温度监测电路制造技术

本发明专利技术公开了一种温度监测电路，包括偏置电压输入端、与所述偏置电压输入端相连的带隙基准子电路、与所述带隙基准子电路相连的监测判断子电路、基准电压输出端及监测电压输出端，所述偏置电压输入端输入偏置电压至所述带隙基准子电路，所述带隙基准子电路产生与温度无关的基准电压至所述基准电压输出端，所述监测判断子电路产生监测电压至所述监测电压输出端，并通过比较所述基准电压输出端及所述监测电压输出端的电压大小判断当前监测温度点高于或低于预先设置的温度点。本发明专利技术电路结构简单且温度监测范围精确。

【技术实现步骤摘要】
温度监测电路
本专利技术涉及集成电路领域，特别是涉及一种温度监测电路。
技术介绍
在集成电路设计中，有很多应用都需要用到能够对温度进行监测的功能模块，以更好的保护集成电路设计中的芯片的正常工作，避免温度过高或者过低，例如，温度过高时，会使得芯片被烧；温度过低时，电池芯片无法工作。对温度进行监测同时需要做到尽量减小工艺偏差对其监测值带来的偏差，使得监测范围更加精确。现有的温度监测电路往往结构复杂，且监测范围不够精确，因此有必要提供一种电路结构简单且温度监测范围精确的温度监测电路。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术的不足，提供一种电路结构简单且温度监测范围精确的温度监测电路。本专利技术的目的是通过以下技术方案来实现的：一种温度监测电路，包括偏置电压输入端、与所述偏置电压输入端相连的带隙基准子电路、与所述带隙基准子电路相连的监测判断子电路、基准电压输出端及监测电压输出端，所述偏置电压输入端输入偏置电压至所述带隙基准子电路，所述带隙基准子电路产生与温度无关的基准电压至所述基准电压输出端，所述监测判断子电路产生监测电压至所述监测电压输出端，并通过比较所述基准电压输出端及所述监测电压输出端的电压大小判断当前监测温度点高于或低于预先设置的温度点。所述带隙基准子电路包括第一场效应管、与所述第一场效应管相连的第二场效应管、与所述第一场效应管和所述第二场效应管相连的第三场效应管、与所述偏置电压输入端相连的第四场效应管、与所述第四场效应管相连的第五场效应管、与所述第五场效应管相连的第六场效应管、与所述第四场效应管和所述第五场效应管相连的放大器、与所述放大器相连的第一电阻、与所述第一电阻相连的第一组三极管、与所述放大器相连的第二三极管、与所述第六场效应管相连的第二电阻及与所述第二电阻相连的第三三极管；所述监测判断子电路包括第七场效应管、与所述第七场效应管相连的第八场效应管及与所述第八场效应管相连的第三电阻，所述第一组三极管包括N个并联连接的三极管，其中，N>1。所述第一场效应管的栅极、所述第二场效应管的栅极、所述第三场效应管的栅极及所述第七场效应管的栅极共同连接所述放大器的输出端，所述第一场效应管的漏极与所述第四场效应管的源极相连。所述第二场效应管的漏极与所述第五场效应管的源极相连；所述第三场效应管的漏极与所述第六场效应管的源极相连；所述第四场效应管的栅极、所述第五场效应管的栅极、所述第六场效应管的栅极及所述第八场效应管的栅极共同连接所述偏置电压输入端，所述第四场效应管的漏极与所述放大器的正向输入端及所述第一电阻的一端相连。所述第五场效应管的漏极与所述放大器的反向输入端及所述第二三极管的发射极相连；所述第六场效应管的漏极与所述第二电阻的一端共同连接所述基准电压输出端；所述第七场效应管的漏极与所述第八场效应管的源极相连。所述第八场效应管的漏极与所述第三电阻的一端共同连接所述监测电压输出端；所述第一电阻的另一端与所述第一组三极管中的每一个三极管的发射极相连；所述第二电阻的另一端与所述第三三极管的发射极相连。所述第一场效应管的源极、所述第二场效应管的源极、所述第三场效应管的源极及所述第七场效应管的源极共同连接电源端；所述第一组三极管中的每一个三极管的基极和集电极、所述第二三极管的基极和集电极、所述第三三极管的基极和集电极及所述第三电阻的另一端共同接地。所述第一场效应管、所述第二场效应管、所述第三场效应管、所述第四场效应管、所述第五场效应管、所述第六场效应管、所述第七场效应管及所述第八场效应管均为P型场效应管。本专利技术的有益效果是：电路结构简单且温度监测范围精确。附图说明图1为本专利技术温度监测电路的电路图；图2为本专利技术温度监测电路的波形示意图。具体实施方式下面结合附图进一步详细描述本专利技术的技术方案，但本专利技术的保护范围不局限于以下所述。