薄膜滤波器及薄膜滤波器制造方法技术

本发明专利技术实施例提供了一种薄膜滤波器及薄膜滤波器制造方法，属于滤波器技术领域。薄膜滤波器包括：陶瓷基板、传输线和谐振器，谐振器包括：第一谐振器和第二谐振器；传输线和谐振器均印制在陶瓷基板的第一表面，传输线耦合薄膜滤波器的输入端和输出端，第一谐振器和第二谐振器分居传输线的两侧。通过信号在传输线传输时，第一谐振器和第二谐振器的平行耦合，在缩小薄膜滤波器的体积的同时，还能够有效提高薄膜滤波器的阻带带宽和提高对信号的抑制深度。

【技术实现步骤摘要】
薄膜滤波器及薄膜滤波器制造方法
本专利技术涉及滤波器
，具体而言，涉及一种薄膜滤波器及薄膜滤波器制造方法。
技术介绍
目前，滤波器由于其对有害信号的抑制作用，导致其已经在信号处理的各个领域得到了广泛的应用。现有技术中，大多数的滤波器中的电子元件集成度不高，导致其体积较大，故该类滤波器无法应用在较为集成的电路板中，进而影响了其使用的适用性。此外，现有技术中也有部分小型化的滤波器，该类虽然能够应用在较为集成的电路板中，但受到其体积的限制，导致其滤波效果不佳或带宽过窄，进而也影响了其使用的适用性。因此，如何在提高滤波器滤波性能的同时，还能够有效减小滤波器的体积，使得滤波器微型化是目前业界一大难题。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种薄膜滤波器及薄膜滤波器制造方法，以改善上述缺陷。本专利技术的实施例是这样实现的：第一方面，本专利技术实施例提供一种薄膜滤波器，所述薄膜滤波器包括：陶瓷基板、传输线和谐振器，所述谐振器包括：第一谐振器和第二谐振器。所述传输线和所述谐振器均印制在所述陶瓷基板的第一表面，所述传输线耦合所述薄膜滤波器的输入端和输出端，所述第一谐振器和所述第二谐振器分居所述传输线的两侧。进一步的，所述谐振器为多组，每组所述谐振器由所述传输线一端至另一端依次印制在所述陶瓷基板的第一表面，每组所述谐振器所包括的所述第一谐振器和所述第二谐振器均分居所述传输线的两侧。进一步的，每个所述第一谐振器均包括：第一平板电容和第一接地孔，每个所述第二谐振器均包括：第二平板电容和第二接地孔，所述第一平板电容和所述第一接地孔耦合，所述第二平板电容和所述第二接地孔耦合。进一步的，所述陶瓷基板设有数量和所述第一接地孔匹配的多个第一通孔，以及数量和所述第二接地孔匹配的多个第二通孔，每个所述第一通孔均贯穿所述陶瓷基板并位于所述第一接地孔的下方，每个所述第二通孔均贯穿所述陶瓷基板并位于所述第二接地孔的下方。进一步的，每组所述谐振器所包括的所述第一谐振器和所述第二谐振器平行，每组所述谐振器所包括的所述第一谐振器和所述第二谐振器在所述传输线两侧的位置相互匹配。进一步的，相邻的两组所述谐振器之间的所述传输线为弯折状。进一步的，所述传输线和每组所述谐振器均为由导电材料制成的薄片状结构，所述陶瓷基板相对第一表面的第二表面均覆盖有导电材料。进一步的，所述陶瓷基板的介电常数大于或等于10。进一步的，所述薄膜滤波器输入端的第一表面和输出端的第一表面、以及所述谐振器所包括的所述第一谐振器的第一表面和所述第二谐振器的第一表面均位于同一平面内。第二方面，本专利技术实施例提供一种薄膜滤波器制造方法，应用于所述的薄膜滤波器，所述方法包括：将传输线通过磁控溅射或光刻的方式印制在陶瓷基板的第一表面。将谐振器通过所述磁控溅射或所述光刻的方式印制在所述陶瓷基板的第一表面，以使所述谐振器中的第一谐振器和第二谐振器分别位于所述传输线的两侧。本专利技术实施例的有益效果是：通过将传输线和谐振器所包括的第一谐振器和第二谐振器均印制在陶瓷基板的第一表面上，则通过印制技术有效减小了薄膜滤波器的体积。再通过传输线耦合薄膜滤波器的输入端和输出端，以使需要滤波的信号能够在传输线中传输。此外，将谐振器中的第一谐振器和第二谐振器分居传输线的两侧。通过信号在传输线传输时，第一谐振器和第二谐振器的平行耦合，在缩小薄膜滤波器的体积的同时，还能够有效提高薄膜滤波器的阻带带宽和提高对信号的抑制深度。本专利技术的其他特征和优点将在随后的说明书阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本专利技术实施例而了解。本专利技术的目的和其他优点可通过在所写的说明书、权利要求书、以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。通过附图所示，本专利技术的上述及其它目的、特征和优势将更加清晰。在全部附图中相同的附图标记指示相同的部分。并未刻意按实际尺寸等比例缩放绘制附图，重点在于示出本专利技术的主旨。