像素结构与具有此像素结构的显示面板制造技术

本发明专利技术公开了一种像素结构，包含第一基板、多个薄膜晶体管、波长转换层及金属光栅偏振层。薄膜晶体管设置于第一基板的内表面上。金属光栅偏振层，设置于多个薄膜晶体管上。波长转换层设置于第一基板的内表面与该金属光栅偏振层之间，其中波长转换层用以接受来自波长转换层与第一基板间的光束，并转换为波长转换层所对应的光波段。

【技术实现步骤摘要】
像素结构与具有此像素结构的显示面板
本专利技术是有关于一种像素结构与具有此像素结构的显示装置。
技术介绍
于家用电器设备的各式电子产品之中，应用薄膜晶体管(thinfilmtransistor；TFT)的液晶显示器已经被广泛地使用。薄膜晶体管式的液晶显示器主要是通过薄膜晶体管阵列基板、彩色滤光阵列基板和液晶层构成，其中薄膜晶体管阵列基板上设置有多个以阵列排列的薄膜晶体管，以及，与薄膜晶体管对应配置的像素电极(pixelelectrode)。再者，随着液晶显示器所要求的解析度与色彩对比度日渐提升。对此，找寻下一种新的技术方案达到较佳的显示品质，实属当前重要研发课题之一，亦成为当前相关领域亟需改进的目标。
技术实现思路
本专利技术增进像素结构的出光效率并改善像素结构的出光视角，使得出光视角可集中在某一范围内，并具有较均匀的出光强度。本专利技术的一实施方式提供一种像素结构，包含第一基板、多个薄膜晶体管、波长转换层及金属光栅偏振层。薄膜晶体管设置于第一基板的内表面上。金属光栅偏振层设置于多个薄膜晶体管上。波长转换层设置于第一基板的内表面与该金属光栅偏振层之间，其中波长转换层用以接受波长转换层与第一基板间的光束，并转换为波长转换层所对应的光波段。于部分实施方式中，像素结构更包含平坦层。平坦层设置于波长转换层与金属光栅偏振层之间。于部分实施方式中，像素结构更包含彩色滤光层。彩色滤光层设置于波长转换层与金属光栅偏振层之间。于部分实施方式中，波长转换层更包含第一转换部及第二转换部。第一转换部用以接收光束，并将光束转换为第一波长。第二转换部用以接收光束，并将光束转换为第二波长。于部分实施方式中，彩色滤光层更包含第一滤光部及第二滤光部。第一滤光部设置于第一转换部上。第二滤光部设置于第二转换部上。于部分实施方式中，像素结构更包含光准直层。光准直层设置于像素电极与波长转换层之间，其中光准直层更包含反射部与穿透部。于部分实施方式中，波长转换层包含第一转换部与第二转换部，第一转换部用以接收光束，并将光束转换为第一波长，第二转换部用以接收光束，并将光束转换为第二波长，其中光准直层设置于波长转换层上方，而反射部于波长转换层的垂直投影位于第一转换部与第二转换部的交界处上。于部分实施方式中，反射部具有第一折射率，穿透部具有第二折射率，且第二折射率大于第一折射率。于部分实施方式中，波长转换层与光准直层直接接触，且波长转换层具有第三折射率，其中第三折射率大于等于第二折射率。于部分实施方式中，第一折射率与第三折射率的比值介于0.7～0.9之间。于部分实施方式中，像素结构更包括彩色滤光层。彩色滤光层设置于波长转换层与光准直层之间，彩色滤光层与光准直层直接接触且彩色滤光层具有第三折射率，且第三折射率大于第二折射率。于部分实施方式中，像素结构更包含遮光层，且波长转换层包含第一转换部与第二转换部，第一转换部用以接收光束，并将光束转换为第一波长，第二转换部用以接收光束，并将光束转换为第二波长，其中遮光层于波长转换层的垂直投影位于第一转换部与第二转换部的交界面上。于部分实施方式中，像素结构更包含多个像素电极，设置于第一基板的内表面上，且多个像素电极分别与所对应的薄膜晶体管电性连接，其中金属光栅偏振层设置于该波长转换层与该些像素电极之间。于部分实施方式中，金属光栅偏振层具有多个相互分离的区块，各个相互分离的区块与所对应的多个薄膜晶体管其中一者电性连接，其中金属光栅偏振层用以做为一像素电极。于部分实施方式中，像素结构更包括第二基板及另一金属光栅偏振层。第二基板与第一基板相对设置。另一金属光栅偏振层设置于第二基板的表面上。本专利技术的一实施方式提供一种显示面板，包括像素结构、第二基板及显示介质层。第二基板与第一基板相对设置。显示介质层设置于第一基板与第二基板之间。附图说明图1A为本专利技术的第一实施方式绘示像素结构的上视示意图。图1B绘示图1A的像素结构沿线段1B-1B’的剖面示意图。图2为依据本专利技术的第二实施方式绘示像素结构的剖面示意图，其中图2的剖面位置与图1B相同。图3绘示比较例的像素结构、第一实施方式的像素结构及第二实施方式的像素结构的色彩空间(colorspace)图。图4A为依据本专利技术的第三实施方式绘示像素结构的剖面示意图，其中图2的剖面位置与图1B相同。图4B绘示射向图4A的反射部的光线的路径示意图。图4C绘示图4A的像素结构的出光视角与光强度的关系图。图5为依据本专利技术的第四实施方式绘示像素结构的剖面示意图，其中图5的剖面位置与图1B相同。图6为依据本专利技术的第五实施方式绘示显示面板的剖面示意图，其中图6的剖面位置与图1B相似。其中，附图标记：100A、100B、100C、100D、220像素结构102、228第一基板104扫描线106A、106B、106C、236数据线108、108’、108”薄膜晶体管110第一绝缘层112第二绝缘层114、230波长转换层116、232第一转换部118、233第二转换部120、234光穿透部122第一量子点124第二量子点126平坦层128、226、235金属光栅偏振层130第三绝缘层132A、132B、132C、237像素电极134彩色滤光层136第一滤光部138第二滤光部140第三滤光部142光准直层144反射部146穿透部200显示面板210背光模块212导光板214反射层216光源222遮光层224共用电极240显示介质层242显示介质250第二基板1B-1B’线段A1、A2、A3像素区域C1、C2、C3、CA、CB曲线D1、D2、D3漏极G1、G2、G3栅极L1A、L1B、L1C、L2、L3、L1A’、L1B’、L1C’光束LA、LB、LC光线S1、S2、S3源极S10内表面S20外表面S30、S60上表面S40、S70下表面S50侧表面SE1、SE2、SE3半导体层T1、T2、T3厚度θ1角度θc1、θc2全反射临界角具体实施方式以下将以图式揭露本专利技术的多个实施方式，为明确说明起见，许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而，应了解到，这些实务上的细节不应用以限制本专利技术。也就是说，在本专利技术部分实施方式中，这些实务上的细节是非必要的。此外，为简化图式起见，一些习知惯用的结构与元件在图式中将以简单示意的方式绘示之。然而，某些实施方式可与其他现有技术已知的方法和结构相结合的情况下实施。在以下的描述中，表示特定的结构、尺寸和相关的光学设计等具体细节以提供对本专利技术的透彻理解。在其他情况下，未对现有技术已知的半导体结构和制造进行特别详细地描述，以免不必要地模糊本专利技术。整个说明书中所提到的“本实施方式”是指包括在本专利技术的特定的结构、尺寸和相关的光学设计至少一个实施方式中。因此，整个说明书中多处出现“本实施方式”不一定是指本专利技术的相同实施方式。此外，特定的结构、尺寸和相关的光学设计或特性可以任何适当的方式结合一个或多个实施方式中。本文所使用的“跨越”、“在...上方”、“到”、“在...之间”和“在…上”，可指一层相对于其他层的相对位置。一层“跨越”另一层、在另一层“上方”或“上”或者键合“到”另一层或与另一层“接触”可为直接与其他层接触或可具有一个或多个居间层。一层在多层“之间”可为直接与该多层接触或可具有一个或多个居本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种像素结构，其特征在于，包含：一第一基板；多个薄膜晶体管，设置于该第一基板的内表面上；一金属光栅偏振层，设置于该些薄膜晶体管上；以及一波长转换层，设置于该第一基板的内表面与该金属光栅偏振层之间，其中该波长转换层用以接受来自该波长转换层与第一基板间的一光束，并将该光束的波长转换为该波长转换层所对应的光波段。

