【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制作方法、显示面板
本申请一般涉及显示
,尤其涉及阵列基板及其制作方法、包括该阵列基板的显示面板。
技术介绍
TFT-LCD(ThinFilmTransistorLiquidCrystalDisplay,薄膜晶体管液晶显示)具有亮度高、功耗低、寿命长等优点,发展多年来受到人们的广泛关注。特别是随着LCD在生活中的影响越来越大,市场需求份额激增,因此,如何降低LCD的生产成本成为发展的重点和研发的热点。在TFT-LCD工艺中,阵列基板制作最为复杂。一般来说,TFT-LCD阵列基板需要在衬底上制备晶体管栅极、栅极绝缘层、有源层、晶体管源极、晶体管漏极、像素电极和公共电极等多个层级结构。现有的阵列基板的制作通常需要七次利用掩膜板曝光显影,进而刻蚀出每一层需要的图案。但是利用掩膜板制备阵列基板的成本和复杂度都很高,并且利用掩膜板的次数越多其制造成本就会越高,且产品质量越难保证。
技术实现思路
鉴于现有技术中的上述缺陷,本申请实施例提供一种阵列基板及其制作方法以及包括该阵列基板的显示面板,来解决以上
技术介绍
部分提到的技术问题。为了实现上述目的,第一方面,本申请实施例提供了一种阵列基板的制作方法,包括在衬底的一侧表面形成栅极层,并利用第一掩模板曝光显影形成晶体管栅极;在晶体管栅极上形成栅极绝缘层;在栅极绝缘层上依次覆盖半导体层和源漏极层,利用第二掩模板曝光显影,在半导体层形成有源层,在源漏极层形成晶体管源极和晶体管漏极;在晶体管源极和晶体管漏极上依次覆盖第一钝化层、有机绝缘材料层和像素电极层,利用第三掩模板曝光显影,在像素电极层形成像素电极,且在有机绝缘 ...
【技术保护点】
一种阵列基板的制作方法,其特征在于,包括:在衬底的一侧表面形成栅极层,并利用第一掩模板曝光显影形成晶体管栅极;在所述晶体管栅极上形成栅极绝缘层;在所述栅极绝缘层上依次覆盖半导体层和源漏极层,利用第二掩模板曝光显影,在所述半导体层形成有源层,在所述源漏极层形成晶体管源极和晶体管漏极;在所述晶体管源极和晶体管漏极上依次覆盖第一钝化层、有机绝缘材料层和像素电极层,利用第三掩模板曝光显影,在所述像素电极层形成像素电极,且在所述有机绝缘材料层形成有机绝缘层,其中,所述像素电极层和所述有机绝缘材料层形成有贯通的第一通孔,所述第一通孔暴露所述晶体管漏极上方的所述第一钝化层;在所述像素电极层上形成第二钝化层,利用第四掩模板图案化所述第一钝化层和第二钝化层以暴露所述晶体管漏极和所述第一通孔边缘处的像素电极层,以使所述第一通孔依次贯通所述第二钝化层、像素电极层、有机绝缘材料层和第一钝化层;在所述第二钝化层上形成公共电极层,利用第五掩模板曝光显影形成公共电极和辅助电极,其中,所述公共电极和所述辅助电极电性绝缘,所述辅助电极覆盖所述第一通孔,所述辅助电极与所述第一通孔暴露出的所述晶体管漏极和所述第一通孔边缘处 ...
【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制作方法,其特征在于,包括:在衬底的一侧表面形成栅极层,并利用第一掩模板曝光显影形成晶体管栅极;在所述晶体管栅极上形成栅极绝缘层;在所述栅极绝缘层上依次覆盖半导体层和源漏极层,利用第二掩模板曝光显影,在所述半导体层形成有源层,在所述源漏极层形成晶体管源极和晶体管漏极;在所述晶体管源极和晶体管漏极上依次覆盖第一钝化层、有机绝缘材料层和像素电极层,利用第三掩模板曝光显影,在所述像素电极层形成像素电极,且在所述有机绝缘材料层形成有机绝缘层,其中,所述像素电极层和所述有机绝缘材料层形成有贯通的第一通孔,所述第一通孔暴露所述晶体管漏极上方的所述第一钝化层;在所述像素电极层上形成第二钝化层,利用第四掩模板图案化所述第一钝化层和第二钝化层以暴露所述晶体管漏极和所述第一通孔边缘处的像素电极层,以使所述第一通孔依次贯通所述第二钝化层、像素电极层、有机绝缘材料层和第一钝化层;在所述第二钝化层上形成公共电极层,利用第五掩模板曝光显影形成公共电极和辅助电极,其中,所述公共电极和所述辅助电极电性绝缘,所述辅助电极覆盖所述第一通孔,所述辅助电极与所述第一通孔暴露出的所述晶体管漏极和所述第一通孔边缘处的像素电极层电连接,以使所述像素电极通过所述辅助电极与所述晶体管漏极电连接。2.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,还包括:在利用所述第一掩模板曝光显影形成所述晶体管栅极的同时,形成栅极焊盘电极,且所述栅极焊盘电极与所述晶体管栅极电连接;在利用所述第二掩模板曝光显影形成所述有源层、晶体管源极和晶体管漏极的同时,形成数据焊盘电极,所述数据焊盘电极与所述晶体管源极电连接。3.根据权利要求2所述的制作方法,其特征在于,在利用所述第三掩模板曝光显影形成所述像素电极和所述有机绝缘层的同时,所述栅极焊盘电极和所述数据焊盘电极上的像素电极层和有机绝缘材料层被刻蚀。4.根据权利要求3所述的制作方法,其特征在于,在利用所述第四掩模板图案化所述第一钝化层和所述第二钝化层的同时,所述栅极焊盘电极上的所述栅极绝缘层、第一钝化层和第二钝化层被刻蚀,形成贯通所述栅极绝缘层、第一钝化层和第二钝化层的第二通孔,以及所述数据焊盘电极上的所述第一钝化层和第二钝化层被刻蚀,形成贯通所述第一钝化层和所述第二钝化层的第三通孔;在利用所述第五掩模板曝光显影形成所述公共电极和所述辅助电极的同时,形成栅极焊盘和数据焊盘,所述栅极焊盘覆盖所述第二通孔,所述栅极焊盘与所述栅极焊盘电极电连接,所述数据焊盘覆盖所述第三通孔,所述数据焊盘与所述数据焊盘电极电连接。5.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述第二钝化层与所述辅...
【专利技术属性】
技术研发人员:路璇,曹兆铿,
申请(专利权)人:上海天马微电子有限公司,
类型:发明
国别省市:上海,31
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。