TFT基板及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种TFT基板及其制作方法。所述TFT基板包括：依次层叠设置的衬底基板、TFT层、钝化层、以及像素电极，其中，所述像素电极包括：主电极、以及用于将主电极电性连接到TFT层上的连接电极，所述主电极为米字型的狭缝电极，所述连接电极包括多个平行间隔排列的条状的第一分支电极、以及连接所述多个第一分支电极的第二分支电极，通过在连接电极中设置多个条状的第一分支电极，使连接电极形成与主电极相似的形状，进而主电极区域和连接电极区域在曝光时形成相似的单缝衍射，进而减少或消除3M制程中像素电极区域的光阻层厚度差异，避免显示不良，提升3M制程良率。

【技术实现步骤摘要】
TFT基板及其制作方法
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种TFT基板及其制作方法。
技术介绍
随着显示技术的发展，液晶显示器(LiquidCrystalDisplay，LCD)等平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点，而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品，成为显示装置中的主流。通常液晶显示面板由彩膜(CF，ColorFilter)基板、薄膜晶体管(TFT，ThinFilmTransistor)基板、夹于彩膜基板与薄膜晶体管基板之间的液晶(LC，LiquidCrystal)及密封胶框(Sealant)组成，其成型工艺一般包括：前段阵列(Array)制程(薄膜、黄光、蚀刻及剥膜)、中段成盒(Cell)制程(TFT基板与CF基板贴合)及后段模组组装制程(驱动IC与印刷电路板压合)。其中，前段Array制程主要是形成TFT基板，以便于控制液晶分子的运动；中段Cell制程主要是在TFT基板与CF基板之间添加液晶；后段模组组装制程主要是驱动IC压合与印刷电路板的整合，进而驱动液晶分子转动，显示图像。现有的TFT基板的制作方法已从最初的7光罩(7Mask)技术逐渐发展到4光罩(4Mask，4M)技术，4个光罩分别用于形成：图案化的栅极、图案化的有源层和源/漏极、像素电极过孔、及图案化的像素电极，与此同时，为了进一步减化TFT基板的制作工艺，缩短生产时间，提升生产效率，3光罩技术(3Mask，3M)也已经开始在部分产品上开始使用，采用3光罩技术制作TFT基板的制程过程一般包括：在衬底基板上通过第一道光罩制程制作图案化的栅极，在所述栅极和衬底基板上覆盖栅极绝缘层，通过第二道光罩制程同时制作图案化的有源层和源/漏极，在所述有源层和源/漏极上覆盖钝化层，通过第三道光罩制程在所述钝化层上制作像素电极过孔，通过氧化铟锡剥离(ITOLiftOff)工艺制作图案化的像素电极。其中，第二道光罩与第三道光罩均为灰阶光罩(GrayToneMask，GTM)或半色调光罩(HalfToneMask，HTM)。具体地，在3光罩技术的第三道光罩制程包括：在所述钝化层上涂布光阻层，通过第三道光罩对所述光阻层进行曝光显影，去除待形成像素电极过孔处的全部光阻层，去除待形成像素电极的区域的部分光阻层，接着通过蚀刻形成像素电极过孔，进行光阻灰化，去除待形成像素电极的区域剩余光阻层，溅射像素电极薄膜，通过氧化铟锡剥离工艺剥离剩余的光阻层和多余的像素电极薄膜，形成图案化的像素电极。然而，请参阅图1，现有的TFT基板中像素电极包括：主电极101以及连接所述主电极101和TFT的漏极201的连接电极102，所述连接电极102通过一像素电极过孔301连接TFT的漏极201，如图1所示，所述主电极101为米字型的狭缝(Silt)像素电极，而连接电极102为连续不间断的整面电极，因此，在进行对光阻层曝光显影时，主电极101处会产生单缝衍射，导致曝光显影后的待形成连接电极102的区域剩余的光阻厚度小于待形成主电极101的区域的剩余的光阻层厚度，进而导致待形成连接电极102的区域剩余的光阻层容易在后续的像素过孔刻蚀制程时被一起刻蚀掉，导致待形成连接电极102的区域失去光阻层的保护，引起制程不良。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种TFT基板，能够减少或消除3M制程过程中像素电极区域的光阻层厚度差异，避免显示不良，提升3M制程良率。本专利技术的目的还在于提供一种TFT基板的制作方法，能够减少或消除3M制程过程中像素电极区域的光阻层厚度差异，避免显示不良，提升3M制程良率。为实现上述目的，本专利技术提供了一种TFT基板，包括：衬底基板、设于所述衬底基板上的TFT层、设于所述TFT层上的钝化层、及设于所述钝化层上的像素电极；所述像素电极包括：主电极、以及与所述主电极电性连接的连接电极，所述连接电极通过一贯穿所述钝化层的像素电极过孔与所述TFT层电性连接，所述主电极为米字型的狭缝电极，所述连接电极包括多个平行间隔排列的条状的第一分支电极、以及连接所述多个第一分支电极的第二分支电极。所述TFT层包括：设于所述衬底基板上的栅极、覆盖所述栅极和衬底基板的栅极绝缘层、设于栅极上的栅极绝缘层上的有源层、间隔分布于所述栅极绝缘层上并分别与所述有源层的两端接触的源极和漏极，所述连接电极通过像素电极过孔与所述漏极电性连接。所述第二分支电极为与各个第一分支电极的一端均相连的条状电极。所述第二分支电极为包围所述多个第一分支电极的框型电极。所述像素电极的材料为ITO。本专利技术还提供一种TFT基板的制作方法，包括如下步骤：步骤1、提供一衬底基板，通过第一道光罩和第二道光罩制程在所述衬底基板上形成TFT层，在所述TFT层上覆盖钝化层；步骤2、在所述钝化层上形成光阻层，通过第三道光罩对所述光阻层进行图案化，去除待形成像素电极过孔的区域上的全部光阻层，减薄待形成像素电极区域内的光阻层的厚度；步骤3、以剩余的光阻层为遮挡，对钝化层进行蚀刻，形成贯穿所述钝化层并暴露所述TFT层部分的像素电极过孔；步骤4、对剩余的光阻层进行整体薄化处理，去除待形成像素电极区域内的光阻层；步骤5、在剩余的光阻层和钝化层上形成像素电极薄膜，通过剥离工艺剥离剩余的光阻层以及位于剩余的光阻层上的像素电极薄膜，形成像素电极；其中，所述像素电极包括：主电极、以及与所述主电极电性连接的连接电极，所述连接电极通过像素电极过孔与所述TFT层电性连接，所述主电极为米字型的狭缝电极，所述连接电极包括多个平行间隔排列的条状的第一分支电极、以及连接所述多个第一分支电极的第二分支电极。所述步骤1具体包括：步骤11、提供一衬底基板，在所述衬底基板上形成第一金属层，通过第一道光罩图案化所述第一金属层，形成栅极；步骤12、在所述栅极和衬底基板上覆盖栅极绝缘层；步骤13、在所述栅极绝缘层上形成层叠设置的半导体层及第二金属层；步骤14、在所述第二金属层上涂布光阻，通过第二道光罩对所述光阻进行图案化，减薄待形成薄膜晶体管的沟道区上的光阻的厚度，去除待形成薄膜晶体管的区域以外的光阻；步骤15、进行第一次蚀刻，去除没有光阻覆盖的第二金属层和半导体层；步骤16、对剩余的光阻进行整体减薄处理，去除待形成薄膜晶体管的沟道区上的光阻；步骤17、进行第二次蚀刻，去除待形成薄膜晶体管的沟道区上的第二金属层，形成有源层以及分别与所述有源层的两端接触的源极和漏极，得到所述TFT层；步骤18，在所述TFT层2上覆盖钝化层3；所述步骤3中，所述像素电极过孔5暴露所述漏极25的部分；所述步骤5中，所述连接电极通过像素电极过孔与所述漏极电性连接；所述步骤1和步骤2中，所述第二道光罩和第三道光罩均为灰阶光罩或半色调光罩。第二分支电极为与各个第一分支电极的一端均相连的条状电极。