【技术实现步骤摘要】
有机电致发光元件及电子设备本申请是申请日为2014年12月24日,申请号为201480017162.4,专利技术名称为“有机电致发光元件及电子设备”的专利申请的分案申请。
本专利技术涉及有机电致发光元件及电子设备。
技术介绍
若对有机电致发光元件(以下,有时称为有机EL元件。)施加电压,则空穴从阳极、电子从阴极分别注入发光层。并且,在发光层中,注入的空穴与电子复合,形成激子。此时,根据电子自旋的统计法,单重态激子、和三重态激子以25%:75%的比例生成。使用来自单重态激子发光的荧光型有机EL元件的内部量子效率的界限据称为25%。荧光型有机EL元件正被应用于移动电话、电视等全彩显示器,但期待着在单重态激子的基础上利用三重态激子的进一步效率化。从这样的背景出发,提出了利用迟滞荧光的高效率的荧光型有机EL元件,正在进行研究。例如,正在研究TADF(ThermallyActivatedDelayedFluorescence、热活性化迟滞荧光)机理。该TADF机理是在使用单重态能级与三重态能级的能量差(ΔST)小的材料的情况下,利用从三重态激子向单重态激子的反向系间窜越在热条件下发生的现象的机理。热活性迟滞荧光记载于例如“安达千波矢编、《有机半导体的器件物性》、讲谈社、2012年3月22日、261-262页”。利用该TADF机构的有机EL元件在例如专利文献1~3中公开。专利文献1中,公开了一种具备含有ΔST小的化合物作为主体材料、含有荧光发光性的化合物作为掺杂剂材料的发光层的有机EL元件。根据专利文献1,记载了使用ΔST小的化合物作为主体材料,通过该主体材料体现TA ...
【技术保护点】
一种有机电致发光元件,其包含阳极、发光层、和阴极,所述发光层包含第一材料、第二材料和第三材料,所述第一材料为荧光发光性的发光材料,所述第二材料为迟滞荧光发光性的材料,所述第三材料的单重态能量大于所述第二材料的单重态能量,所述第二材料的77[K]下的能隙Eg
【技术特征摘要】
2013.12.26 JP 2013-270267;2014.03.14 JP 2014-052131.一种有机电致发光元件,其包含阳极、发光层、和阴极,所述发光层包含第一材料、第二材料和第三材料,所述第一材料为荧光发光性的发光材料,所述第二材料为迟滞荧光发光性的材料,所述第三材料的单重态能量大于所述第二材料的单重态能量,所述第二材料的77[K]下的能隙Eg77K(M2)大于所述第一材料的77[K]下的能隙Eg77K(M1),所述第三材料的77[K]下的能隙Eg77K(M3)大于所述第二材料的77[K]下的能隙Eg77K(M2),其中,所述发光层并非含有下述化合物A、下述化合物B和下述化合物C的层,2.如权利要求1所述的有机电致发光元件,其中,所述第二材料的单重态能量EgS(M2)大于所述第一材料的单重态能量EgS(M1)。3.如权利要求1所述的有机电致发光元件,其中,所述第二材料的单重态能量EgS(M2)、与所述第二材料的77[K]下的能隙Eg77K(M2)之差ΔST(M2)满足下述数式(数1)的关系,ΔST(M2)=EgS(M2)-Eg77K(M2)<0.3[eV]...(数1)。4.如权利要求1所述的有机电致发光元件,其中,所述第一材料的单重态能量EgS(M1)、与所述第一材料的77[K]下的能隙Eg77K(M1)之差ΔST(M1)满足下述数式(数2)的关系,ΔST(M1)=EgS(M1)-Eg77K(M1)>0.3[eV]...(数2)。5.如权利要求1所述的有机电致发光元件,其中,所述第三材料的单重态能量EgS(M3)、与所述第三材料的77[K]下的能隙Eg77K(M3)之差ΔST(M3)满足下述数式(数3)的关系,ΔST(M3)=EgS(M3)-Eg77K(M3)>0.3[eV]...(数3)。6.如权利要求1所述的有机电致发光元件,其中,所述第三材料的电离势Ip(M3)、和所述第二材料的电离势Ip(M2)满足下述数式(数4)的关系,Ip(M3)≥Ip(M2)...(数4)。7.如权利要求1所述的有机电致发光元件,其中,所述第三材料的77[K]下的能隙Eg77K(M3)为2.9eV以上。8.如权利要求1所述的有机电致发光元件,其中,所述第三材料的电离势Ip(M3)为6.3eV以上。9.如权利要求1所述的有机电致发光元件,其中,所述第三材料的电子亲和势Af(M3)为2.8eV以上。10.如权利要求1至权利要求9中任一项所述的有机电致发光元件,其中,所述第三材料为芳香族烃化合物、或芳香族杂环化合物。11.如权利要求1至权利要求9中任一项所述的有机电致发光元件,其中,所述第三材料在一个分子中包含下述通式(31)所示的局部结构和下述通式(32)所示的局部结构中的至少一种,所述通式(31)中,X31~X36分别独立地为氮原子、或与所述第三材料的分子中的其它原子键合的碳原子,其中,X31~X36之中至少一个是与所述第三材料的分子中的其它原子键合的碳原子,所述通式(32)中,Y31~Y38分别独立地为氮原子、或与所述第三材料的分子中的其它原子键合的碳原子,其中,Y31~Y38之中至少一个是与所述第三材料的分子中的其它原子键合的碳原子,Y39为氮原子、氧原子、或硫原子。12.如权利要求11所述的有机电致发光元件,其中,所述通式(31)所示的局部结构以选自下述通式(33)和下述通式(34)中的至少一个基团的形式包含于所述第三材料中,所述通式(33)和所述通式(34)中,X31、X32、X34、X36分别独立地为氮原子、或CR31,R31为氢原子或取代基,该R31中的取代基选自卤原子、氰基、取代或无取代的碳原子数为1~30的烷基、取代或无取代的成环碳原子数为3~30的环烷基、取代或无取代的三烷基甲硅烷基、取代或无取代的芳烷基甲硅烷基、取代或无取代的三芳基甲硅烷基、取代或无取代的二芳基氧化膦基、取代或无取代的成环碳原子数为6~30的芳香族烃基、和取代或无取代的成环原子数为5~30的杂环基,其中,所述R31中的取代或无取代的成环碳原子数为6~30的芳香族烃基是非稠环,所述通式(33)和所述通式(34)中,波浪线部分表示与所述第三材料的分子中的其它原子或其它结构的键合部位。13.如权利要求12所述的有机电致发光元件,其中,所述R31为氢原子或取代基,该R31中的取代基选自卤原子、氰基、取代或无取代的碳原子数为1~30的烷基、取代或无取代的成环碳原子数为6~30的芳香族烃基、和取代或无取代的成环原子数为5~30的杂环基,其中,所述R31中的取代或无取代的成环碳原子数为6~30的芳香族烃基是非稠环。14.如权利要求12所述的有机电致发光元件,其中,所述R31为氢原子、取代或无取代的成环碳原子数为6~30的芳香族烃基、或者取代或无取代的成环原子数为5~30的杂环基。15.如权利要求12所述的有机电致发光元件,其中,所述X31、所述X32、所述X34、所述X36分别独立地为CR31。16.如权利要求11所述的有机电致发光元件,其中,所述通式(32)所示的局部结构以选自下述通式(35)、下述通式(36)、下述通式(37)、下述通式(38)、下述通式(39)、和下述通式(30a)中的至少一个基团的形式包含于所述第三材料中,所述通式(35)~(39)、(30a)中,Y31~Y38分别独立地为氮原子、或CR32,R32为氢原子或取代基,该R32中的取代基选自卤原子、氰基、取代或无取代的碳原子数为1~30的烷基、取代或无取代的成环碳原子数为3~30的环烷基、取代或无取代的三烷基甲硅烷基、取代或无取代的芳烷基甲硅烷基、取代或无取代的三芳基甲硅烷基、取代或无取代的二芳基氧化膦基、取代或无取代的成环碳原子数为6~30的芳香族烃基、和取代或无取代的成环原子数为5~30的杂环基,其中,所述R32中的取代或无取代的成环碳原子数为6~30的芳香族烃基是非稠环,所述通式(35)~(36)中,Y39为氮原子,所述通式(37)~(39)、(30a)中,Y39为NR33、氧原子、或硫原子,R33为取代基,该R33中的取代基选自氰基、取代或无取代的碳原子数为1~20的烷基、取代或无取代的成环碳原子数为3~20的环烷基、取代或无取代的碳原子数为1~20的烷氧基、取代或无取代的成环碳原子数为6~30的芳氧基、取代或无取代的碳原子数为1~20的烷硫基、取代或无取代的成环碳原子数为6~30的芳硫基、取代或无取代的碳原子数为3~50的烷基甲硅烷基、取代或无取代的成环碳原子数为6~50的芳基甲硅烷基、取代或无取代的成环碳原子数为6~30的芳香族烃基、和取代或无取代的成环原子数为5~30的杂环基,其中,所述R33中的取代或无取代的成环碳原子数为6~30的芳香族烃基是非稠环,所述通式(35)~(39)、(30a)中,波浪线部分表示与所述第三材料的分子中的其它原子或其它结构的键合部位。17.如权利要求16所述的有机电致发光元件,其中,所述R32为氢原子或取代基,该R32中的取代基选自卤原子、氰基、取代或无取代的碳原子数为1~30的烷基、取代或无取代的成环碳原子数为6~30的芳香族烃基、和取代或无取代的成环原子数为5~30的杂环基,其中,所述R32中的取代或无取代的成环碳原子数为6~30的芳香族烃基是非稠环。18.如权利要求16所述的有机电致发光元件,其中,所述R32为氢原子、取代或无取代的成环碳原子数为6~30的芳香族烃基、或者取代或无取代的成环原子数为5~30的杂环基。19.如权利要求16至权利要求18中任一项所述的有机电致发光元件,其中,所述通式(35)中,Y31~Y38分别独立地为CR32,所述通式(36)和所述通式(37)中,Y31~Y35、Y37、Y38分别独立地为CR32,所述通式(38)中,Y31、Y32、Y34、Y35、Y37、Y38分别独立地为CR32,所述通式(39)中,Y32~Y38分别独立地为CR32,所述通式(30a)中,Y32~Y37分别独立地为CR32。20.如权利要求11所述的有机电致发光元件中,其中,所述第三材料包含下述通式(30b)所示的基团,所述通式(30b)中,X31、X32、X34、X36分别独立地为氮原子、或CR31,Y31、Y32、Y34~Y38分别独立地为氮原子、CR32、或与所述第三材料的分子中的其它原子键合的碳原子,R31和R32分别独立地为氢原子或取代基,该R31和R32中的取代基选自卤原子、氰基、取代或无取代的碳原子数为1~30的烷基、取代或无取代的成环碳原子数为3~30的环烷基、取代或无取代的三烷基甲硅烷基、取代或无取代的芳烷基甲硅烷基、取代或无取代的三芳基甲硅烷基、取代或无取代的二芳基氧化膦基、取代或无取代的成环碳原子数为6~30的芳香族烃基、和取代或无取代的成环原子数为5~30的杂环基,其中,所述R31和所述R32中的取代或无取代的成环碳原子数为6~30的芳香族烃基是非稠环,Y39为NR33、氧原子、或硫原子,R33为取代基,该R33中的取代基选自氰基、取代或无取代的碳原子数为1~20的烷基、取代或无取代的成环碳原子数为3~20的环烷基、取代或无取代的碳原子数为1~20的烷氧基、取代或无取代的成环碳原子数为6~30的芳氧基、取代或无取代的碳原子数为1~20的烷硫基、取代或无取代的成环碳原子数为6~30的芳硫基、取代或无取代的碳原子数为3~50的烷基甲硅烷基、取代或无取代的成环碳原子数为6~50的芳基甲硅烷基、取代或无取代的成环碳原子数为6~30的芳香族烃基、和取代或无取代的成环原子数为5~30的杂环基,其中,所述R33中的取代或无取代的成环碳原子数为6~30的芳香族烃基是非稠环,X32和Y34可以经由氧原子、...
【专利技术属性】
技术研发人员:荻原俊成,吉田圭,桥本亮平,水木由美子,
申请(专利权)人:出光兴产株式会社,
类型:发明
国别省市:日本,JP
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