用于检查液晶的注射情况的方法和装置制造方法及图纸

技术编号:15637576 阅读:232 留言:0更新日期:2017-06-15 06:54
公开了一种用于检查液晶的注射情况的方法和装置,其中具有注射在上基板与下基板之间的液晶的液晶盒在被光照射的同时局部挤压,使得可以基于来自液晶盒的光泄漏来检查液晶的注射情况。为此,检查注射在液晶盒的上基板与下基板之间的液晶的注射情况的方法包括:挤压步骤,以预设压力在挤压位置处挤压液晶盒;照射步骤,通过光照射整个液晶盒或液晶盒的挤压位置;光泄漏测量步骤,在经受挤压步骤和照射步骤的同时测量在挤压位置处穿过液晶盒的光的泄漏;以及检查步骤,将在光泄漏测量步骤中测量的光泄漏与预设参考变化进行比较。

【技术实现步骤摘要】
用于检查液晶的注射情况的方法和装置
本专利技术涉及用于检查液晶的注射情况的方法和装置,更具体地,涉及用于检查液晶的注射情况的方法和装置,其中,在通过光照射的同时局部挤压具有注射在上基板与下基板之间的液晶的液晶盒,使得可以基于液晶盒的光泄漏来检查液晶的注射情况。
技术介绍
通常,液晶显示(LCD)装置包括光源和液晶盒,并且利用液晶的双折射来控制光的透射,从而显示各种图像。在制造液晶盒的过程中,提出了一种将液晶材料散布到基板上并且使用另一基板来覆盖该基板的技术。这样的技术显著减少了在用于形成液晶盒的过程中所需步骤的数量,并且由此提高了制造效率。具体地,滴下式注入(ODF)法包括以下步骤。首先,向一对基板中的一个基板的整个边缘施加密封剂以形成密封构件,并且将液晶材料散布在该对基板中的一个基板上。在散布步骤之后,将一个基板布置在另一基板上。在这种状态下,使密封构件硬化。与常规真空注射法相比,该ODF法减少了使用液晶材料的量以及注射液晶材料所花费的时间,从而显著减少了液晶盒的制造成本,并且提高了产率。此时,更重要的是检查液晶的注射情况,以防止当基板变得更薄和更大并且液晶盒具有更高分辨率时液晶盒的驱动缺陷。现有技术专利文献题为“SYSTEMFORTESTINGALIQUIDCRYSTALANDENDSEALOFLCDCELL”并于2000年1月15日公布的韩国专利第10-0279260号。
技术实现思路
因此,构思本专利技术以解决上述问题,并且本专利技术的一个方面提供了一种用于检查液晶的注射情况的方法和装置,其中,在通过光照射的同时局部挤压具有注射在上基板与下基板之间的液晶的液晶盒,使得可以基于来自液晶盒的光泄漏来检查液晶的注射情况。根据本专利技术的实施方式,提供了一种检查注射在液晶盒的上基板与下基板之间的液晶的注射情况的方法,该方法包括:挤压步骤,以预设压力在挤压位置处挤压液晶盒;照射步骤,通过光照射整个液晶盒或液晶盒的挤压位置;光泄漏测量步骤,在经受挤压步骤和照射步骤的同时测量在挤压位置处穿过液晶盒的光的泄漏;以及检查步骤,将在光泄漏测量步骤中测量的光泄漏与预设参考变化进行比较。检查步骤可以包括:如果在光泄漏测量步骤中测量的光泄漏在预设参考变化的误差范围内,则确定液晶在正常注射情况下,而如果在光泄漏测量步骤中测量的光泄漏在预设参考变化的误差范围之外,则确定液晶在不良注射情况下。在光泄漏测量步骤中测量的光泄漏可以包括挤压位置处的光的亮度、挤压位置处的光泄漏的面积以及挤压位置处的光泄漏的直径中的至少一种状态。根据本专利技术的实施方式,提供了一种检查注射在液晶盒的上基板与下基板之间的液晶的注射情况的方法,该方法包括:挤压步骤,以预设压力在挤压位置处挤压液晶盒;照射步骤,通过光照射整个液晶盒或液晶盒的挤压位置;复原时间测量步骤,在经受挤压步骤和照射步骤的同时,基于在挤压位置处穿过液晶盒的光的泄漏来测量使挤压位置处的液晶复原所用的时间;以及检查步骤,将在复原时间测量步骤中测量的复原时间与预设参考复原时间进行比较。检查步骤可以包括:如果在复原时间测量步骤中测量的复原时间在预设参考复原时间的误差范围内,则确定液晶在正常注射情况下,而如果在复原时间测量步骤中测量的复原时间在预设参考复原时间的误差范围之外,则确定液晶在不良注射情况下。