信息结构中的天线和波导管制造技术

技术编号:15643867 阅读:260 留言:0更新日期:2017-06-16 18:32
本发明专利技术提供了一种方法,包括:形成第一金属板,形成与第一金属板的外围区域对齐的金属环,以及放置与金属环齐平的器件管芯,用密封材料密封器件管芯和金属环。该方法还包括将介电材料填充至由金属环包围的空间中,以及形成覆盖介电材料和金属环的第二金属板,其中,在第二金属板中形成开口。形成多个再分布线,其中,再分布线中的一个覆盖开口的部分。第一金属板、金属环、第二金属板和介电材料结合在一起形成天线或波导管。再分布线形成无源器件的信号连线。本发明专利技术还提供了一种封装件。

【技术实现步骤摘要】
信息结构中的天线和波导管
本专利技术总体涉及半导体领域,更具体地,涉及无源器件。
技术介绍
诸如电感器、变压器、天线、传输线、波导管等的无源器件通常用于射频(RF)应用中。可将无源器件嵌入在片上系统(SoC)应用中。然而,由于在硅衬底附近产生的涡流,无源器件中诸如Q因子的性能较低。当封装器件管芯时,还可在器件管芯的玻璃衬底上或者扇出结构中形成无源器件。然而,结果仍不令人满意。
技术实现思路
根据本专利技术的一个方面,提供了一种方法,包括:形成第一金属板;形成与所述第一金属板的外围区域对齐的金属环;放置与所述金属环齐平的器件管芯;用密封材料密封所述器件管芯和所述金属环;将介电材料填充至由所述金属环包围的空间中;形成覆盖所述介电材料和所述金属环的第二金属板,其中,在所述第二金属板中形成第一开口;以及形成第一多个再分布线,其中,所述第一多个再分布线中的第一再分布线覆盖所述第一开口的部分,其中,所述第一金属板、所述金属环、所述第二金属板和所述介电材料结合在一起形成选自天线和波导管的无源器件,并且所述第一再分布线形成所述无源器件的信号连线。优选地,该方法还包括:当形成所述金属环时,同时形成通孔,所述密封材料密封所述通孔,其中,所述第一多个再分布线中的第二再分布线电连接至所述通孔。优选地,该方法还包括:在形成所述第一金属板之前,形成第二多个再分布线和在所述第二多个再分布线上方的介电层,其中,所述通孔电连接至所述第二多个再分布线中的一个再分布线。优选地,所述无源器件包括所述天线。优选地,所述天线被配置为产生具有高于约50GHz频率的信号。优选地,所述无源器件包括波导管,并且所述第二金属板包括第二开口,所述第一多个再分布线包括覆盖所述第二开口的部分的额外的再分布线。优选地,形成所述第一金属板包括在所述第一金属板中形成第三开口。根据本专利技术的另一方面,提供了一种方法,包括:形成第一介电层;在所述第一介电层中形成第一金属板;形成与所述第一金属板的边缘对齐的金属环;放置与所述金属环齐平的器件管芯;用密封材料密封所述器件管芯和所述金属环;蚀刻所述金属环以在所述密封材料中形成空隙;将介电材料填充至所述空隙;在所述介电材料、所述器件管芯和所述密封材料上方形成第二介电层;以及形成第一多个再分布线,包括:第一再分布线,覆盖所述介电材料的部分,其中,通过所述第二介电层,将所述第一再分布线与所述介电材料间隔开,并且所述介电材料形成天线,所述第一再分布线形成所述天线的信号连线;和第二再分布线,延伸至所述第二介电层中以电连接至所述器件管芯。优选地,所述天线被配置为产生具有高于约50GHz频率的信号。优选地,该方法还包括:当形成所述金属环时,同时形成通孔,所述第一多个再分布线中的第三再分布线电连接至所述通孔。优选地,通过所述第一介电层的部分将所述第一金属板和所述金属环彼此隔开。优选地,当完成蚀刻所述金属环时,所述第一介电层被暴露以形成所述空隙的底部。优选地,所述介电材料具有小于约0.01的损耗因数。优选地,填充所述介电材料包括填充苯并环丁烯(BCB)、聚四氟乙烯(PTFE)或芳香族聚合物。根据本专利技术的又一方面,提供了一种封装件,包括:无源器件,选自由天线和波导管组成的组,所述无源器件包括:第一金属板;金属环,与所述第一金属板的外围区域对齐;介电材料,由所述金属环包围,其中,所述介电材料的底面接触所述第一金属板的顶面;和第二金属板,覆盖所述介电材料和所述金属环,其中在所述第二金属板中形成第一开口;器件管芯,与所述无源器件齐平;密封材料,密封其中的所述器件管芯和所述无源器件;第一介电层,位于所述器件管芯、所述无源器件和所述密封材料上方;以及第一多个再分布线,包括:第一再分布线,覆盖所述第一开口的部分,其中,所述第一再分布线通过所述第一介电层与所述第二金属板间隔开;和第二再分布线,延伸至所述第一介电层中以电连接至所述器件管芯。优选地,所述无源器件是被配置为产生具有高于约50GHz频率的信号的天线。优选地,所述无源器件是被配置为传输具有高于约50GHz频率的信号的波导管。优选地,该封装件还包括:第二多个再分布线,在所述器件管芯和所述密封材料下方;以及通孔,穿透所述密封材料,其中,所述通孔将所述第一多个再分布线中的一个再分布线电连接至所述第二多个再分布线中的一个再分布线。优选地,所述介电材料具有小于约0.01的损耗因数。优选地,所述无源器件为波导管,并且所述第二金属板包括第二开口,所述第一多个再分布线包括覆盖所述第二开口的部分的第三再分布线。附图说明当结合附图进行阅读时,根据下面详细的描述可以更好地理解本专利技术。应该强调的是,根据工业中的标准实践,各种部件没有被按比例绘制并且仅仅用于说明的目的。实际上,为了清楚的讨论,各种部件的数量和尺寸可以被任意增加或减少。图1至图16示出了根据一些实施例的形成包括天线或波导管的封装件的中间阶段的截面图。图17示出了根据一些实施例的包括波导管的封装件的截面图。图18A和图18B分别示出了根据一些实施例的波导管的立体图和中间部分。图19示出了根据一些实施例的其中没有形成通孔的包括天线的封装件的截面图。图20示出了根据一些实施例的其中没有形成通孔的包括波导管的封装件的截面图。图21示出了根据一些实施例的波导管的截面图。图22A和图22B分别示出了根据一些实施例的天线和波导管的顶视图。图23至图33示出了根据一些实施例的形成包括天线的封装件的中间阶段的截面图。图34示出了根据一些实施例的其中没有形成通孔的包括天线的封装件的截面图。图35示出了根据一些实施例的流程图。具体实施方式以下公开提供了多种不同实施例或实例,用于实现本专利技术的不同特征。以下将描述组件和布置的特定实例以简化本专利技术。当然,这些仅是实例并且不旨在限制本专利技术。例如,在以下描述中,在第二部件上方或上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接触的实施例,也可以包括其他部件可以形成在第一部件和第二部件之间使得第一部件和第二部件不直接接触的实施例。另外,本专利技术可以在多个实例中重复参考符号和/或字符。这种重复用于简化和清楚,并且其本身不表示所述多个实施例和/或配置之间的关系。此外,在此可使用诸如“在…之下”、“在…下面”、“下面的”、“在…上面”、以及“上面的”等的空间关系术语,以容易地描述如图中所示的一个元件或部件与另一元件或部件的关系。应当理解,除图中所示的方位之外,空间关系术语将包括使用或操作中的装置的各种不同的方位。例如,如果翻转图中所示的装置,则被描述为在其他元件或部件“下面”或“之下”的元件将被定位为在其他元件或部件的“上面”。因此,示例性术语“在…下面”包括在上面和在下面的方位。装置可以以其它方式定位(旋转90度或在其他方位),并且通过在此使用的空间关系描述符进行相应地解释。根据各个示例性实施例提供了包括天线或波导管的封装件及其形成方法。示出了形成封装件的中间阶段。讨论了一些实施例的变型。在各个视图和示出的实施例中,相同的参考符号用于指示相同的元件。图1至图16示出了根据一些实施例,在集成扇出式(InFO)结构中形成天线(或波导管)的中间阶段的截面图。图1至图16中所示的步骤还示意性地示出了图35所示的流程图300。在随后的讨论中,参考图35中的工艺步骤讨论本文档来自技高网...
信息结构中的天线和波导管