第二分支电极为包围所述多个第一分支电极的框型电极。所述像素电极的材料为ITO。本专利技术的有益效果：本专利技术提供了一种TFT基板，所述TFT基板包括：依次层叠设置的衬底基板、TFT层、钝化层、以及像素电极，其中，所述像素电极包括：主电极、以及用于将主电极电性连接到TFT层上的连接电极，所述主电极为米字型的狭缝电极，所述连接电极包括多个平行间隔排列的条状的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种TFT基板，其特征在于，包括：衬底基板(1)、设于所述衬底基板(1)上的TFT层(2)、设于所述TFT层(2)上的钝化层(3)、及设于所述钝化层(3)上的像素电极(6)；所述像素电极(6)包括：主电极(61)、以及与所述主电极(61)电性连接的连接电极(62)，所述连接电极(62)通过一贯穿所述钝化层(3)的像素电极过孔(5)与所述TFT层(2)电性连接，所述主电极(61)为米字型的狭缝电极，所述连接电极(62)包括多个平行间隔排列的条状的第一分支电极(621)、以及连接所述多个第一分支电极(621)的第二分支电极(622)。

【技术特征摘要】
1.一种TFT基板，其特征在于，包括：衬底基板(1)、设于所述衬底基板(1)上的TFT层(2)、设于所述TFT层(2)上的钝化层(3)、及设于所述钝化层(3)上的像素电极(6)；所述像素电极(6)包括：主电极(61)、以及与所述主电极(61)电性连接的连接电极(62)，所述连接电极(62)通过一贯穿所述钝化层(3)的像素电极过孔(5)与所述TFT层(2)电性连接，所述主电极(61)为米字型的狭缝电极，所述连接电极(62)包括多个平行间隔排列的条状的第一分支电极(621)、以及连接所述多个第一分支电极(621)的第二分支电极(622)。2.如权利要求1所述的TFT基板，其特征在于，所述TFT层(2)包括：设于所述衬底基板(1)上的栅极(21)、覆盖所述栅极(21)和衬底基板(1)的栅极绝缘层(22)、设于栅极(21)上的栅极绝缘层(22)上的有源层(23)、间隔分布于所述栅极绝缘层(22)上并分别与所述有源层(23)的两端接触的源极(24)和漏极(25)，所述连接电极(62)通过像素电极过孔(5)与所述漏极(25)电性连接。3.如权利要求1所述的TFT基板，其特征在于，所述第二分支电极(622)为与各个第一分支电极(621)的一端均相连的条状电极。4.如权利要求1所述的TFT基板，其特征在于，所述第二分支电极(622)为包围所述多个第一分支电极(621)的框型电极。5.如权利要求1所述的TFT基板，其特征在于，所述像素电极(6)的材料为ITO。6.一种TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供一衬底基板(1)，通过第一道光罩和第二道光罩制程在所述衬底基板(1)上形成TFT层(2)，在所述TFT层(2)上覆盖钝化层(3)；步骤2、在所述钝化层(3)上形成光阻层(4)，通过第三道光罩对所述光阻层(4)进行图案化，去除待形成像素电极过孔的区域上的全部光阻层(4)，减薄待形成像素电极区域内的光阻层(4)的厚度；步骤3、以剩余的光阻层(4)为遮挡，对钝化层(3)进行蚀刻，形成贯穿所述钝化层(3)并暴露所述TFT层(2)部分的像素电极过孔(5)；步骤4、对剩余的光阻层(4)进行整体薄化处理，去除待形成像素电极区域内的光阻层(4)；步骤5、在剩余的光阻层(4)和钝化层(3)上形成像素电极薄膜(6’)，通过剥离工艺剥离剩余的光阻层(4)以及位于剩余的...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾勉，刘晓娣，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44