在复原时间测量步骤中测量的复原时间可以基于当光泄漏通过挤压步骤在挤压位置处出现的第一时间与当光泄漏在挤压位置处消失的第二时间之间的差来计算。上述方法还可以包括:光泄漏测量步骤,在经受挤压步骤和照射步骤的同时,测量在挤压位置处穿过液晶盒的光的泄漏。上述方法还可以包括改变液晶盒上的挤压位置的位置调整步骤。根据本专利技术的实施方式,提供了一种用于检查注射在液晶盒的上基板与下基板之间的液晶的注射情况的装置,该装置包括:挤压单元,用于以预设压力在挤压位置处挤压液晶盒;照射单元,用于通过光照射整个液晶盒或液晶盒的挤压位置;光泄漏测量单元,用于根据挤压单元和照射单元的操作来测量在挤压位置处穿过液晶盒的光的泄漏;以及检查单元,用于将在光泄漏测量单元中测量的光泄漏与预设参考变化进行比较。如果在光泄漏测量单元中测量的光泄漏在预设参考变化的误差范围内,则检查单元可以确定液晶在正常注射情况下,而如果在光泄漏测量单元中测量的光泄漏在预设参考变化的误差范围之外,则检查单元可以确定液晶在不良注射情况下。在光泄漏测量单元中测量的光泄漏可以包括挤压位置处的光的亮度、挤压位置处的光泄漏的面积以及挤压位置处的光泄漏的直径中的至少一种状态。根据本专利技术的实施方式,提供了一种用于检查注射在液晶盒的上基板与下基板之间的液晶的注射情况的装置,该装置包括:挤压单元,用于以预设压力在挤压位置处挤压液晶盒;照射单元,用于通过光照射整个液晶盒或液晶盒的挤压位置;复原时间测量单元,用于根据挤压单元和照射单元的操作基于在挤压位置处穿过液晶盒的光的泄漏来测量使在挤压位置处的液晶复原所用的时间;以及检查单元,用于将在复原时间测量单元中测量的复原时间与预设参考复原时间进行比较。如果在复原时间测量单元中测量的复原时间在预设参考复原时间的误差范围内,则检查单元可以确定液晶在正常注射情况下,而如果在复原时间测量单元中测量的复原时间在预设参考复原时间的误差范围之外,则检查单元可以确定液晶在不良注射情况下。在复原时间测量步骤中测量的复原时间可以基于当光泄漏通过挤压步骤在挤压位置处出现的第一时间与当光泄漏在挤压位置处消失的第二时间之间的差来计算。上述装置还可以包括:光泄漏测量单元,用于根据挤压单元和照射单元来测量在挤压位置处穿过液晶盒的光的泄漏。上述装置还可以包括:测量控制器,用于改变液晶盒上的挤压位置。附图说明结合附图,本专利技术的以上和/或其他方面将从对下面示例性实施方式的描述中变得明显和更容易理解,在附图中:图1(A)至图1(C)是示出根据本专利技术的实施方式的液晶被注射到液晶盒中的视图;图2(A)至图2(C)是示出在用于检查液晶的注射情况的方法和装置中在挤压位置处的液晶盒的光泄漏变化的视图;图3示出根据本专利技术的实施方式的用于检查液晶的注射情况的装置;图4示出根据本专利技术的实施方式的用于检查液晶的注射情况的装置的替选示例;图5示出根据本专利技术的实施方式的检查液晶的注射情况的方法;图6示出根据本专利技术的另一实施方式的在用于检查液晶的注射情况的方法和装置中使挤压位置处的液晶复原所用的时间;图7示出根据本专利技术的另一实施方式的用于检查液晶的注射情况的装置;图8示出根据本专利技术的另一实施方式的用于检查液晶的注射情况的装置的替选示例;以及图9示出根据本专利技术的另一实施方式的检查液晶的注射情况的方法。具体实施方式下文中,将参照附图详细描述根据本专利技术的用于检查液晶的注射情况的方法和装置的实施方式。本专利技术不受以下实施方式的限制或约束。此外,可以省略对公知功能或元件的详细描述以使本专利技术清楚。图1是示出根据本专利技术的实施方式的液晶被注射在液晶盒中的视图,图2是示出在用于检查液晶的注射情况的方法和装置中液晶盒在挤压位置处的光泄漏变化的视图。参照图1和图2,通过将液晶LC注射在通过多个主间隔体MC而间隔开预定距离的上基板GT与下基板GB之间来完成根据本专利技术的实施方式的液晶盒SG。此时,在主间隔体MC之间布置有子间隔体SC,从而本文档来自技高网...
用于检查液晶的注射情况的方法和装置

【技术保护点】
一种检查注射在液晶盒的上基板与下基板之间的液晶的注射情况的方法,所述方法包括:挤压步骤,以预设压力在挤压位置处挤压所述液晶盒;照射步骤,通过光照射整个所述液晶盒或所述液晶盒的挤压位置;光泄漏测量步骤,在经受所述挤压步骤和所述照射步骤的同时,测量在所述挤压位置处穿过所述液晶盒的光的泄漏;以及检查步骤,将在所述光泄漏测量步骤中测量的光泄漏与预设参考变化进行比较。

【技术特征摘要】
2015.09.22 KR 10-2015-01341361.一种检查注射在液晶盒的上基板与下基板之间的液晶的注射情况的方法,所述方法包括:挤压步骤,以预设压力在挤压位置处挤压所述液晶盒;照射步骤,通过光照射整个所述液晶盒或所述液晶盒的挤压位置;光泄漏测量步骤,在经受所述挤压步骤和所述照射步骤的同时,测量在所述挤压位置处穿过所述液晶盒的光的泄漏;以及检查步骤,将在所述光泄漏测量步骤中测量的光泄漏与预设参考变化进行比较。2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述检查步骤包括:如果在所述光泄漏测量步骤中测量的光泄漏在所述预设参考变化的误差范围内,则确定所述液晶在正常注射情况下,以及如果在所述光泄漏测量步骤中测量的光泄漏在所述预设参考变化的误差范围之外,则确定所述液晶在不良注射情况下。3.根据权利要求1所述的方法,其中,在所述光泄漏测量步骤中测量的光泄漏包括所述挤压位置处的光的亮度、所述挤压位置处的光泄漏的面积以及所述挤压位置处的光泄漏的直径中的至少一种状态。4.一种检查注射在液晶盒的上基板与下基板之间的液晶的注射情况的方法,所述方法包括:挤压步骤,以预设压力在挤压位置处挤压所述液晶盒;照射步骤,通过光照射整个所述液晶盒或所述液晶盒的挤压位置;复原时间测量步骤,在经受所述挤压步骤和所述照射步骤的同时,基于在所述挤压位置处穿过所述液晶盒的光的泄漏来测量使所述挤压位置处的液晶复原所用的时间;以及检查步骤,将在所述复原时间测量步骤中测量的复原时间与预设参考复原时间进行比较。5.根据权利要求4所述的方法,其中,所述检查步骤包括:如果在所述复原时间测量步骤中测量的复原时间在所述预设参考复原时间的误差范围内,则确定所述液晶在正常注射情况下,以及如果在所述复原时间测量步骤中测量的复原时间在所述预设参考复原时间的误差范围之外,则确定所述液晶在不良注射情况下。6.根据权利要求4所述的方法,其中,在所述复原时间测量步骤中测量的复原时间是基于所述光泄漏通过所述挤压步骤在所述挤压位置处出现的第一时间与所述光泄漏在所述挤压位置处消失的第二时间之间的差来计算的。7.根据权利要求4所述的方法,其中,在所述复原时间测量步骤中测量的复原时间是基于所述光泄漏通过所述挤压步骤在所述挤压位置处出现的第一时间与所述光泄漏在所述挤压位置处消失的第二时间之间的差来计算的。8.根据权利要求1至7中任一项所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员:黄映珉金宰湖金兑昱李锺勋
申请(专利权)人:SNU精密股份有限公司
类型:发明
国别省市:韩国,KR

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