存储器装置及其操作方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种存储器装置，其包括：成功/失败检查电路，其被配置成比较存储器单元的数量与第一参考位数量并且检查第一组存储器单元是成功还是失败，其中基于多个存储器单元的第一组存储器单元的验证编程操作的结果，存储器单元被验证为编程失败；以及控制电路，其被配置成当基于成功/失败检查电路的成功/失败检查操作的结果，发现第一组存储器单元成功时，基于小于第一参考位数的第二参考位数，控制成功/失败检查电路以重新检查第一组存储器单元是成功还是失败。

【技术实现步骤摘要】
存储器装置及其操作方法相关申请的交叉引用本申请要求于2015年12月4日提交的申请号为10-2015-0172401的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用并入本文。
本专利技术的示例性实施例涉及一种存储器装置的编程/擦除验证操作，且更特别地，涉及一种用于通过编程/擦除验证操作检查存储器单元的状态的存储器装置及其操作方法。
技术介绍
计算机环境范式已经转变为能够在任何地方和任何时间使用的普适计算系统。因此，诸如移动电话、数码相机和笔记本电脑的便携式电子装置的使用已迅速地增加。这些便携式电子装置通常使用具有用于存储数据的一个或多个半导体存储器装置，即数据存储装置的存储器系统。存储器系统可被用作便携式电子装置的主要或辅助存储器装置。使用半导体存储器装置的存储器系统提供了优良的稳定性、耐久性、高的信息存取速度和低功耗，这是因为不像其它类型的数据存储装置，它们没有移动部件。具有这些优势的存储器系统的示例包括通用串行总线(USB)存储器装置、具有各种接口的存储卡和固体驱动器(SSD)。
技术实现思路
本公开的各种实施例涉及一种用于通过编程/擦除验证操作检查存储器单元的状态的存储器装置和其操作方法。在本公开的实施例中，存储器装置可包括：多个存储块，每个存储块包括多个存储器单元；读取/写入电路，其适于读取多个存储器单元的第一组存储器单元的数据并且适于验证对第一组存储器单元的每个存储器单元的编程操作；成功/失败检查电路，其适于比较第一参考位数与第一组存储器单元中的作为读取/写入电路的验证操作的结果被验证为编程失败的第一存储器单元的数量，并且适于检查第一组存储器单元是成功还是失败；以及控制电路，其适于当作为成功/失败检查电路的成功/失败检查操作的结果，发现第一组存储器单元成功时，基于小于第一参考位数的第二参考位数，控制成功/失败检查电路以重新检查第一组存储器单元是成功还是失败。在本公开的实施例中，存储器装置可包括：多个存储块，每个存储块包括多个存储器单元；读取/写入电路，其适于读取每个存储块的多个存储器单元的数据并且验证对存储块的擦除操作；成功/失败检查电路，其适于比较第一参考位数与多个存储器单元中的作为读取/写入电路的验证操作的结果被验证为擦除失败的第一存储器单元的数量，并且适于检查存储块是成功还是失败；以及控制电路，其适于当作为成功/失败检查电路的成功/失败检查操作的结果，发现存储块成功时，基于小于第一参考位数的第二参考位数，控制成功/失败检查电路以重新检查存储块是成功还是失败。在本公开的实施例中，存储器装置的操作方法可包括：通过将编程电压施加于多个存储器单元的第一组存储器单元上，对多个存储器单元的第一组存储器单元编程；验证第一组存储器单元的每一个的编程状态；比较第一参考位数与第一组存储器单元中的作为编程状态的验证结果被验证为编程失败的第一存储器单元的数量；检查第一组存储器单元是成功还是失败；以及当作为第一组存储器单元的检查结果，发现第一组存储器单元成功时，基于小于第一参考位数的第二参考位数，重新检查第一组存储器单元是成功还是失败。附图说明图1是说明根据本专利技术的实施例的包括存储器系统的数据处理系统的简图。图2是说明在图1的存储器系统中采用的存储器装置的简图。图3是说明图2的存储器装置的存储块的配置示例的电路图。图4-图11是示意性地说明根据本专利技术的各种实施例的图2的存储器装置的各方面的简图。图12是说明根据本专利技术的实施例的存储器装置的配置的简图。图13是根据本专利技术的实施例的包括在图12的读取/写入电路中的页面缓冲器的示例的电路图。图14是根据本专利技术的实施例的图12的成功/失败检查电路的示例的电路图。图15是说明根据本专利技术的实施例的图12的存储器装置的总体操作的简图。具体实施方式下面将参照附图描述各个实施例。然而，注意的是，本专利技术可呈现为不同形式，并且不应被理解为限于本文所阐述的实施例。而是，提供这些实施例使得本公开将彻底且完整，并且将本专利技术充分地传达给本领域技术人员。在整个公开中，在本专利技术的各幅附图和实施例中，使用相同的参考标号指代相同的部件。将理解的是，虽然可在本文使用术语“第一”、“第二”、“第三”等以描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语限制。使用这些术语以将一个元件、组件、区域、层或部分与另一个元件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离本公开的精神和范围的情况下，下文所描述的第一元件、第一组件、第一区域、第一层或第一部分可被称做第二元件、第二组件、第二区域、第二层或第二部分。将进一步理解的是，当元件或层被称作“连接至”或“联接至”另一个元件或层时，其可以直接在另一个元件或层上、连接至或联接至另一个元件或层，或可存在一个或多个中间元件或层。另外，也将理解的是，当元件或层被称作在两个元件或层“之间”时，其可以是两个元件或层之间唯一的元件或层，或者也可存在一个或多个中间元件或层。并且，本文使用的术语只是用于描述具体实施例的目的，而不旨在限制本公开。如本文使用的，单数形式“一”和“一个”旨在也包括复数形式，除非上下文另外清楚地表明。将进一步理解的是，当在本说明书中使用时，术语“包括”、“包括有”、“包含”和“包含有”指定所陈述的特征、整体、操作、元件和/或组件的存在，但不排除一个或多个其它特征、整体、操作、元件、组件和/或其组合的存在或添加。如本文使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关列出项目的任意和所有的组合。除非另有说明，否则本文使用的包括技术术语和科学术语的所有术语具有与本专利技术所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。将进一步理解的是，诸如在通常使用的字典中定义的那些术语的术语应被解释为具有与其在相关领域的语境中的含义相一致的含义，并不应以理想化或过于正式的意义来解释，除非本文专门如此定义。在下面的描述中，为了提供本公开的彻底理解，阐述许多具体细节。可在无某些或所有这些具体细节的情况下实践本公开。在其它情况下，为了不使本公开不必要混淆，不再详细地描述熟知的进程结构和/或进程。下文中，将参照附图详细地描述本公开的各个实施例。现在参照图1，提供根据本专利技术的实施例的数据处理系统100。数据处理系统100可包括主机102和存储器系统110。主机102可包括任何合适的电子装置。例如，主机102可包括诸如移动电话、MP3播放器、笔记本电脑等便携式电子装置。主机可包括诸如台式电脑、游戏机、TV、投影仪等非便携式电子装置。存储器系统110可响应于来自主机102的请求存储待被主机102访问的数据。存储器系统110可用作主机102的主要存储器系统或辅助存储器系统。存储器系统110可根据主机接口的协议被实施为与主机102电联接。可使用一个或多个半导体存储器装置。可使用易失性存储器装置或非易失性存储器装置。例如，存储器系统110可利用固态驱动器(SSD)、多媒体卡(MMC)、嵌入式MMC(eMMC)、减小尺寸的MMC(RS-MMC)和微型-MMC、安全数字(SD)卡、迷你-SD和微型-SD、通用串行总线(USB)存储装置、通用闪速存储(UFS)装置、标准闪存(CF)卡、智能媒体(SM)卡、记忆棒等来实施。用于存储器系统110的存储装置可利用诸如动态随机存取存本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储器装置，其包括：多个存储块，每个存储块包括多个存储器单元；读取/写入电路，其适于读取所述多个存储器单元的第一组存储器单元的数据，并且适于验证对所述第一组存储器单元的每个存储器单元的编程操作；成功/失败检查电路，其适于比较第一参考位数与所述第一组存储器单元中的作为所述读取/写入电路的验证操作的结果被验证为编程失败的第一存储器单元的数量，并适于检查所述第一组存储器单元是成功还是失败；以及控制电路，其适于当作为所述成功/失败检查电路的成功/失败检查操作的结果，发现所述第一组存储器单元成功时，基于小于所述第一参考位数的第二参考位数，控制所述成功/失败检查电路以重新检查所述第一组存储器单元是成功还是失败。

【技术特征摘要】
2015.12.04 KR 10-2015-01724011.一种存储器装置，其包括：多个存储块，每个存储块包括多个存储器单元；读取/写入电路，其适于读取所述多个存储器单元的第一组存储器单元的数据，并且适于验证对所述第一组存储器单元的每个存储器单元的编程操作；成功/失败检查电路，其适于比较第一参考位数与所述第一组存储器单元中的作为所述读取/写入电路的验证操作的结果被验证为编程失败的第一存储器单元的数量，并适于检查所述第一组存储器单元是成功还是失败；以及控制电路，其适于当作为所述成功/失败检查电路的成功/失败检查操作的结果，发现所述第一组存储器单元成功时，基于小于所述第一参考位数的第二参考位数，控制所述成功/失败检查电路以重新检查所述第一组存储器单元是成功还是失败。2.根据权利要求1所述的存储器装置，其进一步包括：电压供应电路，其适于将编程/验证电压施加至所述多个存储器单元的第一组存储器单元，用于对所述第一组存储器单元的编程/验证操作，其中，所述控制电路控制所述电压供应电路以使编程电压升高阶跃电压，使得当作为所述成功/失败检查电路的成功/失败检查操作的结果，发现所述第一组存储器单元失败时，再次对所述第一组存储器单元执行编程/验证操作和成功/失败检查操作。3.根据权利要求2所述的存储器装置，其中当在重复预设数量的编程/验证操作和成功/失败检查操作时，持续发现所述第一组存储器单元失败时，所述控制电路将所述第一组存储器单元视为编程失败页面。4.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述读取/写入电路包括：多个页面缓冲器，其分别通过位线被联接至所述第一组存储器单元，并且被联接至所述成功/失败检查电路的各自的感测节点。5.根据权利要求4所述的存储器装置，其中所述多个页面缓冲器中的每一个读取被编程在通过对应位线被联接至所述页面缓冲器的存储器单元中的数据，比较所读取的数据与锁存在所述页面缓冲器中的数据，并且根据比较结果改变对应感测节点的电势。6.根据权利要求4所述的存储器装置，其中所述成功/失败检查电路包括：参考电流产生单元，其适于响应于多个位的验证信号，产生参考电流；感测电流产生单元，其适于响应于所述感测节点的电势产生感测电流；以及比较单元，其适于比较所述感测电流与所述参考电流并且产生成功信号或失败信号。7.根据权利要求6所述的存储器装置，其中所述控制电路首先启动在所述验证信号的多个位中的所述第一参考位数的位。8.根据权利要求7所述的存储器装置，其中，响应于由所述比较单元输出的所述成功信号，所述控制电路启动在所述验证信号的多个位中的所述第二参考位数的位。9.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述成功/失败检查电路：当所述第一存储器单元的数量小于所述第一参考位数时，确定所述第一组存储器单元成功；以及当所述第一存储器单元的数量大于所述第一参考位数时，确定所述第一组存储器单元失败。10.根据权利要求1所述的存储器装置，其中当基于所述第二参考位数再次发现所述第一组存储器单元失败时，所述控制电路将所述第一组存储器单元登记并管理为具有高的性能恶化风险的页面。11.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘炳晟，高在亨，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR