一种白光OLED发光器件制造技术

本申请涉及白光OLED发光器件。该结构包括衬底、与所述衬底密封连接形成封装空间的封装层，以及容置于所述封装空间内并依次形成于所述衬底上的阳极导电层、蓝光发光层和阴极导电层；白光OLED发光器件还包括设置于所述封装层与所述阴极导电层之间的量子点发光层；所述蓝光发光层发出蓝光并激发所述量子点发光层发光，且所述蓝光与所述量子点发光层发出的光色混合成白光。该方案中，采用蓝光发光层与量子点发光层的结合可有助于与提高OLED的光色稳定性和延长OLED的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
一种白光OLED发光器件
本申请涉及显示
，尤其涉及一种白光OLED发光器件。
技术介绍
当前，世界照明产业正快速发展，新的照明产品的不断研发和新技术的不断涌现带动了照明产业跨越式的发展。从传统的白炽灯，到荧光管，以及到如今的LED(发光二极管，Light-EmittingDiode)和OLED(OrganicLight-EmittingDiode，有机发光二极管)等，无不展现着照明技术的飞跃发展。其中，OLED具有成本低、全固态、主动发光、亮度高、视角宽、厚度薄、低电压直流驱动、功耗低、工作温度范围宽、可实现软屏照明等特点，被称为新一代节能环保照明产品。其中，OLED包括白光有机发光二极管，可采用该种发光二极管制成可产生白光的发光器件。相关技术中的发光器件通常包括衬底、与衬底密封连接的封装层，以及依次沉积在衬底上的色转换层、阳极导电层、OLED发光层以及阴极导电层；OLED发光层的光线与色转换层发出的光色混合形成白光。然而，在该种发光器件中，该色转换层通常沉积在阳极导电层的背面，使整个器件的厚度较厚，不利于白光照明的轻薄化，并导致OLED发光层发出的光线必须经过阳极导电层后才能到达色转换层，而阳极导电层的电路设计将遮挡OLED发光层的出光，导致OLED开口率较小且出光性能较弱。另外，色转换层通常由有机染料和荧光粉制成，在长时间的使用过程中，由上述材料制成的色转换层的光色稳定性差，且寿命较低。
技术实现思路
本申请提供了一种白光OLED发光器件，能够提高光色的稳定性和出光性能且能够延长使用寿命。本专利技术提供了一种白光OLED发光器件，包括衬底、与所述衬底密封连接形成封装空间的封装层，以及容置于所述封装空间内并依次形成于所述衬底上的阳极导电层、蓝光发光层和阴极导电层；白光OLED发光器件还包括设置于所述封装层与所述阴极导电层之间的量子点发光层；所述蓝光发光层发出蓝光并激发所述量子点发光层发光，且所述蓝光与所述量子点发光层发出的光色混合形成白光。优选的，还包括设置于所述阴极导电层与所述量子点发光层之间的散射层。优选的，所述量子点发光层包括至少一个由纳米晶粒形成的纳米发光层，且所述纳米晶粒的粒径范围为1nm-100nm。优选的，所述纳米晶粒由金属、金属合金、金属氧化物、绝缘体和半导体材料中的至少一者制成。优选的，所述纳米晶粒为单一材料结构，并所述纳米晶粒由CdS、CdZnS、ZnS或ZnTe制成；或所述纳米晶粒为多材料的核壳结构，且所述纳米晶粒的材料为ZnTe/ZnS、InAs/CdSe/CdS、InP/ZnTe/ZnS、InP/ZnSe/ZnTe、InP/ZnSe/CdS、InP/ZnSe/ZnS、ZnTe/ZnSe/ZnS、ZnSe/ZnTe/ZnS、ZnSeTe/ZnTe/ZnS、CdSe/CdSSe/CdS、CdSe/CdS/CdZnS、CdSe/CdZnSe/CdZnS或CdSe/CdZnS/ZnS。优选的，所述蓝光发光层包括至少一层发光主体层以及分别设置于所述发光主体层两侧的空穴传输层和电子传输层；所述空穴传输层设置于所述发光主体层靠近所述阳极导电层的一侧，所述电子传输层设置于所述发光主体层靠近所述阴极导电层的一侧。优选的，所述蓝光发光层还包括空穴注入层和电子注入层；所述空穴注入层设置于所述阳极导电层与所述空穴传输层之间，所述电子注入层设置于所述阴极导电层与所述电子传输层之间。优选的，所述发光主体层由热激发型延迟荧光材料制成，且所述热激发型延迟荧光材料的单线态和三线态能级差小于0.5eV。优选的，所述热激发延迟荧光材料为PPZ-DPO、PPZ-3TPT、PPZ-4TPT、PPZ-DPS或PXZ-DPS、DMAC-DPS；其中，PPZ表示DMAC，5-苯基-5，10-二氢吩嗪，DPO表示2，5-二苯基二唑；3TPT表示3，4，5-三苯基三唑；4TPT表示2，3，4-三苯基-三唑化合物；DPS表示二苯基砜；PXZ表示吩⊥嗪；DMAC表示D＝9，9-二甲基吖叮。优选的，所述散射层的折射率大于1.5。优选的，所述散射层的材料为三(8-羟基喹啉)铝、N，N’-二(1-萘基)-N，N’-二苯基-1，1’-联苯-4-4’-二胺、MgS和MgF2中的任意一者。优选的，所述封装层包括密封接合的第一密封部和第二密封部，所述第一密封部包括中间部分和分别从所述中间部分的两端朝向所述衬底延伸的侧部分，所述第二密封部分别从所述中间部分两端的所述侧部分对应延伸至所述衬底，所述中间部分正对所述散射层。优选的，所述量子点发光层沉积于所述中间部分上；或所述量子点发光层沉积于所述散射层上。优选的，所述第一密封部由玻璃、透明金属、透明塑料或薄膜封装层制成；所述第二密封部由玻璃、透明金属、透明塑料、薄膜封装层、紫外固化胶或热固化胶制成。