薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板及显示装置，属于显示器领域。所述薄膜晶体管包括衬底、设置在所述衬底上的栅极、设置在所述栅极上的栅极绝缘层、设置在所述栅极绝缘层上的有源层、设置在所述有源层上的源极和漏极以及设置在所述源极和漏极上的绝缘保护层；所述绝缘保护层包括至少2层间隔设置的无机绝缘层，任意相邻的两层无机绝缘层间设置有1层电极层。该薄膜晶体管能有效降低源漏极和电极间的寄生电容，降低功耗；且该薄膜晶体管能够避免造成显示不均、污渍等问题，且成本低。

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板及显示装置
本专利技术涉及显示器领域，特别涉及一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板及显示装置。
技术介绍
薄膜晶体管液晶显示器(英文ThinFilmTransistor-LiquidCrystalDisplay，简称TFT-LCD)主要包括阵列基板、彩膜基板以及设置与阵列基板和彩膜基板间的液晶，阵列基板设置有多个TFT。TFT基本结构依次为衬底、栅极、栅极绝缘层、有源层、源漏(英文Source/Drain，简称S/D)极、以及绝缘保护层。阵列基板还包括设置在绝缘保护层上的多个电极，当电极与S/D极距离较近，且绝缘保护层为无机膜制成时，S/D极与电极间会产生较大的寄生电容；当S/D极与电极之间的寄生电容太大时，所需的驱动电压较大，不仅可能超出集成电路(英文IntegratedCircuit，简称IC)的驱动范围，造成无法驱动，而且还会导致功耗较大，并且较大的寄生电容会导致不同灰阶画面发生串扰(英文cross-talk)，导致显示不均。目前，为了减小电极与S/D极间的寄生电容，应对的方法是采用有机膜(低介电常数、高厚度)代替无机膜(高介电常数、低厚度)制作绝缘保护层。然而，有机膜制作的绝缘保护层生产成本较高，且由于有机膜表面光滑，容易发生隔垫物(英文PhotoSpacer，简称PS)滑动造成显示不均(英文PSMura)、污渍等问题。
技术实现思路
为了解决现有技术采用无机膜层制成绝缘保护层时，寄生电容大；采用有机膜制作的绝缘保护层存在生产成本较高，容易发生显示不均、污渍等问题，本专利技术实施例提供了一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板及显示装置。所述技术方案如下：第一方面，本专利技术实施例提供了一种薄膜晶体管，包括衬底、设置在所述衬底上的栅极、设置在所述栅极上的栅极绝缘层、设置在所述栅极绝缘层上的有源层、设置在所述有源层上的源极和漏极以及设置在所述源极和漏极上的绝缘保护层；所述绝缘保护层包括至少2层间隔设置的无机绝缘层，任意相邻的两层无机绝缘层间设置有1层电极层。在本专利技术实施例的一种实现方式中，所述无机绝缘层为氮化硅层、氧化硅层或氧化铝层。在本专利技术实施例的另一种实现方式中，所述电极层为ITO层或金属层。在本专利技术实施例的另一种实现方式中，所述绝缘保护层包括3-6层无机绝缘层。在本专利技术实施例的另一种实现方式中，所述绝缘保护层包括5层无机绝缘层。在本专利技术实施例的另一种实现方式中，每一层所述无机绝缘层的厚度为300-600nm。在本专利技术实施例的另一种实现方式中，每一层所述无机绝缘层的厚度为400nm。第二方面，本专利技术实施例还提供了一种薄膜晶体管制作方法，所述方法包括：提供一衬底；在所述衬底上制作栅极；在所述栅极上制作栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上制作有源层；在所述有源层上制作源极和漏极；在所述源极和漏极上制作绝缘保护层，所述绝缘保护层包括至少2层间隔设置的无机绝缘层，任意相邻的两层无机绝缘层间设置有1层电极层。第三方面，本专利技术实施例还提供了一种阵列基板，所述阵列基板包括第一方面任一项所述的薄膜晶体管。第四方面，本专利技术实施例还提供了一种显示装置，所述显示装置包括第三方面所述的阵列基板。本专利技术实施例提供的技术方案带来的有益效果是：通过在源漏极(源极和漏极)上设置绝缘保护层，该绝缘保护层包括至少2层间隔设置的无机绝缘层，相邻的两层无机绝缘层间设置有1层电极层，则在源漏极和绝缘保护层上的电极间会形成n(n为大于1的整数)个电容：C1：绝缘保护层上的电极和最顶层的电极层间的电容，……Cn：最底层的电极层和源漏极间的电容，而且n个电容是串联的，则总电容C存在如下关系1/C＝1/C1+…+1/Cn，因此电容C比C1…Cn中最小的还小，故本方案所述绝缘保护层能有效降低源漏极和电极间的寄生电容，从而降低了IC的驱动电压，降低功耗；同时，该绝缘保护层的表面为无机膜层，表面相对粗糙，隔垫物与绝缘保护层的表面接触时，不容易发生滑动，避免造成显示不均、污渍等问题；另外，绝缘保护层由无机绝缘层和电极层组成，相比于有机膜层而言，成本低。