻另一端连接第二电容一端、双向触发二极管一端;所述第五电阻一端连接第三电阻另一端,所述第五电阻另一端连接双向可控硅的主电极T2。一种主动放电电路,用于对泄放残余电压,其中,还包括:第六电阻、第三电容;所述第六电阻一端连接双向可控硅的主电极T1、第二供电线,所述第六电阻另一端连接双向可控硅的控制极G、第二电阻另一端;所述第三电容一端连接双向可控硅的主电极T1、第二供电线,所述第三电容另一端连接双向可控硅的控制极G、第二电阻另一端。一种放电装置,其中,包括:用于进行过压保护的保护电路;用于泄放残余电压的主动放电电路;包括大功率开关器件的主电路;所述保护电路、主动放电电路及主电路依次并联在放电装置中。所述放电装置,其中,所述主动放电电路如权利要求1-5任一项所述主动放电电路。所述放电装置,其中,利用双向可控硅和阻容器件交直流特性实现残余电压泄放。本专利技术提供了一种主动放电电路及放电装置,可快速将电路中大容量电容中电荷快速泄放而不会引起待机功耗的明显增加,采用主动放电电路代替继电器控制电路控制的放电电路,且无需采用继电器控制电路,简化了电路,降低了成本。附图说明图1是现有技术中放电装置的一种电路图。图2是现有技术中放电装置的另一种电路图。图3是现有技术中放电装置的另一种电路图。图4是本专利技术的第一类型放电电路的电路图。图5是本专利技术的第一类型放电电路中第一电容、第二电容的波形图。图6是本专利技术的第二类型放电电路的电路图。图7是本专利技术的第三类型放电电路的电路图。图8是本专利技术的放电装置的电路图。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚、明确,以下参照附图并举实施例对本专利技术进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术,并不用于限定本专利技术。在现有技术的基础上,在放电装置中加入主动放电电路,该主动放电电路代替现有技术中的继电器控制电路,同样能满足断电时对大容量电容进行泄放残余电压,而正常工作状态产生较小的功耗。本专利技术中主动放电电路是利用双向可控硅和阻容器件的交直流特性,当工作状态时,持续施加交流电压时,主动放电电路不工作,产生的功耗小于50mW,当断电时,主动放电电路工作,在1s之内将残余电压泄放至安全电压34V之下。请参见图4,图4是本专利技术第一类型放电电路的电路图,包括:第一电容C1、第二电容C2、双向可控硅TR1、双向触发二极管TR2、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3。第一电容为用于抑制差模干扰的大容量电容。双向可控硅TR1为交流开关器件,其关键指标是闭锁电流IL,即大于这个电流才会使TR1持续导通。优选的,双向可控硅TR1的闭锁电流IL范围为5mA~10mA。双向触发二极管TR2为二端交流器件,常用来触发双向晶闸管。其关键指标是导通电压VBO,即达到导通电压后才会导通。优选的,双向触发二极管的导通电压VBO范围为30V~34V。所述第一电容C1连接电压输入端,第一电阻R1与第二电容C2串联,第三电阻R3、双向可控硅TR1、第二电阻R2、双向触发二极管TR2依次连接,双向触发二极管TR2与第一电阻R1、第二电容C2连接。所述第一电容的两端分别连接第一供电线和第二供电线;所述第一供电线、第二供电线可以为火线或零线。当第一供电线为火线时,第二供电线为零线;当第一供电线为零线时,第二供电线为火线。下面以第一供电线为火线、第二供电线为零线为例,对该主动放电电路的元件间的连接关系进行解释:所述第一电容C1的两端分别连接火线L和零线N;所述第一电阻R1一端连接火线L,第一电阻R1另一端连接双向触发二极管TR2一端、第二电容C2一端;所述第二电容C2另一端连接零线N;所述双向触发二极管TR2另一端连接第二电阻R2一端;所述第二电阻R2另一端连接双向可控硅TR1的控制极G;所述双向可控硅TR1的主电极T2连接第三电阻R3另一端,所述双向可控硅TR1的主电极T1连接零线N。当交流电压断开时,所述第一电容C1通过第一电阻R1向第二电容C2充电;当第二电容C2的电压大于双向触发二极管TR2的导通电压时,导通双向触发二极管TR2,第二电容C2存储电荷通过双向触发二极管TR2及第二电阻R2触发导通双向可控硅TR1;双向可控硅TR1与第三电阻R3形成的通路将第一电容C1存储电荷进行泄放;随着C1存储电荷的泄放,C1两端电压逐渐下降,当C1电压降至双向触发二极管TR2导通电压VBO且流经本文档来自技高网...
一种主动放电电路及放电装置

【技术保护点】
一种主动放电电路,用于泄放残余电压,其特征在于,包括:第一电容、第二电容、双向可控硅、双向触发二极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻;所述第一电容连接电压输入端,第一电阻与第二电容串联,第三电阻、双向可控硅、第二电阻、双向触发二极管依次连接,双向触发二极管与第一电阻、第二电容连接;当交流电压断开时,所述第一电容通过第一电阻向第二电容充电;当第二电容的电压大于双向触发二极管的导通电压时,双向可控硅与第三电阻形成的通路将第一电容存储电荷进行泄放;当第二电容的电压降至双向可控硅的截止电压,双向可控硅截止,放电结束。

【技术特征摘要】
1.一种主动放电电路,用于泄放残余电压,其特征在于,包括:第一电容、第二电容、双向可控硅、双向触发二极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻;所述第一电容连接电压输入端,第一电阻与第二电容串联,第三电阻、双向可控硅、第二电阻、双向触发二极管依次连接,双向触发二极管与第一电阻、第二电容连接;当交流电压断开时,所述第一电容通过第一电阻向第二电容充电;当第二电容的电压大于双向触发二极管的导通电压时,双向可控硅与第三电阻形成的通路将第一电容存储电荷进行泄放;当第二电容的电压降至双向可控硅的截止电压,双向可控硅截止,放电结束。2.根据权利要求1所述主动放电电路,其特征在于,所述第一电容的两端分别连接第一供电线和第二供电线;所述第一电阻一端连接第一供电线,第一电阻另一端连接双向触发二极管一端、第二电容一端;所述第二电容另一端连接第二供电线;所述双向触发二极管另一端连接第二电阻一端;所述第二电阻另一端连接双向可控的硅控制极G;所述双向可控硅的主电极T2连接第三电阻另一端,所述双向可控硅的主电极T1连接第二供电线。3.根据权利要求2所述主动放电电路,其特征在于,当所述第二电容的电压大于双向触发二极管的导通电压时,导通双向触发二极管,第二电容存...

【专利技术属性】
技术研发人员:苏培涛盘耀东欧阳正良苏周浩然
申请(专利权)人:深圳朗特智能控制股份有限公司
类型:发明
国别省市:广东,44

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