图1示出了本专利技术第一实施例提供的一种薄膜滤波器的结构示意图；图2示出了本专利技术第一实施例提供的一种薄膜滤波器的原理图；图3示出了本专利技术第二实施例提供的一种薄膜滤波器的结构示意图；图4示出了本专利技术第二实施例提供的一种薄膜滤波器的信号仿真图；图5示出了本专利技术第二实施例提供的一种薄膜滤波器的结构示意图；图6示出了本专利技术第二实施例提供的一种薄膜滤波器的信号仿真图；图7示出了本专利技术第三实施例提供的一种薄膜滤波器制造方法的流程图。图标：100-薄膜滤波器；110-陶瓷基板；111-第一通孔；112-第二通孔；120-输入端；130-输出端；140-传输线；150-谐振器；151-第一谐振器；1511-第一平板电容；1512-第一接地孔；152-第二谐振器；1521-第二平板电容；1522-第二接地孔。具体实施方式为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本专利技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本专利技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本专利技术的范围，而是仅仅表示本专利技术的选定实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。在本专利技术的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”、“竖直”、“平行”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该专利技术产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。此外，术语“平行”、“竖直”、“垂直”等术语并不表示要求部件绝对平行或垂直，而是可以稍微倾斜。如“平行”不是表示该结构一定要完全平行，而是可以稍微倾斜。在本专利技术的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“连接”、“耦合”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。第一实施例请参阅图1，本专利技术第一实施例提供了一种薄膜滤波器100，该薄膜滤波器100包括：陶瓷基板110、输入端120、输出端130、传输线140和谐振器150。陶瓷基板110可以为由绝缘的陶瓷材料制成的板状结构。作为一种实施方式，陶瓷基板110可以为矩形板状结构，即陶瓷基板110在竖直方向所形成的投影的形状为本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜滤波器，其特征在于，所述薄膜滤波器包括：陶瓷基板、传输线和谐振器，所述谐振器包括：第一谐振器和第二谐振器；所述传输线和所述谐振器均印制在所述陶瓷基板的第一表面，所述传输线耦合所述薄膜滤波器的输入端和输出端，所述第一谐振器和所述第二谐振器分居所述传输线的两侧。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜滤波器，其特征在于，所述薄膜滤波器包括：陶瓷基板、传输线和谐振器，所述谐振器包括：第一谐振器和第二谐振器；所述传输线和所述谐振器均印制在所述陶瓷基板的第一表面，所述传输线耦合所述薄膜滤波器的输入端和输出端，所述第一谐振器和所述第二谐振器分居所述传输线的两侧。2.根据权利要求1所述的薄膜滤波器，其特征在于，所述谐振器为多组，每组所述谐振器由所述传输线一端至另一端依次印制在所述陶瓷基板的第一表面，每组所述谐振器所包括的所述第一谐振器和所述第二谐振器均分居所述传输线的两侧。3.根据权利要求2所述的薄膜滤波器，其特征在于，每个所述第一谐振器均包括：第一平板电容和第一接地孔，每个所述第二谐振器均包括：第二平板电容和第二接地孔，所述第一平板电容和所述第一接地孔耦合，所述第二平板电容和所述第二接地孔耦合。4.根据权利要求3所述的薄膜滤波器，其特征在于，所述陶瓷基板设有数量和所述第一接地孔匹配的多个第一通孔，以及数量和所述第二接地孔匹配的多个第二通孔，每个所述第一通孔均贯穿所述陶瓷基板并位于所述第一接地孔的下方，每个所述第二通孔均贯穿所述陶瓷基板并位于所述第二接地孔的下方。5.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：王聪玲，钟清华，韩玉成，贾鹏乐，朱沙，
申请(专利权)人：中国振华集团云科电子有限公司，
类型：发明
国别省市：贵州,52