半导体装置制造方法及图纸

提供了一种半导体装置，通过对黏合材料的飘移控制以固定半导体芯片来提高所述半导体装置的工艺能力和可靠性。半导体装置包括：第一半导体芯片，包括彼此相对的第一表面和第二表面；飘移控制结构，形成在第一半导体芯片的第一表面处；以及第二半导体芯片，安装在第一半导体芯片的第一表面上。第二半导体芯片与飘移控制结构的至少一部分叠置。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置该申请要求于2015年12月3日提交到韩国知识产权局的第10-2015-0171791号韩国专利申请的优先权和所有权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
本公开涉及一种半导体装置，更具体地，涉及包括硅通孔(TSV)的半导体装置。
技术介绍
电子工业中的当前趋势正朝向制造质轻、体积小、速度快、多功能和高性能的产品发展。为此，正在积极地开发多芯片堆叠的封装技术或系统级封装(SIP)技术。多芯片堆叠的封装技术或SIP技术可以采用TSV。由于若干个半导体芯片用于一个半导体封装件中，所以对在各个半导体芯片之间有效地填充用于固定各个半导体芯片的材料的方式进行了研究。
技术实现思路
本公开提供了一种半导体装置，通过对黏合材料的飘移控制以固定半导体芯片来提高所述半导体装置的工艺能力和可靠性。根据本专利技术构思的一方面，提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一半导体芯片，包括彼此相对的第一表面和第二表面；第一不均匀图案，形成在第一半导体芯片的第一表面处；以及第二半导体芯片，在第一半导体芯片的第一表面上，其中，第二半导体芯片在竖直方向上与第一不均匀图案的至少一部分叠置。根据本专利技术构思的另一方面，提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一半导体芯片，包括第一硅通孔以及彼此相对的第一表面和第二表面；第一不均匀图案，形成在第一半导体芯片的第一表面处；第二半导体芯片，在第一半导体芯片的第一表面上，其中，第二半导体芯片在竖直方向上与第一不均匀图案的至少一部分叠置且包括彼此相对的第三表面和第四表面，其中，第二半导体芯片包括第二硅通孔，第三表面面对第一表面；第三半导体芯片，在第二半导体芯片的第四表面上，其中，第三半导体芯片不包括硅通孔且与第二半导体芯片连接。根据本专利技术构思的另一方面，提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一半导体芯片，包括硅通孔以及与硅通孔连接的硅通孔焊盘，硅通孔形成在第一半导体芯片的第一表面上；连接端子，在与第一半导体芯片的第一表面相对的第二表面上，连接端子与第一半导体芯片连接；第二半导体芯片，在第一半导体芯片的第一表面上，第二半导体芯片与第一半导体芯片连接；固定膜，在第一半导体芯片的第一表面上，固定膜填充在第一半导体芯片和第二半导体芯片之间且沿第二半导体芯片的外周形成；以及径向凹槽，在第一半导体芯片的第一表面处，径向凹槽形成在第一半导体芯片内且从第一半导体芯片的第一表面的中心区域朝向第一半导体芯片的第一表面的角延伸。附图说明通过参照附图详细地描述本公开的示例性实施例，本公开的以上和其它目的、特征和优势对于本领域的普通技术人员而言将变得更加明显，在附图中：图1是示出根据一些示例性实施例的半导体装置的图；图2A是示出形成在根据一些实施例的图1的第一半导体芯片的第二表面上的第一不均匀图案的平面图；图2B是示出形成在根据一些实施例的图1的第一半导体芯片的第二表面上的第一不均匀图案的平面图；图3是沿图2A的线A-A截取的剖视图；图4是示出根据一些示例性实施例的半导体装置的图；图5是示出根据一些示例性实施例的半导体装置的图；图6是示出根据一些示例性实施例的半导体装置的图；图7是示出根据一些示例性实施例的半导体装置的图；图8A是示出根据一些示例性实施例的半导体装置的平面图；图8B是示出根据一些示例性实施例的半导体装置的平面图；图9是示出根据一些示例性实施例的半导体装置的图；图10是示出根据一些示例性实施例的半导体装置的图；图11是沿图10的线B-B截取的剖视图；图12是示出根据一些示例性实施例的半导体装置的图；图13是示出根据一些示例性实施例的半导体装置的图；图14是示出根据一些示例性实施例的半导体装置的图；图15是示出根据一些示例性实施例的半导体装置的图；图16是示出根据一些示例性实施例的半导体装置的图；图17是示出根据一些示例性实施例的半导体装置的图；图18是示出根据一些示例性实施例的半导体装置的图；图19A至图20是示出在制造根据一些示例性实施例的半导体装置的工艺期间固定半导体芯片的操作的图；图21是根据一些示例性实施例的安装到基础基底的半导体装置的示例性图；图22是包括根据一些示例性实施例的半导体装置的堆叠封装件(POP)的示例性图；图23是包括根据一些示例性实施例的半导体装置的半导体封装件的示例性图；以及图24是设置有包括根据一些示例性实施例的半导体装置的半导体封装件的电子设备的透视图。具体实施方式可以通过参照下面对优选的实施例的详细的描述以及附图更容易地理解本专利技术构思的优势和特征及实现其的方法。然而，本专利技术构思可以以许多不同的形式来实现，并且不应该被解释为受限于这里阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得该公开将是彻底的和完整的，并将向本领域的技术人员充分地传达本专利技术的构思，并且本专利技术构思将仅由所附权利要求来限定。在附图中，为了清晰起见夸大层和区域的厚度。将理解的是，当元件或层被称作为“连接到”或“结合到”另一元件或层时，该元件或层可以直接连接到或直接结合到所述另一元件或层，或者可以存在中间元件或中间层。相反，当元件被称作为“直接连接到”或“直接结合到”另一元件或层时，不存在中间元件或中间层。同样的标记始终指示同样的元件。如在这里使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关所列项目的任意组合和所有组合。还将理解的是，当层被称作为“在”另一层或基底“上”时，该层可以直接在所述另一层或基底上，或者也可以存在中间元件。相反，当元件被称作为“直接在”另一元件“上”时，不存在中间元件。将理解的是，尽管这里可使用术语第一、第二等来描述各种的元件，但是这些元件不应受这些术语限制。这些术语仅用来将一个元件与另一个元件区分开。因此，例如，在不脱离本专利技术构思的教导的情况下，下面讨论的第一元件、第一组件或第一部分可被命名为第二元件、第二组件或第二部分。除非这里另外指出或上下文明显矛盾，否则术语“一个(种、者)”和“所述(该)”及类似用语在描述本专利技术的环境中(尤其是在权利要求书的环境中)的使用将被理解为涵盖单数形式和复数形式。除非另有说明，否则术语“包含”、“具有”、“包括”和“含有”将被理解为开放式术语(即，意味着“包括，但不限于”)。除非另有定义，否则这里使用的所有技术术语和科学术语具有与本专利技术所属领域的普通技术人员所通常理解的意思相同的意思。需表明的是，除非另外说明，否则使用这里提供的任意或全部示例或示例性术语仅意图更好地说明本专利技术，并不限制本专利技术的范围。此外，除非另外定义，否则在通用的字典中定义的所有术语可以不被过度地解释。在下文中，将参考图1至图3解释根据一些示例性实施例的半导体装置。图1是示出根据一些示例性实施例的半导体装置的剖视图。图2A是示出形成在图1的第一半导体芯片的第二表面上的第一不均匀图案或飘移控制结构的平面图。图2B是示出形成在根据一些实施例的图1的第一半导体芯片的第二表面上的第一不均匀图案的平面图。图3是沿图2A的线A-A截取的半导体装置的剖视图。参照图1至图3，根据一些示例性实施例的半导体装置包括第一半导体芯片100、第二半导体芯片200和第一不均匀图案110。第一不均匀图案或飘移控制结构110仅是出于解释的目的提供的概念性表示。第一半导体芯片100和/或第二半导体芯片200可本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一半导体芯片，包括彼此相对的第一表面和第二表面；第一不均匀图案，形成在第一半导体芯片的第一表面处；以及第二半导体芯片，安装在第一半导体芯片的第一表面上，其中，第二半导体芯片在竖直方向上与第一不均匀图案的至少一部分叠置。

【技术特征摘要】
2015.12.03 KR 10-2015-01717911.一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一半导体芯片，包括彼此相对的第一表面和第二表面；第一不均匀图案，形成在第一半导体芯片的第一表面处；以及第二半导体芯片，安装在第一半导体芯片的第一表面上，其中，第二半导体芯片在竖直方向上与第一不均匀图案的至少一部分叠置。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第一不均匀图案包括形成在第一半导体芯片内的凹槽结构。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，凹槽结构径向地设置在第一半导体芯片的第一表面中。4.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，第一半导体芯片的第一表面包括第一角、第二角以及连接第一角和第二角的边，凹槽结构包括径向凹槽和平行凹槽，径向凹槽径向地形成在第一半导体芯片的第一表面中，每个径向凹槽朝向第一角和第二角中的各个角延伸，平行凹槽沿第一半导体芯片的第一表面的边在径向凹槽之间延伸。5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，径向凹槽和平行凹槽彼此连接。6.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，平行凹槽包括长侧壁和短侧壁，平行凹槽的长侧壁沿第一半导体芯片的第一表面的边延伸。7.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，第一半导体芯片的第一表面包括连接的第一边和第二边，凹槽结构包括沿第一边形成的第一凹槽和沿第二边形成的第二凹槽，第一凹槽和第二凹槽中的每个包括长侧壁和短侧壁，第一凹槽的长侧壁沿第一边延伸，第二凹槽的长侧壁沿第二边延伸。8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第一不均匀图案包括形成在第一半导体芯片内的第一凹槽和第二凹槽，第一凹槽和第二凹槽中的每个从第一半导体芯片的第一表面的中心区域朝向第一半导体芯片的第一表面的角延伸，第一凹槽和第二凹槽之间的距离随距角的距离增大而增大。9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第一不均匀图案包括从第一半导体芯片的第一表面突出的突出结构。10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，第一半导体芯片的第一表面包括连接到第二边的第一边，突出结构包括沿第一边延伸的第一突出图案和沿第二边延伸的第二突出图案，第一突出图案和第二突出图案中的每个包括长侧壁和短侧壁，第一突出图案的长侧壁沿第一边延伸，第二突出图案的长侧壁沿第二边延伸。11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭柄铢，闵台洪，李仁荣，赵泰济，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR