一种复位控制模块及复位方法技术

技术编号:15638374 阅读:374 留言:0更新日期:2017-06-15 16:13
本发明专利技术公开了一种复位控制模块,所述复位控制模块集成于芯片中,芯片中包括至少一个功能模块,所述复位控制模块通过寄存器配置内容判断所需复位类型,控制芯片中功能模块进行长复位或短复位,减少不必要的模块初始化时间,提高芯片工作效率。本发明专利技术还公开了一种复位方法,所述复位方法通过检测芯片中功能模块所需的复位类型,通过复位控制芯片控制各个功能模块进行相应的复位,过程简单,方便实施。

【技术实现步骤摘要】
一种复位控制模块及复位方法
本专利技术涉及集成电路
,更准确的说涉及一种复位控制模块及复位方法。
技术介绍
在数字信号处理的应用系统设计中,复位处理是一个基本但又极为关键的问题。复位是将电路中保持状态的时序器件初始化,从而使电路的状态初始化。在进行电路系统设计时,每个系统都需要有一个能够正确复位整个系统的控制单元,在系统上电时对系统中各单元电路和芯片进行全局的复位控制。对于芯片来说,也需要保证芯片在上电时进行复位,初始化芯片内部的各个部分,以保证芯片内部各部分进入一个确定的状态。在电路系统设计时,一般在系统内设置专用的复位芯片,该专用复位芯片结合外围电路组成复位控制电路,该复位控制电路输出全局复位控制信号,对系统内所有的芯片进行复位。相应地,在设计芯片时,需要专门设计一个复位控制管脚,通过此复位控制管脚,系统的全局复位控制信号能够输入芯片,使芯片复位。由于单独设置复位芯片需要从外部控制芯片的复位,增加了电路设计的难度,同时增加了制造成本。为了解决上述问题,现有的解决方式是在芯片中集成复位控制芯片,实现芯片的自复位,同时通过一个芯片控制各单元电路的复位,电路设计更加简洁,效率更高。现有的芯片控制模块在进行复位时,会对芯片内部所有逻辑进行复位,不会对需要复位的类型进行区分,而当芯片内部具有如闪存模块这一类复杂的模拟模块时,该类模拟模块的初始化会耗费较长时间,如果每次复位均为长复位,则上述模拟模块每次复位均需要耗费较长的时间进行初始化,严重影响芯片的效率,进而影响电路的工作效率。
技术实现思路
有鉴于此,本专利技术的主要目的在于提供一种复位控制模块,所述复位控制模块集成于芯片中,芯片中包括至少一个功能模块,所述复位控制模块通过寄存器配置内容判断所需复位类型,控制芯片中功能模块进行长复位或短复位,减少不必要的模块初始化时间,提高芯片工作效率。本专利技术的另一个目的在于提供一种复位方法,所述复位方法通过检测芯片中功能模块所需的复位类型,通过复位控制芯片控制各个功能模块进行相应的复位,过程简单,方便实施。为了达到上述目的,本专利技术提供一种复位控制模块,集成于芯片中,所述芯片还包括至少一功能模块,所述复位控制模块与所述功能模块之间存在信息传递,所述复位控制模块收集所有所述功能模块的复位信息,并且所述复位控制模块根据所述寄存器配置内容判断所述功能模块所需要的复位方式,并控制所述功能模块进行长复位或者短复位。优选地,所述复位控制模块具有一状态机,所述状态机具有一状态0、一状态1、一状态2、一状态3以及一空闲状态,所述复位控制模块按照所述寄存器配置内容来判断和控制所述功能模块的复位方式。优选地,所述状态0的进入条件为:发生上电复位或不可恢复的复位事件;所述状态0的退出条件为:上电复位结束、不可恢复的复位事件结束、内部快速晶振已经运行10个周期以上并且电压稳压器能够稳定提供电压给所述芯片的内部逻辑。优选地,所述状态1的进入条件为:发生有效的长复位事件或者满足状态0的退出条件;所述状态1的退出条件为:有效的长复位事件结束并且内部快速晶振在状态1下运行时间超过闪存模块要求的recall时间。优选地,所述状态2的进入条件为:满足状态1的退出条件。所述状态2的退出条件为:所述功能模块初始化结束。优选地,所述状态3的进入条件为:发生有效的短复位事件或者满足状态2的退出条件;所述状态3的退出条件为:有效的短复位事件结束并且复位端口已被释放。优选地,所述空闲状态的进入条件为:满足状态3的退出条件;所述空闲状态的退出条件为:发生上电复位、不可恢复的复位事件、有效的长复位事件或者有效的短复位事件。本专利技术还提供一种复位方法的流程示意图,所述复位方法基于所述复位控制模块11,包括步骤:(A)复位控制模块检测并判断功能模块所需复位方式;(B)复位控制模块控制功能模块进行长复位或短复位。与现有技术相比,本专利技术公开的一种复位控制模块和复位方法的优点在于:所述复位控制模块集成于芯片内,控制芯片内集成的功能模块进行复位,同时控制集成电路的复位,电路集成化高,芯片效率高;所述复位控制模块通过区分功能模块所需要进行的复位类型控制其复位,大大缩短了复位所需时间,芯片工作效率大幅提高;所述复位方法基于所述复位控制模块,过程简单,方便实施。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。如图1所示为本专利技术的一种复位控制模块集成于芯片中的示意图。如图2所示为所述复位控制模块的复位状态机的示意图。如图3所示为本专利技术的一种复位方法的流程示意图。具体实施方式如图1所示,本专利技术的一种复位控制模块11集成于一芯片10内,所述芯片10还集成了至少一个功能模块12,所述复位控制模块11与各个所述功能模块12之间分别存在信息传递。所述复位控制模块11收集所有所述功能模块12的复位信息,并且所述复位控制模块11根据收集到的信息判断所述功能模块12所需要的复位方式,并控制所述功能模块12进行复位。所述复位控制模块11将复位方式分为长复位和短复位两种方式。当所述功能模块12为例如闪存模块等复杂的模拟模块时,对其进行长复位需要对其进行初始化,耗时较长,当仅需对所述功能模块12部分逻辑进行复位时,所述复位控制模块11控制其进行短复位,省略所述功能模块12的初始化过程,缩短复位时间,提高了所述芯片10的工作效率。如图2所示为所述复位控制模块11的复位状态机示意图,具有5个状态,分别为状态0(PHASE0)、状态1(PHASE1)、状态2(PHASE2)、状态3(PHASE3)和空闲状态(IDLE)。所述复位控制模块11按照状态机来判断和控制复位方式。上述状态均具有一进入条件和一退出条件,所述复位控制模块11在不同的条件下进入或退出特定状态。下面以所述功能模块12为闪存模块时的情况对所述复位状态机进行说明。所述复位状态机中状态0的进入条件为:发生上电复位或不可恢复的复位事件。其中上电复位为所述芯片10刚接通电源后的复位,此时所述芯片10的所有逻辑都会进行复位,闪存模块会进行recall,然后进行初始化过程。不可恢复的复位事件指的是会造成关键寄存器和存储单元内容丢失的时间,这种情况下复位处理方式与上电复位相同,所述芯片10的所有逻辑均会进行复位,闪存模块会进行recall,然后进行初始化过程。所述复位状态机中状态0的退出条件为:上电结束;不可恢复的复位事件结束;内部快速晶振已经运行10个周期以上;电压稳压器能够稳定提供电压给所述芯片10的内部逻辑。所述状态1的进入条件为:发生有效的长复位事件或者满足状态0的退出条件。所述状态1的退出条件为:有效的长复位事件结束并且内部快速晶振在状态1下运行时间超过闪存模块要求的recall时间。所述状态2的进入条件为:满足状态1的退出条件。所述状态2的退出条件为:闪存模块初始化结束。所述状态3的进入条件为:发生有效的短复位事件或者满足状态2的退出条件。所述状态3的退出条件为:有效的短复位事件结束并且复位端口已被释放。其中复位端口在任何复位发生时,都会本文档来自技高网...
一种复位控制模块及复位方法

【技术保护点】
一种复位控制模块,集成于芯片中,所述芯片还包括至少一功能模块,其特征在于,所述复位控制模块与所述功能模块之间存在信息传递,所述复位控制模块收集所有所述功能模块的复位信息,并且所述复位控制模块根据寄存器配置内容判断所述功能模块所需要的复位方式,并控制所述功能模块进行长复位或者短复位。

【技术特征摘要】
1.一种复位控制模块,集成于芯片中,所述芯片还包括至少一功能模块,其特征在于,所述复位控制模块与所述功能模块之间存在信息传递,所述复位控制模块收集所有所述功能模块的复位信息,并且所述复位控制模块根据寄存器配置内容判断所述功能模块所需要的复位方式,并控制所述功能模块进行长复位或者短复位。2.如权利要求1所述的复位控制模块,其特征在于,所述复位控制模块具有一状态机,所述状态机具有一状态0、一状态1、一状态2、一状态3以及一空闲状态,所述复位控制模块按照所述寄存器配置内容来判断和控制所述功能模块的复位方式。3.如权利要求2所述的复位控制模块,其特征在于,所述状态0的进入条件为:发生上电复位或不可恢复的复位事件;所述状态0的退出条件为:上电复位结束、不可恢复的复位事件结束、内部快速晶振已经运行10个周期以上并且电压稳压器能够稳定提供电压给所述芯片的内部逻辑。4.如权利要求3所述的复位控制模块,其特征在于,所述状态1的进入条件为:发生有效的长...

【专利技术属性】
技术研发人员:郑茳肖佐楠匡启和竺际隆蒋小梅
申请(专利权)人:苏州国芯科技有限公司
类型:发明
国别省市:江苏,32

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