半导体封装载板及其制造方法技术

技术编号:15643829 阅读:299 留言:0更新日期:2017-06-16 18:28
本发明专利技术是关于一种半导体封装载板及其制造方法。本发明专利技术的半导体封装载板主要包括一模铸介电层与一图案化导体层。模铸介电层具有至少一开口槽。而图案化导体层是埋设于此模铸介电层内,其中部分图案化导体层自开口槽显露出是作为导电柱,另一部分该图案化导体层作为导线。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装载板及其制造方法
本专利技术是关于一种载板及其制造方法,特别关于一种适用于中低脚数的集成电路封装领域的半导体封装载板及其制造方法。
技术介绍
随着人类对提高生活便利性的需求下,各种电子化产品爆炸性的急速扩张,而在电子产品组件制程上占据举足轻重地位的集成电路封装技术也因应此需求所寄予的高速处理化、多功能化、积集化(Integrated)以及小型轻量化等多方面渴望,朝向微型化与高密度化发展。目前半导体封装技术在中低脚数的封装上主要是以引线框架(Leadframe)、四方扁平无脚封装(QuadFlatNo-leadPackage,QFN)或晶圆级晶片封装方式(WBCSP)为主,但若要应用于智能手机或穿戴式装置所需求的小型、轻薄、低成本以及细间距等功能需求下,上述封装用的载板或引线框架已面临技术瓶颈。举例来说,在引线框架上的封装制程架构上,其所使用的导线架厚度往往较大,再者,因为其无法形成较为精细的线路与现率间距,以及线路布局(un-routable),因此导线架无法对设置于其上的晶片具有电磁波防护效果。此外,现有的载板的介电材料是采用有玻璃纤维的核心层(CCL)或树脂胶片(PP:Prepreg),并用雷射钻孔(laservia)作为电性连接,但雷射对玻璃纤维材进行钻孔的加工产出慢,成本高,且孔径不易微小化。再者,当介电材采用玻纤的BT、FR4、FR5或ABF等材料和防焊材料时,在薄型化的情况下,非常容易产生板翘,导致薄型化困难。更者,由玻璃纤维组构成的介电材料也增加了细线路加工的难度与成本。因此,各家封装业者无不汲汲营营研究可符合目前中低脚数封装结构市场所需的导线架。本专利技术是针对此一需求,提出一种崭新的载板及其制造方法,以符合此需。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于提供一种半导体封装载板及其制造方法,其兼具有可绕线,细线路间距与厚度薄的优点。本专利技术的另一目的在于提供一种半导体封装载板及其制造方法,其可符合中低脚数的集成电路封装领域的体积轻薄与成本低廉的需求。为达上述目的,本专利技术提供一种半导体封装载板的制造方法,其包含:于一暂时性载板的一表面形成一图案化导体层;于该暂时性载板的该表面上形成一模铸介电层,该模铸介电层覆盖该图案化导体层;于该模铸介电层上形成至少一开口槽,该开口槽显露出部分该图案化导体层;以及移除该暂时性载板,以显露出该图案化导体层的一侧及部分的该介电材料层,其中部分该图案化导体层自该开口槽显露出,形成该图案化导体层上下两端是开放端的是作为导电柱,而形成该图案化导体层仅一端是开放端的是作为导线。本专利技术的一个实施例中,其中该暂时性载板为铁、镍、铜金属或与介电材料复合而制成。本专利技术的一个实施例中,其中形成该图案化导体层的步骤系包含:于该暂时性载板的该表面形成一图案化光阻层,该图案化光阻层具有复数开孔;于该开孔中形成一导体材料;以及移除该图案化光阻层,以形成该图案化导体层。本专利技术的一个实施例中,其中该导体材料通过电镀技术、无电镀技术、溅镀技术或蒸镀技术所形成。本专利技术的一个实施例中,其中该模铸介电层通过真空压模技术或铸模技术所形成。本专利技术的一个实施例中,其中在形成该开口槽后,更包含填设一导电层于该开口槽内。本专利技术的一个实施例中,更包含:形成一保护层于该导电层表面及显露于该模铸介电层外的该图案化导体层表面。本专利技术的一个实施例中,更包含:形成一保护层于显露于该模铸介电层外的该图案化导体层表面。本专利技术还提供一种半导体封装载板,其包含:一模铸介电层,其具有至少一开口槽;以及至少一图案化导体层,其埋设于该模铸介电层内,其中部分该图案化导体层自该开口槽显露出,形成该图案化导体层上下两端是开放端的是作为导电柱,而形成该图案化导体层仅一端是开放端的是作为导线。本专利技术的一个实施例中,其中该模铸介电层是一利用真空压模技术或铸模技术所形成模铸介电层。本专利技术的一个实施例中,更包含有一导电层,其填设于该开口槽内。本专利技术的一个实施例中,其中该导电层表面与显露于该模铸介电层外的该图案化导体层表面上形成有一保护层。本专利技术的一个实施例中,其中显露于该模铸介电层外的该图案化导体层表面上形成有一保护层。本专利技术还提供一种使用上述所述的半导体封装载板所形成的封装结构,其包含:一晶片,其设置于该载板表面;以及一封胶层,其封围该晶片。本专利技术的一个实施例中,更包含至少一锡球,其设置于该开口槽内并与该导电柱电性连接。本专利技术的有益效果如下:本专利技术的崭新的半导体封装载板与其制作方法,其导电柱和导线是由图案化导体层所同时形成,并利用一高度约略相近的模铸介电层封围,能够减少载板整体厚度,并且因导电层的图案化过程已经是一相当成熟的技术,因此线路间距也可以大幅缩小,并可以形成环绕式的导线布局,进而提供晶片电磁上的防护。附图说明图1所示为本专利技术第一实施例的半导体封装载板的一示意图。图2为图1的半导体封装载板应用于球栅阵列封装的一实施例示意图。图3为图1的半导体封装载板应用于球栅阵列封装的另一实施例示意图。图4A至图4F为图1所示的半导体封装载板的制作步骤示意图。图4G为具有保护层的半导体封装载板的一示意图。图5为本专利技术第二实施例的半导体封装载板的一示意图。图6为图5的半导体封装载板应用于平面网格阵列封装的一实施例示意图。图7为图5的半导体封装载板应用于平面网格阵列封装的另一实施例示意图。图8A至图8F为图5所示的半导体封装载板的制作步骤示意图。附图标记10、50半导体封装载板12模铸介电层14图案化导体层14a导电柱14b导线16保护层18开口槽20、60封装结构22晶片23连接凸块24封胶层25固定胶26锡球32金属线材40暂时性载板42图案化光阻层422开孔44导体材料52导电层。具体实施方式以下将通过实施例来解释本
技术实现思路
,本专利技术的实施例并非用以限制本专利技术须在如实施例所述的任何特定的环境、应用或特殊方式方能实施。因此,关于实施例的说明仅为阐释本专利技术的目的,而非用以限制本专利技术。须说明者,以下实施例及图式中,与本专利技术非直接相关的元件已省略而未绘示;且图式中各元件间的尺寸关系仅为求容易了解,非用以限制实际比例。另外,以下实施例中,相同的元件将以相同的元件符号加以说明。本专利技术是一种兼具有体积小、厚度薄,成本低,且导线间距可以细微化等特性的载板,其可应用于中低脚数的集成电路封装领域。请参照图1所示,本专利技术的半导体封装载板的第一实施例的示意图。如图1所示,半导体封装载板10主要包括一模铸介电层12以及至少一图案化导体层14。图案化导体层14埋设于模铸介电层12内,且图案化导体层14包含有至少一第一导体部与至少一第二导体部。其中,第一导体部与第二导体部之间由模铸介电层12隔离。模铸介电层12具有至少一开口槽18,以显露出第一导体部,使第一导体部呈现上下两端皆为开放式,也就是第一导体部具有上下两端显露于模铸介电层12外的开放端,使第一导体部可作为上下层电性传递的导电柱14a。而第二导体部仅一端开放式显露于模铸介电层12外,是作为导线14b,可做同一层的线路布局(绕线)之用。另外,部分的导线14b亦可作为电性连接垫,以作为与电子元件连接的用途。于此,要说明的是,所谓的开放式是指图案化导体层14未被模铸介电层12覆盖的部分。换言之,即显露于模铸介电层12的部分图案本文档来自技高网
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半导体封装载板及其制造方法

【技术保护点】
一种半导体封装载板的制造方法,其特征在于包含:于一暂时性载板的一表面形成一图案化导体层;于该暂时性载板的该表面上形成一模铸介电层,该模铸介电层覆盖该图案化导体层;于该模铸介电层上形成至少一开口槽,该开口槽显露出部分该图案化导体层;以及移除该暂时性载板,以显露出该图案化导体层的一侧及部分的该介电材料层,其中部分该图案化导体层自该开口槽显露出,形成该图案化导体层上下两端是开放端的是作为导电柱,而形成该图案化导体层仅一端是开放端的是作为导线。

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装载板的制造方法,其特征在于包含:于一暂时性载板的一表面形成一图案化导体层;于该暂时性载板的该表面上形成一模铸介电层,该模铸介电层覆盖该图案化导体层;于该模铸介电层上形成至少一开口槽,该开口槽显露出部分该图案化导体层;以及移除该暂时性载板,以显露出该图案化导体层的一侧及部分的该介电材料层,其中部分该图案化导体层自该开口槽显露出,形成该图案化导体层上下两端是开放端的是作为导电柱,而形成该图案化导体层仅一端是开放端的是作为导线。2.如权利要求1所述的半导体封装载板的制造方法,其特征在于,其中该暂时性载板为铁、镍、铜金属或与介电材料复合而制成。3.如权利要求1所述的半导体封装载板的制造方法,其特征在于,其中形成该图案化导体层的步骤包含:于该暂时性载板的该表面形成一图案化光阻层,该图案化光阻层具有复数开孔;于该开孔中形成一导体材料;以及移除该图案化光阻层,以形成该图案化导体层。4.如权利要求3所述的半导体封装载板的制造方法,其特征在于,其中该导体材料通过电镀技术、无电镀技术、溅镀技术或蒸镀技术所形成。5.如权利要求1所述的半导体封装载板的制造方法,其特征在于,其中该模铸介电层通过真空压模技术或铸模技术所形成。6.如权利要求1所述的半导体封装载板的制造方法,其特征在于,其中在形成该开口槽后,更包含填设一导电层于该开口槽内。7.如权利要求6所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员:许诗滨曾昭崇
申请(专利权)人:恒劲科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:中国台湾,71

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