【技术特征摘要】
2017.01.16 TW 1061014451.一种像素结构，其特征在于，包含：一第一基板；多个薄膜晶体管，设置于该第一基板的内表面上；一金属光栅偏振层，设置于该些薄膜晶体管上；以及一波长转换层，设置于该第一基板的内表面与该金属光栅偏振层之间，其中该波长转换层用以接受来自该波长转换层与第一基板间的一光束，并将该光束的波长转换为该波长转换层所对应的光波段。2.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，更包含一平坦层，设置于该波长转换层与该金属光栅偏振层之间。3.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，更包含一彩色滤光层，设置于该波长转换层与该金属光栅偏振层之间。4.根据权利要求3所述的像素结构，其特征在于，该波长转换层更包含：一第一转换部，用以接收该光束，并将该光束转换为一第一波长；以及一第二转换部，用以接收该光束，并将该光束转换为一第二波长。5.根据权利要求4所述的像素结构，其特征在于，该彩色滤光层更包含：一第一滤光部，设置于该第一转换部上；以及一第二滤光部，设置于该第二转换部上。6.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，更包含：一光准直层，设置于该像素电极与该波长转换层之间，其中该光准直层更包含一反射部与一穿透部。7.根据权利要求6所述的像素结构，其特征在于，该波长转换层包含一第一转换部与一第二转换部，该第一转换部用以接收该光束，并将该光束转换为一第一波长，该第二转换部用以接收该光束，并将该光束转换为一第二波长，其中该光准直层设置于该波长转换层上方，而该反射部于该波长转换层的垂直投影位于该第一转换部与该第二转换部的交界处上。8.根据权利要求7所述的像素结构，其特征在于，该反射部具有一第一折射率，该穿透部具有一第二折射率，且该第二折射率大于该第一折射率。9.根据权利要求8所述的像素结构，其特征在于，该波长转换层与该光准直层直接接触，该波长转换层具有一第三折射率，其中该第三折射率大于等于该...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈昱超，谢馨儀，廖烝贤，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71