【技术保护点】
一种形成封装件的方法,包括:形成第一金属板;形成与所述第一金属板的外围区域对齐的金属环;放置与所述金属环齐平的器件管芯;用密封材料密封所述器件管芯和所述金属环;将介电材料填充至由所述金属环包围的空间中;形成覆盖所述介电材料和所述金属环的第二金属板,其中,在所述第二金属板中形成第一开口;以及形成第一多个再分布线,其中,所述第一多个再分布线中的第一再分布线覆盖所述第一开口的部分,其中,所述第一金属板、所述金属环、所述第二金属板和所述介电材料结合在一起形成选自天线和波导管的无源器件,并且所述第一再分布线形成所述无源器件的信号连线。

【技术特征摘要】
2015.12.04 US 14/959,3131.一种形成封装件的方法,包括:形成第一金属板;形成与所述第一金属板的外围区域对齐的金属环;放置与所述金属环齐平的器件管芯;用密封材料密封所述器件管芯和所述金属环;将介电材料填充至由所述金属环包围的空间中;形成覆盖所述介电材料和所述金属环的第二金属板,其中,在所述第二金属板中形成第一开口;以及形成第一多个再分布线,其中,所述第一多个再分布线中的第一再分布线覆盖所述第一开口的部分,其中,所述第一金属板、所述金属环、所述第二金属板和所述介电材料结合在一起形成选自天线和波导管的无源器件,并且所述第一再分布线形成所述无源器件的信号连线。2.根据权利要求1所述的方法,还包括:当形成所述金属环时,同时形成通孔,所述密封材料密封所述通孔,其中,所述第一多个再分布线中的第二再分布线电连接至所述通孔。3.根据权利要求2所述的方法,还包括:在形成所述第一金属板之前,形成第二多个再分布线和在所述第二多个再分布线上方的介电层,其中,所述通孔电连接至所述第二多个再分布线中的一个再分布线。4.根据权利要求1所述的方法,其中,所述无源器件包括所述天线。5.根据权利要求4所述的方法,其中,所述天线被配置为产生具有高于50GHz频率的信号。6.根据权利要求1所述的方法,其中,所述无源器件包括波导管,并且所述第二金属板包括第二开口,所述第一多个再分布线包括覆盖所述第二开口的部分的额外的再分布线。7.一种形成封装件的方法,包括:形成第一介电层;在所述第一介...

【专利技术属性】
技术研发人员:王垂堂蔡仲豪余振华谢政宪林炜恒
申请(专利权)人:台湾积体电路制造股份有限公司
类型:发明
国别省市:中国台湾,71

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