紫外光发光二极管的封装结构制造技术

本发明专利技术公开一种紫外光发光二极管的封装结构，包括：基板、透光体、至少一紫外光发光二极管、连接元件以及紫外光遮蔽层。透光体设置于基板上，透光体的内部具有空间。紫外光发光二极管设置于基板上、且位于所述空间内。连接元件设置在基板与透光体之间。紫外光遮蔽层设置在透光体与连接元件之间。此紫外光发光二极管的封装结构，能够提升紫外光的光输出效率、且避免封装材料的劣化。

【技术实现步骤摘要】
紫外光发光二极管的封装结构
本专利技术涉及一种发光二极管的封装结构，尤其涉及一种紫外光发光二极管(Ultravioletlightemittingdiode,UV-LED)的封装结构。
技术介绍
随着紫外光发光二极管的发光效率提升，相关的应用快速成长，如：水杀菌、空气类杀菌、食品类杀菌、医疗器械等专用领域中，均使用到紫外光发光二极管。目前的技术中，紫外光发光二极管的光输出功率范围是1mw到10mw。光输出功率为1mw的紫外光发光二极管的封装结构，主要是以金属壳体来进行气密封装。随着紫外光发光二极管的光输出功率的不断提升，如何设计封装结构来满足更高的光输出功率的需求，是所有研究者亟欲解决的技术问题。图1为以往的紫外光发光二极管的封装结构的示意图。请参照图1，紫外光发光二极管的封装结构100具有：基板110、紫外光发光二极管120、第一引线130a、第二引线130b、第一电极140a、第二电极140b、第一引脚150a、第二引脚150b、以及金属壳体160。如图1所示，金属壳体160具有取光口160a，使紫外光发光二极管120所发出的紫外光出射到外界。然而，由于金属壳体160本身的金属材料反射率差，且金属壳体160本身的设计并不适于将紫外光取出到外界，而有取光效率差及散热效率不佳的问题。另外，在利用高分子树脂来对于紫外光发光二极管进行封装的封装结构中，由于高分子树脂会吸收紫外光，将导致高分子树脂的劣化，产生泛黄、破裂等现象。因此，高分子树脂对于紫外光发光二极管的保护功能、防水气功能、取光功能等，将随着高分子树脂的劣化而减损。随着紫外光发光二极管的光输出功率不断的提高，高分子树脂劣化的问题将更凸显。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种紫外光发光二极管的封装结构，能够提升紫外光的光输出效率、避免封装材料的劣化，且能利用现有的发光二极管的封装制作工艺进行制作。为达上述目的，本专利技术提出一种紫外光发光二极管的封装结构，包括：基板、透光体、至少一紫外光发光二极管、连接元件以及紫外光遮蔽层。透光体设置于基板上，透光体的内部具有空间。紫外光发光二极管设置于基板上、且位于所述空间内。连接元件设置在基板与透光体之间。紫外光遮蔽层设置在透光体与连接元件之间。本专利技术还提出一种紫外光发光二极管的封装结构，包括：凹槽基板、透光体、至少一紫外光发光二极管、连接元件以及紫外光遮蔽层。凹槽基板具有一空间。透光体设置于凹槽基板。紫外光发光二极管设置于凹槽基板、且位于所述空间内。连接元件设置于透光体与凹槽基板之间。紫外光遮蔽层设置于透光体与连接元件之间。基于上述，本专利技术的紫外光发光二极管的封装结构至少具有以下的优点：利用透光体来进行封装，可达到气密性良好，减少水气与氧气对于紫外光发光二极管的损坏；并且，能达到较大的取光角度范围，能够提升紫外光的取光效率。另外，利用紫外光遮蔽层，可减低紫外光对于连接材料的损坏，可确保紫外光发光二极管的封装结构的完整性。此紫外光发光二极管的封装结构具有简单的构成，能够利用现有的发光二极管的封装制作工艺进行制作。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。附图说明图1为以往的紫外光发光二极管的封装结构的示意图；图2为本专利技术第一实施例的紫外光发光二极管的封装结构的示意图；图3为本专利技术第二实施例的紫外光发光二极管的封装结构的示意图；图4为本专利技术第三实施例的紫外光发光二极管的封装结构的示意图；图5为本专利技术第四实施例的紫外光发光二极管的封装结构的示意图；图6为本专利技术第五实施例的紫外光发光二极管的封装结构的示意图；图7为不具有封装结构的紫外光发光光源的示意图；图8为具有反射器的紫外光发光光源的示意图；图9为本专利技术的实施例的具有透光体的紫外光发光光源的示意图。附图标记说明100、200、202、300、302、400：紫外光发光二极管的封装结构110、210、510：基板120、230、330、430、530：紫外光发光二极管130a：第一引线130b：第二引线140a：第一电极140b：第二电极150a：第一引脚150b：第二引脚160：金属壳体160a：取光口212：凹槽220、320、420、520：透光体240、340、440：连接元件250、350、450：紫外光遮蔽层260：填充材料310、410：凹槽基板360：取光材料502、504、506：紫外光发光光源F：法线方向S：空间θ1、θ2：发光角度范围具体实施方式[第一实施例]图2是本专利技术第一实施例的紫外光发光二极管的封装结构的示意图。请参照图2，紫外光发光二极管的封装结构200包括：基板210、透光体220、至少一紫外光发光二极管230、连接元件240以及紫外光遮蔽层250。透光体220设置于基板210上，透光体220的内部具有空间S。紫外光发光二极管230设置于基板210上、且位于空间S内。连接元件240设置在基板210与透光体220之间。紫外光遮蔽层250设置在透光体220与连接元件240之间。请参照图2，基板210可以采用导热基板，能够适合高功率(例如大于3mW)的紫外光发光二极管230，且可适合紫外光发光二极管230的高密度倒装封装，亦即，基板210可承载多个紫外光发光二极管230，且相邻的两个紫外光发光二极管230之间具有窄间距，仍可保持良好的散热效率。透光体220的材料可以是石英玻璃、或是其他适合的材料(如不吸收紫外光的材料)。透光体220可以是利用石英玻璃所制作的盖体，从图2可看出，当使用透光体220来进行封装时，可使得紫外光发光二极管230所发出的紫外光，能够在较大的取光角度的范围内穿过透光体220。详细而言，紫外光发光二极管230可提供一紫外光(未绘示)，紫外光可穿透所述透光体220，且紫外光的发光角度范围θ1是：相对于紫外光发光二极管230的正面发光面的法线方向F，在正负90度的范围内，也就是，紫外光的发光角度范围θ1可以是180度。相较于以往使用金属壳体160来对于紫外光发光二极管进行封装的技术，本专利技术的实施例的透光体220可具有较大的取光角度范围，有利于将紫外光取出到外界，而提升光输出效率。另外，相较于以往使用高分子树脂来对于紫外光发光二极管进行封装的技术，本专利技术的实施例的透光体220并不会吸收紫外光的能量而劣化，因此，能够避免以往使用高分子树脂进行封装，因高分子树脂劣化所导致的问题。请再参照图2，在透光体220的所述空间S内可填充有气体(未绘示)。气体可以是惰性气体，使空间S内成为非反应性(inactive)的环境，由此，可保护紫外光发光二极管230，使紫外光发光二极管230的寿命延长。如图2所示，虽仅绘示一个紫外光发光二极管230，但根据光输出功率的设计需要，也可以在基板210上设置多个紫外光发光二极管230，以提升光输出功率。如图2所示，连接元件240可为胶材，例如，具有黏性的双面胶带、树脂等，均可用来将透光体220连接到基板210。值得注意的是，由于紫外光遮蔽层250设置在透光体220与连接元件240之间，所以，可防止紫外光对于连接元件240造成损坏。所述紫外光遮蔽层250的材料可以是选自于金属、陶瓷、硼砂玻璃及其组合。当紫外光遮蔽层250的材料使用金属时，可以是金本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种紫外光发光二极管的封装结构，其特征在于包括：基板；透光体，设置于所述基板上，所述透光体的内部具有空间；至少一紫外光发光二极管，设置于所述基板上、且位于所述空间内；连接元件，设置在所述基板与所述透光体之间；以及紫外光遮蔽层，设置在所述透光体与所述连接元件之间。

【技术特征摘要】
1.一种紫外光发光二极管的封装结构，其特征在于包括：基板；透光体，设置于所述基板上，所述透光体的内部具有空间；至少一紫外光发光二极管，设置于所述基板上、且位于所述空间内；连接元件，设置在所述基板与所述透光体之间；以及紫外光遮蔽层，设置在所述透光体与所述连接元件之间。2.如权利要求1所述的紫外光发光二极管的封装结构，其特征在于，所述基板具有凹槽，所述连接元件、所述紫外光遮蔽层与部分的所述透光体被设置于所述凹槽内。3.如权利要求2所述的紫外光发光二极管的封装结构，其特征在于，还包括：填充材料，设置于所述凹槽内。4.如权利要求1所述的紫外光发光二极管的封装结构，其特征在于，所述透光体的材料是石英玻璃。5.如权利要求1所述的紫外光发光二极管的封装结构，其特征在于，所述空间内填充有气体。6.如权利要求1所述的紫外光发光二极管的封装结构，其特征在于，所述紫外光遮蔽层的材料是选自于金属、陶瓷、硼砂玻璃及其组合。7.如权利要求1所述的紫外光发光二极管的封装结构，其特征在于，所述紫外光发光二极管提供一紫外光，所述紫外光穿透所述透光体，所述紫外光的发光角度范围是：相对于所述紫外光发光二极管的正面发光面的法线方向，在正负90度的范围内。8.如权利要求1所述的紫外光发光二极管的封装结构，其特征在于，所述连接元件为胶材。9.如权利要求1所述的紫外光发光二极管的封装结构，其特征在于，所述透光体的紫外光穿透率，大于所述紫外光遮蔽层的紫外光穿透率。10.一种紫外光发光二极管的封装结构，其特征在于包括：凹槽基板，具有一空间；透光体，...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢建均，许镇鹏，高智伟，方彦翔，
申请(专利权)人：财团法人工业技术研究院，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71