本申请提供的技术方案可以达到以下有益效果：本申请提供了一种白光OLED发光器件，在封装层与阴极导电层之间设置有量子点发光层，并利用蓝光发光层发出蓝光并激发量子点发光层发光以产生白光，有助于提高OLED有机膜和金属阴极的抗水氧能力，从而可以提高OLED的光色稳定性和延长OLED的使用寿命。另外，该种白光OLED发光器件的出光性能大大提高，且厚度较薄。应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性的，并不能限制本申请。附图说明图1为本申请一实施例所提供的白光OLED器件的示意图；图2为图1中的蓝光发光层的结构示意图；图3为本申请实施例所提供的白光OLED器件的示意图II。此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本申请的实施例，并与说明书一起用于解释本申请的原理。具体实施方式下面通过具体的实施例并结合附图对本申请做进一步的详细描述。如图1所示，本申请提供了一种白光OLED发光器件，包括衬底1、与衬底1密封连接形成密封空间的封装层2，以及容置于该封装空间内并依次形成于衬底1上的阳极导电层3、蓝光发光层4和阴极导电层5。其中，衬底1作为各导电层和发光层的载体，各导电层和发光层可以通过真空热蒸镀或旋涂工艺沉积于衬底1上。衬底1的材料可以选用玻璃、陶瓷等。本申请中，白光OLED发光器件还包括量子点发光层6，量子点发光层6设置于封装层2与阴极导电层5之间。当蓝光发光层4通电后，蓝光发光层4发出蓝光并激发量子点发光层6发光，随后蓝光发光层4发出的蓝光与量子点发光层6发出的光色混合形成白光。上述方案中，优选地，量子点发光层6采用抗水氧的纳米晶粒制成，其具有抗水氧性质，有助于提高OLED有机膜和金属阴极的抗水氧能力，从而可以提高OLED的光色稳定性和延长OLED的使用寿命。此外，在上述的方案中，由于量子点发光层6设置于靠近阴极导电层5的一侧，而蓝光发光层设置在阴极导电层5的相反侧，因此蓝光发光层发出的蓝光不再从阳极导电层3的一侧射出，而是靠近阴极导电层5的一侧射出，其可最大程度地减少发光源(蓝光发光层)到该量子点发光层之间的能量损耗，由此可避免由于阳极电路的遮挡导致OLED开口率小和出光性能差的缺陷，同时，可使整个发光器件的厚度较薄。在本实施例中，该量子点发光层6包括至少一个由纳米晶粒形成的纳米发光层；其中，纳米晶粒的粒径范围可以为1nm-100nm。该纳米晶粒可以吸收蓝光发光层4的蓝光本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种白光OLED发光器件，其特征在于，包括衬底、与所述衬底密封连接形成封装空间的封装层，以及容置于所述封装空间内并依次形成于所述衬底上的阳极导电层、蓝光发光层和阴极导电层；白光OLED发光器件还包括设置于所述封装层与所述阴极导电层之间的量子点发光层；所述蓝光发光层发出蓝光并激发所述量子点发光层发光，且所述蓝光与所述量子点发光层发出的光色混合形成白光。

【技术特征摘要】
1.一种白光OLED发光器件，其特征在于，包括衬底、与所述衬底密封连接形成封装空间的封装层，以及容置于所述封装空间内并依次形成于所述衬底上的阳极导电层、蓝光发光层和阴极导电层；白光OLED发光器件还包括设置于所述封装层与所述阴极导电层之间的量子点发光层；所述蓝光发光层发出蓝光并激发所述量子点发光层发光，且所述蓝光与所述量子点发光层发出的光色混合形成白光。2.根据权利要求1所述的白光OLED发光器件，其特征在于，还包括设置于所述阴极导电层与所述量子点发光层之间的散射层。3.根据权利要求1所述的白光OLED发光器件，其特征在于，所述量子点发光层包括至少一个由纳米晶粒形成的纳米发光层，且所述纳米晶粒的粒径范围为1nm-100nm。4.根据权利要求3所述的白光OLED发光器件，其特征在于，所述纳米晶粒由金属、金属合金、金属氧化物、绝缘体和半导体材料中的至少一者制成。5.根据权利要求4所述的白光OLED发光器件，其特征在于，所述纳米晶粒为单一材料结构，并由CdS、CdZnS、ZnS或ZnTe制成；或所述纳米晶粒为核壳结构，且所述纳米晶粒的材料为ZnTe/ZnS、InAs/CdSe/CdS、InP/ZnTe/ZnS、InP/ZnSe/ZnTe、InP/ZnSe/CdS、InP/ZnSe/ZnS、ZnTe/ZnSe/ZnS、ZnSe/ZnTe/ZnS、ZnSeTe/ZnTe/ZnS、CdSe/CdSSe/CdS、CdSe/CdS/CdZnS、CdSe/CdZnSe/CdZnS或CdSe/CdZnS/ZnS。6.根据权利要求1所述的白光OLED发光器件，其特征在于，所述蓝光发光层包括至少一层发光主体层以及分别设置于所述发光主体层两侧的空穴传输层和电子传输层；所述空穴传输层设置于所述发光主体层靠近所述阳极导电层的一侧，所述电子传输层设置于所述发光主体层靠近所述阴极导电层的一侧。7.根据权利要求6所述的白光OLED发光器件，其特征在于，所述蓝...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢再锋，
申请(专利权)人：瑞声光电科技常州有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32