一种OLED基板及其制作方法、显示装置制造方法及图纸

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种OLED基板及其制作方法、显示装置，用以解决由于作为邦定区域引线的阳极的外围图案的阻值较大而导致OLED基板的起始电压较高，功耗较大的问题。所述OLED基板包括衬底、位于所述衬底之上的图案化的阳极，与所述阳极的外围图案并联接触连接的图案化的辅助电极，其中，所述辅助电极的阻抗小于所述阳极的阻抗。通过为邦定区域引线的阳极的外围图案并联辅助电极的方式，降低由阳极外围图案及辅助电极共同组成的引线的阻值，从而降低OLED基板的起始电压及功耗，进而提高OLED器件工作效率并延长寿命。

【技术实现步骤摘要】
一种OLED基板及其制作方法、显示装置
本申请涉及显示
，尤其涉及一种OLED基板及其制作方法、显示装置。
技术介绍
随着显示技术的不断发展，有机发光二极管(OrganicLight-EmittingDiode，OLED)基板生产工艺领域受到越来越多的关注。近年来，OLED基板生产的精度及良率逐渐提高，为了实现OLED基板生产的工程化、量产化和工业化，OLED基板结构的研发至关重要。在现有的OLED基板生产工艺流程中，需要将OLED基板与电路板进行邦定，电路板可以包括柔性电路板(FlexiblePrintedCircuit，FPC)或集成电路(IntegratedCircuit，IC)。邦定是一种贴合工艺，能够实现电路板与OLED基板之间信号导通。现有技术中的OLED基板结构如图1所示，主要包括阳极11和衬底12。通常情况下，OLED基板的阳极11周边区域为邦定区域，用于与电路板邦定。目前常用的阳极11材料为ITO，ITO是一种铟锡氧化物，在特定厚度下兼具导电性及透光性，能够使OLED基板在透光的情况下具有导电性能。但作为邦定区域引线的阳极的阻值较大，导致OLED基板的起始电压较高，功耗较大，从而影响OLED器件工作效率及寿命等。
技术实现思路
本申请实施例提供一种OLED基板，用以解决由于作为邦定区域引线的阳极的外围图案阻值较大而导致OLED基板的起始电压较高，功耗较大的问题。本申请实施例还提供一种OLED显示装置，用以解决由于作为邦定区域引线的阳极的外围图案阻值较大而导致OLED基板的起始电压较高，功耗较大的问题。本申请实施例还提供一种OLED基板的制作方法，用以解决由于作为邦定区域引线的阳极的外围图案阻值较大而导致OLED基板的起始电压较高，功耗较大的问题。本申请实施例采用下述技术方案：一种OLED基板，包括：衬底，位于所述衬底之上的图案化的阳极，还包括：与所述阳极的外围图案并联接触连接的图案化的辅助电极，其中，所述辅助电极的阻抗小于所述阳极的阻抗。优选地，所述辅助电极在所述衬底上的正投影与所述阳极的外围图案在所述衬底上的正投影相重合。优选地，所述辅助电极位于所述阳极下方，且与所述辅助电极并联接触连接的所述阳极的外围图案用于邦定电路板，其中，所述阳极的抗氧化性优于所述辅助电极的抗氧化性。优选地，所述OLED基板还包括：填充在所述阳极的图案缝隙处的绝缘层。优选地，所述辅助电极的材质为金属或金属合金，所述阳极的材质为透明氧化物。优选地，所述辅助电极的材质为钼铝钼，所述阳极的材质为铟锡氧化物ITO。优选地，所述辅助电极的厚度范围为4500-6500埃米。优选地，所述阳极的厚度范围为500-2500埃米。一种显示装置，包括上述任意一项所述的OLED基板。一种制作上述OLED基板的方法，包括：在衬底上形成图案化的辅助电极以及图案化的阳极，所述阳极的外围图案与所述辅助电极并联接触连接，其中，所述辅助电极的阻抗小于所述阳极的阻抗。本申请实施例采用的上述至少一个技术方案能够达到以下有益效果：通过为OLED基板中阳极的外围图案并联接触连接辅助电极，使得由阳极外围图案及辅助电极共同组成的引线的阻值不致于过大，在一定程度上减小了邦定区域的引线的阻值，从而，降低OLED基板的起始电压及功耗，进而，提高OLED器件的工作效率，延长工作寿命。附图说明此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：图1为现有技术中OLED基板结构示意图；图2a为本专利技术提供的一种OLED基板的局部俯视结构示意图；图2b为本专利技术提供的一种OLED基板的剖面结构示意图；图3为本专利技术实施例中所涉及的一种OLED基板的制作工艺流程示意图。具体实施方式为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请具体实施例及相应的附图对本申请技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。以下结合附图，详细说明本申请各实施例提供的技术方案。实施例一如图2a所示，为本专利技术提供的OLED基板的局部俯视结构示意图，图中仅示出OLED基板部分结构，包括衬底21、图案化的阳极22和绝缘层24。其中，绝缘层24仅示出与图案化的阳极22相关的结构，其实，除图中示出的结构之外，该OLED基板还可以包括空穴传输层HTL、发光层EL、电子传输层ETL和阴极等层级结构。参照图2b所示，为沿图2a中剖切线AB进行剖切得到的剖面结构示意图，由图2b可知，该OLED基板主要包括：衬底21、位于衬底21之上的图案化的阳极22，其实，该阳极22可进一步限定为位于显示区域的网格图案22a，以及位于非显示区域(即衬底的边缘)的外围图案22b；与阳极22的外围图案22b并联接触连接的图案化的辅助电极23，其中，该辅助电极23的阻抗小于阳极22的阻抗。通过上述技术方案，在OLED基板中增加辅助电极，并将辅助电极与阳极的外围图案采用接触连接的方式并联在一起，增大邦定区域中引线的电阻横截面积，有效降低邦定区域中由阳极的外围图案及辅助电极共同组成的引线的阻值，进而OLED基板的起始电压及功耗也随之下降，由此提高OLED器件的工作效率、延长工作寿命。优选地，辅助电极23在衬底21上的正投影与阳极22的外围图案22b在衬底21上的正投影相重合。仍参照图2b所示，由于辅助电极23与阳极22的外围图案22b的连接方式为并联，当辅助电极23与阳极22的外围图案22b相重合时，能够使得并联接触面积增大，辅助电极23的阻抗与阳极的外围图案22b的阻抗分别达到较小，使得并联后邦定区域的引线阻抗减小，进而降低OLED基板的起始电压及功耗，提高OLED器件工作效率并延长工作寿命。优选地，图2b中辅助电极23的材质为金属或金属合金，阳极22的材质为透明氧化物。具体地，衬底的材质以玻璃为优选方案，辅助电极的材质可以为钼铝钼、钛钼钛或者铜，其中，钼铝钼为三层金属夹层结构，在工艺上，一般通过依次溅射钼、铝、钼金属单质形成。钼铝钼导电性能好，但材质较软容易被划伤，化学性质活泼，若直接暴露在空气中容易发生水氧腐蚀，使线路中夹杂金属氧化物，从而影响辅助电极的导电性能。优选地，辅助电极23位于阳极22下方，且与辅助电极23并联接触连接的阳极22的外围图案22b用于邦定电路板，其中，阳极22的抗氧化性优于辅助电极23的抗氧化性。其中，考虑到辅助电极的材质一般为导电性能较好的金属，当与阳极外围图案并联，辅助电极与阳极外围图案共同作为引线使用时，可在外围图案的人为设定区域邦定电路板，例如集成电路IC或FPC。由于辅助电极直接暴露在空气中容易被水氧腐蚀，且辅助电极易被划伤，从而，极易发生短路或者断路等问题，导致辅助电极的导电性能受到影响，直接影响到显示品质。因此，本申请将辅助电极设置在阳极的下方，而让抗氧化性较优的阳极暴露在外，以实现对辅助电极的保护；而且，由于阳极多采用透明氧化物，其不易发生水氧腐蚀，且其硬度要优于辅助电极，因此，当辅助电极位于阳极外围图案下方，且阳极外围本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种OLED基板，包括：衬底，位于所述衬底之上的图案化的阳极，其特征在于，还包括：与所述阳极的外围图案并联接触连接的图案化的辅助电极，其中，所述辅助电极的阻抗小于所述阳极的阻抗。

【技术特征摘要】
1.一种OLED基板，包括：衬底，位于所述衬底之上的图案化的阳极，其特征在于，还包括：与所述阳极的外围图案并联接触连接的图案化的辅助电极，其中，所述辅助电极的阻抗小于所述阳极的阻抗。2.如权利要求1所述的OLED基板，其特征在于，所述辅助电极在所述衬底上的正投影与所述阳极的外围图案在所述衬底上的正投影相重合。3.如权利要求2所述的OLED基板，其特征在于，所述辅助电极位于所述阳极下方，且与所述辅助电极并联接触连接的所述阳极的外围图案用于邦定电路板，其中，所述阳极的抗氧化性优于所述辅助电极的抗氧化性。4.如权利要求1所述的OLED基板，其特征在于，还包括：填充在所述阳极的图案缝隙处的绝缘层。5.如权利要求1-4任一项所述的OLED基板，其特征在于，所述辅助...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈兵，
申请(专利权)人：昆山维信诺科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32