【技术实现步骤摘要】
一种离子源测试夹具
本专利技术属于强场离子源测试
,具体涉及一种离子源测试夹具。
技术介绍
强场离子源是利用发射体尖端附近的强电场实现离子发射的一种离子源,它与传统的气体放电工作方式离子源相比,具有结构简单、能量利用率高、可控性强、常温工作、长寿命和高输出等优点。在强场离子源的离子发射测试领域,离子源工作电压的施加及金属发射体尖端强电场的实现是保证测试工作正常进行的条件。在国内外研究工作中,强场离子源的离子发射测试侧重于集成栅极的Spindt阵列型强场离子源,对于金属单尖型强场离子源的离子发射测试装置未见相关报导。在金属单尖型强场离子源测试工作研究中发现,由于涉及到金属栅极的合理引入、毫米量级尺度的对准、栅极电子发射的抑制及尖端高电场强度的实现,对测试夹具的合理设计提出了更高的要求。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种离子源测试夹具。本专利技术的离子源测试夹具,其特点是,所述的测试夹具包括金属底座,金属单尖样品、绝缘层压块,绝缘遮蔽层,栅极金属片,螺柱,金属单尖样品的剖面为T型,T型的底部为固定端,T型的顶部为尖端,金属单尖样品的固定端固定在金属底座的卡槽内,金属单尖样品的尖端竖直朝上,金属单尖样品的尖端从下至上顺序穿过绝缘层压块、绝缘遮蔽层和栅极金属片,金属单尖样品的尖端与栅极金属片的上表面平齐,所述的栅极金属片上开有圆孔Ⅰ,金属单尖样品的尖端位于圆孔Ⅰ的中心;绝缘层压块、绝缘遮蔽层和栅极金属片通过螺钉固定在金属底座上。所述的绝缘遮蔽层的外沿超过绝缘层压块的外沿,形成绝缘遮蔽层的边缘,在绝缘遮蔽层的边缘通过绝缘遮蔽层上的贯穿孔穿过螺柱 ...
【技术保护点】
一种离子源测试夹具,其特征在于:所述的测试夹具包括金属底座(1),金属单尖样品(2)、绝缘层压块(3),绝缘遮蔽层(4),栅极金属片(5),螺柱(6),金属单尖样品(2)的剖面为T型,T型的底部为固定端,T型的顶部为尖端,金属单尖样品(2)的固定端固定在金属底座(1)的卡槽内,金属单尖样品(2)的尖端竖直朝上,金属单尖样品(2)的尖端从下至上顺序穿过绝缘层压块(3)、绝缘遮蔽层(4)和栅极金属片(5),金属单尖样品(2)的尖端与栅极金属片(5)的上表面平齐,所述的栅极金属片(5)上开有圆孔Ⅰ,金属单尖样品(2)的尖端位于圆孔Ⅰ的中心;绝缘层压块(3)、绝缘遮蔽层(4)通过螺钉固定在金属底座(1)上。
【技术特征摘要】
1.一种离子源测试夹具,其特征在于:所述的测试夹具包括金属底座(1),金属单尖样品(2)、绝缘层压块(3),绝缘遮蔽层(4),栅极金属片(5),螺柱(6),金属单尖样品(2)的剖面为T型,T型的底部为固定端,T型的顶部为尖端,金属单尖样品(2)的固定端固定在金属底座(1)的卡槽内,金属单尖样品(2)的尖端竖直朝上,金属单尖样品(2)的尖端从下至上顺序穿过绝缘层压块(3)、绝缘遮蔽层(4)和栅极金属片(5),金属单尖样品(2)的尖端与栅极金属片(5)的上表面平齐,所述的栅极金属片(5)上开有圆孔Ⅰ,金属单尖样品(2)的尖端位于圆孔Ⅰ的中心;绝缘层压块(3)、绝缘遮蔽层(4)通过螺钉固定在金属底座(1)上。2.根据权利要求1所述的离子源测试夹具,其特征在于:所述的绝缘遮蔽层(4)的外沿超过绝缘层压块(3)的外沿,形成绝缘遮蔽层(4)的边缘,在绝缘遮蔽层(4)的边缘通过绝缘遮蔽层(...
【专利技术属性】
技术研发人员:严飞,陈磊,金大志,张国亮,钟伟,颜胜美,
申请(专利权)人:中国工程物理研究院电子工程研究所,
类型:发明
国别省市:四川,51
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