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本专利技术实施例提供的一种薄膜晶体管的结构示意图；图2A是本实施例提供的横向电场液晶显示面板结构示意图；图2B是本实施例提供的横向电场液晶显示面板结构示意图；图3是本专利技术实施例提供的一种薄膜晶体管制作方法的流程图；图4是本专利技术实施例提供的薄膜晶体管制作过程中的结构示意图；图5是本专利技术实施例提供的薄膜晶体管制作过程中的结构示意图；图6是本专利技术实施例提供的薄膜晶体管制作过程中的结构示意图；图7是本专利技术实施例提供的薄膜晶体管制作过程中的结构示意图；图8是本专利技术实施例提供的薄膜晶体管制作过程中的结构示意图；图9是本专利技术实施例提供的薄膜晶体管制作过程中的结构示意图；图10是本专利技术实施例提供的薄膜晶体管制作过程中的结构示意图。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本专利技术实施方式作进一步地详细描述。图1是本专利技术实施例提供的一种薄膜晶体管的结构示意图，参见图1，该薄膜晶体管包括衬底100、设置在衬底100上的栅极101、设置在栅极101上的栅极绝缘层102、设置在栅极绝缘层102上的有源层103、设置在有源层103上的源极104和漏极105以及设置在源极104和漏极105上的绝缘保护层106。其中，绝缘保护层106包括至少2层间隔设置的无机绝缘层1061，任意相邻的两层无机绝缘层1061间设置有1层电极层1062。值得说明的是，图1所示的两层无机绝缘层1061仅为示意，其具体层数可以根据实际需要选择。本专利技术实施例通过在源漏极(源极和漏极)上设置绝缘保护层，该绝缘保护层包括至少2层间隔设置的无机绝缘层，相邻的两层无机绝缘层间设置有1层电极层，则在源漏极和绝缘保护层上的电极间会形成n(n为大于1的整数)个电容：C1：绝缘保护层上的电极和最顶层的电极层间的电容，……Cn：最底层的电极层和源漏极间的电容，而且n个电容是串联的，则总电容C存在如下关系1/C＝1/C1+…+1/Cn，因此电容C比C1…Cn中最小的还小，故本方案绝缘保护层能有效降低源漏极和电极间的寄生电容，从而降低了IC的驱动电压，降低功耗；同时，该绝缘保护层的表面为无机膜层，表面相对粗糙，隔垫物与绝缘保护层的表面接触时，不容易发生滑动，避免造成显示不均、污渍等问题；另外，绝缘保护层由无机绝缘层和电极层组成，相比于有机膜层而言，成本低。对于显示面板而言，除了薄膜晶体管的源漏极与电极存在寄生电容外，与源漏极同层设置的数据线与绝缘保护层上的电极之间也存在寄生电容。对于垂向电场液晶显示面板而言，绝缘保护层106上的电极可以为像素电极。对于横向电场液晶显示面板而言，绝缘保护层106上的电极既可能是像素电极，也可能是公共电极。图2A是本实施例提供的一种横向电场液晶显示面板结构示意图，其中107为数据线，108A、108B为电极(像素电极或公共电极)，109为黑矩阵，110为彩膜基板本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管，包括衬底、设置在所述衬底上的栅极、设置在所述栅极上的栅极绝缘层、设置在所述栅极绝缘层上的有源层、设置在所述有源层上的源极和漏极以及设置在所述源极和漏极上的绝缘保护层；其特征在于，所述绝缘保护层包括至少2层间隔设置的无机绝缘层，任意相邻的两层无机绝缘层间设置有1层电极层。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，包括衬底、设置在所述衬底上的栅极、设置在所述栅极上的栅极绝缘层、设置在所述栅极绝缘层上的有源层、设置在所述有源层上的源极和漏极以及设置在所述源极和漏极上的绝缘保护层；其特征在于，所述绝缘保护层包括至少2层间隔设置的无机绝缘层，任意相邻的两层无机绝缘层间设置有1层电极层。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述无机绝缘层为氮化硅层、氧化硅层或氧化铝层。3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述电极层为ITO层或金属层。4.根据权利要求1-3任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述绝缘保护层包括3-6层无机绝缘层。5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述绝缘保护层包括5层无机绝缘层。6.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：张朝科，刘智，王兵，王辉，徐佳伟，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11