阵列基板及其制作方法、显示面板技术

技术编号:15643955 阅读:129 留言:0更新日期:2017-06-16 18:42
本申请公开了一种阵列基板及其制作方法、显示面板,该阵列基板的制作方法包括:利用第一掩模板形成晶体管栅极;在晶体管栅极上形成栅极绝缘层;利用第二掩模板,在半导体层形成有源层,在源漏极层形成晶体管源极和晶体管漏极;利用第三掩模板,在像素电极层形成像素电极,在有机绝缘材料层形成有机绝缘层,像素电极层和有机绝缘材料层形成有贯通的第一通孔;利用第四掩模板图案化第一钝化层和第二钝化层以暴露晶体管漏极和第一通孔边缘处的像素电极层;利用第五掩模板形成公共电极和辅助电极,辅助电极与第一通孔暴露出的晶体管漏极和第一通孔边缘处的像素电极层电连接。上述制作方法可以利用五次掩模板完成阵列基板的制作,降低了生产成本。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制作方法、显示面板
本申请一般涉及显示
,尤其涉及阵列基板及其制作方法、包括该阵列基板的显示面板。
技术介绍
TFT-LCD(ThinFilmTransistorLiquidCrystalDisplay,薄膜晶体管液晶显示)具有亮度高、功耗低、寿命长等优点,发展多年来受到人们的广泛关注。特别是随着LCD在生活中的影响越来越大,市场需求份额激增,因此,如何降低LCD的生产成本成为发展的重点和研发的热点。在TFT-LCD工艺中,阵列基板制作最为复杂。一般来说,TFT-LCD阵列基板需要在衬底上制备晶体管栅极、栅极绝缘层、有源层、晶体管源极、晶体管漏极、像素电极和公共电极等多个层级结构。现有的阵列基板的制作通常需要七次利用掩膜板曝光显影,进而刻蚀出每一层需要的图案。但是利用掩膜板制备阵列基板的成本和复杂度都很高,并且利用掩膜板的次数越多其制造成本就会越高,且产品质量越难保证。
技术实现思路
鉴于现有技术中的上述缺陷,本申请实施例提供一种阵列基板及其制作方法以及包括该阵列基板的显示面板,来解决以上
技术介绍
部分提到的技术问题。为了实现上述目的,第一方面,本申请实施例提供了一种阵列基板的制作方法,包括在衬底的一侧表面形成栅极层,并利用第一掩模板曝光显影形成晶体管栅极;在晶体管栅极上形成栅极绝缘层;在栅极绝缘层上依次覆盖半导体层和源漏极层,利用第二掩模板曝光显影,在半导体层形成有源层,在源漏极层形成晶体管源极和晶体管漏极;在晶体管源极和晶体管漏极上依次覆盖第一钝化层、有机绝缘材料层和像素电极层,利用第三掩模板曝光显影,在像素电极层形成像素电极,且在有机绝缘材料层形成有机绝缘层,其中,像素电极层和有机绝缘材料层形成有贯通的第一通孔,第一通孔暴露晶体管漏极上方的第一钝化层;在像素电极层上形成第二钝化层,利用第四掩模板图案化第一钝化层和第二钝化层以暴露晶体管漏极和第一通孔边缘处的像素电极层,以使第一通孔依次贯通第二钝化层、像素电极层、有机绝缘材料层和第一钝化层;在第二钝化层上形成公共电极层,利用第五掩模板曝光显影形成公共电极和辅助电极,其中,公共电极和辅助电极电性绝缘,辅助电极覆盖第一通孔,辅助电极与第一通孔暴露出的晶体管漏极和第一通孔边缘处的像素电极层电连接,以使像素电极通过辅助电极与晶体管漏极电连接第二方面,本申请实施例还提供了一种阵列基板,包括:衬底;在衬底的一侧表面沿第二方向依次设置的栅极层、栅极绝缘层、有源层以及源漏极层,其中,栅极层包括晶体管栅极,源漏极层包括晶体管源极和晶体管漏极,第二方向与衬底的上表面垂直;在源漏极层上沿第二方向依次设置的第一钝化层、有机绝缘层和像素电极层,其中,像素电极层形成有像素电极;在像素电极层上沿第二方向依次设置的第二钝化层和公共电极层,其中,公共电极层形成有电性绝缘的公共电极和辅助电极;第一通孔,第一通孔沿第二方向贯通第一钝化层、有机绝缘层、像素电极层、第二钝化层且暴露晶体管漏极和位于该第一通孔边缘处的像素电极层,辅助电极覆盖第一通孔、且与第一通孔暴露出的晶体管漏极和第一通孔边缘处的像素电极层电连接,以使像素电极通过辅助电极与晶体管漏极电连接。第三方面,本申请实施例还提供了一种显示面板,包括上述的阵列基板。本申请实施例提供的阵列基板的制作方法,首先利用第一掩模板在衬底上形成晶体管栅极,之后在晶体管栅极上依次形成覆盖其上的栅极绝缘层、半导体层和源漏极层,利用第二掩模板曝光显影形成有源层、晶体管源极和晶体管漏极,然后利用第三掩模板形成像素电极以及贯通像素电极层和有机绝缘材料层的第一通孔,而后利用第四掩模板使得第一通孔暴露晶体管源极和第一通孔边缘处的像素电极层,最后利用第五掩膜板在公共电极层形成公共电极和覆盖第一通孔的辅助电极,使得像素电极与晶体管漏极电连接,从而实现了五次利用掩模板制作阵列基板,减少了阵列基板制作过程中使用掩膜板的数目,降低了生产成本。附图说明通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述,本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显:图1示出了本申请的阵列基板的制作方法的一个实施例的流程图;图2示出了本申请阵列基板的制作方法中晶体管栅极形成工艺的截面结构示意图;图3示出了本申请阵列基板的制作方法中栅极绝缘层形成工艺的截面结构示意图;图4示出了本申请的阵列基板的制作方法中有源层和晶体管源、漏极形成工艺的截面结构示意图;图5示出了本申请的阵列基板的制作方法中像素电极形成工艺的截面结构示意图;图6示出了本申请的阵列基板的制作方法中暴露晶体管漏极工艺的截面结构示意图;图7示出了本申请的阵列基板的制作方法中公共电极和辅助电极形成工艺的截面结构示意图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本申请的原理和特征作进一步的详细说明。可以理解的是,此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关专利技术,而非对该专利技术的限定。另外还需要说明的是,为了便于描述,附图中仅示出了与专利技术相关的部分。需要说明的是,在不冲突的情况下,本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。请参考图1,其为本申请的阵列基板的制作方法的一个实施例的流程图100。如图所示,本申请的阵列基板的制作方法,包括如下步骤:步骤101,在衬底的一侧表面形成栅极层,并利用第一掩模板曝光显影形成晶体管栅极。在本实施例中,首先可以设置用于制作阵列基板的衬底,该衬底可以为玻璃衬底等。之后可以在该衬底上利用溅射(sputter)等工艺形成栅极层。而后利用预先设置的第一掩膜板对上述栅极层进行曝光显影处理,最后刻蚀上述曝光显影后的栅极层形成晶体管栅极的图案。需要说明的是,上述阵列基板中的晶体管栅极的形成过程可以包括金属层成膜、涂布光刻胶、曝光、显影、刻蚀、剥离光刻胶等一系列的工序。因涂布光刻胶、剥离光刻胶等工艺为本领域的常规手段,因此本申请在描述阵列基板制作过程时,不对涂布光刻胶、剥离光刻胶等过程进行具体的描述。本领域技术人员可以理解,未描述相关过程并不意味各实施例不存在或省略相关步骤。步骤102,在晶体管栅极上形成栅极绝缘层。在本实施例中,上述阵列基板还可以包括覆盖在晶体管栅极上的栅极绝缘层,形成该栅极绝缘层的材料可以为硅氮化物(SiNx)、硅氧化物(SiOx)等。这里,栅极绝缘层可以保护栅极层在后续刻蚀的过程中不被刻蚀,栅极绝缘层还可以使得位于晶体管栅极上的其它结构与该晶体管栅极电性绝缘。栅极绝缘层通常可以包括一层绝缘层或多层绝缘层,本领域技术人员可以根据实际情况来设置绝缘层的层数。这里,可以采用化学沉积等方法形成上述栅极绝缘层,例如,在一定的压力和温度的条件下,由气体SiH4和N2O按一定的比例共同沉积形成硅氮化物绝缘层。步骤103,在栅极绝缘层上依次覆盖半导体层和源漏极层,利用第二掩模板曝光显影,在半导体层形成有源层,在源漏极层形成晶体管源极和晶体管漏极。在本实施例中,首先可以在上述栅极绝缘层上依次形成覆盖其上的半导体层和源漏极层。这里可以采用半导体材料形成半导体层,金属材料形成源漏极层。之后可以利用第二掩模板曝光显影,在上述半导体层形成有源层,在源漏极层形成晶体管源极和晶体管漏极。上述晶体管栅极、有源层、晶体管源极和晶体管漏极可以构成薄膜晶体管TFT。在本实施例的一些本文档来自技高网...
阵列基板及其制作方法、显示面板

【技术保护点】
一种阵列基板的制作方法,其特征在于,包括:在衬底的一侧表面形成栅极层,并利用第一掩模板曝光显影形成晶体管栅极;在所述晶体管栅极上形成栅极绝缘层;在所述栅极绝缘层上依次覆盖半导体层和源漏极层,利用第二掩模板曝光显影,在所述半导体层形成有源层,在所述源漏极层形成晶体管源极和晶体管漏极;在所述晶体管源极和晶体管漏极上依次覆盖第一钝化层、有机绝缘材料层和像素电极层,利用第三掩模板曝光显影,在所述像素电极层形成像素电极,且在所述有机绝缘材料层形成有机绝缘层,其中,所述像素电极层和所述有机绝缘材料层形成有贯通的第一通孔,所述第一通孔暴露所述晶体管漏极上方的所述第一钝化层;在所述像素电极层上形成第二钝化层,利用第四掩模板图案化所述第一钝化层和第二钝化层以暴露所述晶体管漏极和所述第一通孔边缘处的像素电极层,以使所述第一通孔依次贯通所述第二钝化层、像素电极层、有机绝缘材料层和第一钝化层;在所述第二钝化层上形成公共电极层,利用第五掩模板曝光显影形成公共电极和辅助电极,其中,所述公共电极和所述辅助电极电性绝缘,所述辅助电极覆盖所述第一通孔,所述辅助电极与所述第一通孔暴露出的所述晶体管漏极和所述第一通孔边缘处的像素电极层电连接,以使所述像素电极通过所述辅助电极与所述晶体管漏极电连接。...

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制作方法,其特征在于,包括:在衬底的一侧表面形成栅极层,并利用第一掩模板曝光显影形成晶体管栅极;在所述晶体管栅极上形成栅极绝缘层;在所述栅极绝缘层上依次覆盖半导体层和源漏极层,利用第二掩模板曝光显影,在所述半导体层形成有源层,在所述源漏极层形成晶体管源极和晶体管漏极;在所述晶体管源极和晶体管漏极上依次覆盖第一钝化层、有机绝缘材料层和像素电极层,利用第三掩模板曝光显影,在所述像素电极层形成像素电极,且在所述有机绝缘材料层形成有机绝缘层,其中,所述像素电极层和所述有机绝缘材料层形成有贯通的第一通孔,所述第一通孔暴露所述晶体管漏极上方的所述第一钝化层;在所述像素电极层上形成第二钝化层,利用第四掩模板图案化所述第一钝化层和第二钝化层以暴露所述晶体管漏极和所述第一通孔边缘处的像素电极层,以使所述第一通孔依次贯通所述第二钝化层、像素电极层、有机绝缘材料层和第一钝化层;在所述第二钝化层上形成公共电极层,利用第五掩模板曝光显影形成公共电极和辅助电极,其中,所述公共电极和所述辅助电极电性绝缘,所述辅助电极覆盖所述第一通孔,所述辅助电极与所述第一通孔暴露出的所述晶体管漏极和所述第一通孔边缘处的像素电极层电连接,以使所述像素电极通过所述辅助电极与所述晶体管漏极电连接。2.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,还包括:在利用所述第一掩模板曝光显影形成所述晶体管栅极的同时,形成栅极焊盘电极,且所述栅极焊盘电极与所述晶体管栅极电连接;在利用所述第二掩模板曝光显影形成所述有源层、晶体管源极和晶体管漏极的同时,形成数据焊盘电极,所述数据焊盘电极与所述晶体管源极电连接。3.根据权利要求2所述的制作方法,其特征在于,在利用所述第三掩模板曝光显影形成所述像素电极和所述有机绝缘层的同时,所述栅极焊盘电极和所述数据焊盘电极上的像素电极层和有机绝缘材料层被刻蚀。4.根据权利要求3所述的制作方法,其特征在于,在利用所述第四掩模板图案化所述第一钝化层和所述第二钝化层的同时,所述栅极焊盘电极上的所述栅极绝缘层、第一钝化层和第二钝化层被刻蚀,形成贯通所述栅极绝缘层、第一钝化层和第二钝化层的第二通孔,以及所述数据焊盘电极上的所述第一钝化层和第二钝化层被刻蚀,形成贯通所述第一钝化层和所述第二钝化层的第三通孔;在利用所述第五掩模板曝光显影形成所述公共电极和所述辅助电极的同时,形成栅极焊盘和数据焊盘,所述栅极焊盘覆盖所述第二通孔,所述栅极焊盘与所述栅极焊盘电极电连接,所述数据焊盘覆盖所述第三通孔,所述数据焊盘与所述数据焊盘电极电连接。5.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述第二钝化层与所述辅...

【专利技术属性】
技术研发人员:路璇曹兆铿
申请(专利权)人:上海天马微电子有限公司
类型:发明
国别省市:上海,31

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