如图1所示，图1为本专利技术温度监测电路的电路图，其包括偏置电压输入端VBIAS、与偏置电压输入端VBIAS相连的带隙基准子电路、与带隙基准子电路相连的监测判断子电路、基准电压输出端VREF及监测电压输出端VTEST，偏置电压输入端VBIAS输入偏置电压至带隙基准子电路，带隙基准子电路产生与温度无关的基准电压至基准电压输出端VREF，监测判断子电路产生监测电压至监测电压输出端VTEST，并通过比较基准电压输出端VREF及监测电压输出端VTEST的电压大小判断当前监测温度点高于或低于预先设置的温度点。其中，带隙基准子电路包括第一场效应管M1、与第一场效应管M1相连的第二场效应管M2、与第一场效应管M1和第二场效应管M2相连的第三场效应管M3、与偏置电压输入端VBIAS相连的第四场效应管M4、与第四场效应管M4相连的第五场效应管M5、与第五场效应管M5相连的第六场效应管M6、与第四场效应管M4和第五场效应管M5相连的放大器AMP、与放大器AMP相连的第一电阻R1、与第一电阻R1相连的第一组三极管Q1、与放大器AMP相连的第二三极管Q2、与第六场效应管M6相连的第二电阻R2及与第二电阻R2相连的第三三极管Q3；监测判断子电路包括第七场效应管M7、与第七场效应管M7相连的第八场效应管M8及与第八场效应管M8相连的第三电阻R3。其中，第一组三极管Q1包括N个并联连接的三极管，N>1。本专利技术温度监测电路的电路具体连接方式如下：第一场效应管M1的栅极、第二场效应管M2的栅极、第三场效应管M3的栅极及第七场效应管M7的栅极共同连接放大器AMP的输出端，第一场效应管M1的漏极与第四场效应管M4的源极相连；第二场效应管M2的漏极与第五场效应管M5的源极相连；第三场效应管M3的漏极与第六场效应管M6的源极相连；第四场效应管M4的栅极、第五场效应管M5的栅极、第六场效应管M6的栅极及第八场效应管M8的栅极共同连接偏置电压输入端VBIAS，第四场效应管M4的漏极与放大器AMP的正向输入端及第一电阻R1的一端相连；第五场效应管M5的漏极与放大器AMP的反向输入端及第二三极管Q2的发射极相连；第六场效应管M6的漏极与第二电阻R2的一端共同连接基准电压输出端VREF；第七场效应管M7的漏极与第八场效应管M8的源极相连；第八场效应管M8的漏极与第三电阻R3的一端共同连接监测电压输出端VTEST；第一电阻R1的另一端与第一组三极管Q1中的每一个三极管的发射极相连；第二电阻R2的另一端与第三三极管Q3的发射极相连；第一场效应管M1的源极、第二场效应管M2的源极、第三场效应管M3的源极及第七场效应管M7的源极共同连接电源端VDD；第一组三极管Q1中的每一个三极管的基极和集电极、第二三极管Q2的基极和集电极、第三三极管Q3的基极和集电极及第三电阻R3的另一端共同接地。在本实施例中，第一场效应管M1、第二场效应管M2、第三场效应管M3、第四场效应管M4、第五场效应管M5、第六场效应管M6、第七场效应管M7及第八场效应管M8均为P型场效应管；在其他实施例中，上述场效应管可以为其他结构可以实现相同功能的元器件，并不限于此。本专利技术温度监测电路的工作原理如下所述：偏置电压输入端VBIAS输入偏置电压至带隙基准子电路，带隙基准子电路输出参考电压至基准电压输出端VREF，参考电压的大小与工艺角和温度无关，其大小为其中，VTEST代表参考电压的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种温度监测电路，其特征在于：所述温度监测电路包括偏置电压输入端、与所述偏置电压输入端相连的带隙基准子电路、与所述带隙基准子电路相连的监测判断子电路、基准电压输出端及监测电压输出端，所述偏置电压输入端输入偏置电压至所述带隙基准子电路，所述带隙基准子电路产生与温度无关的基准电压至所述基准电压输出端，所述监测判断子电路产生监测电压至所述监测电压输出端，并通过比较所述基准电压输出端及所述监测电压输出端的电压大小判断当前监测温度点高于或低于预先设置的温度点。

【技术特征摘要】
1.一种温度监测电路，其特征在于：所述温度监测电路包括偏置电压输入端、与所述偏置电压输入端相连的带隙基准子电路、与所述带隙基准子电路相连的监测判断子电路、基准电压输出端及监测电压输出端，所述偏置电压输入端输入偏置电压至所述带隙基准子电路，所述带隙基准子电路产生与温度无关的基准电压至所述基准电压输出端，所述监测判断子电路产生监测电压至所述监测电压输出端，并通过比较所述基准电压输出端及所述监测电压输出端的电压大小判断当前监测温度点高于或低于预先设置的温度点。2.根据权利要求1所述的温度监测电路，其特征在于：所述带隙基准子电路包括第一场效应管、与所述第一场效应管相连的第二场效应管、与所述第一场效应管和所述第二场效应管相连的第三场效应管、与所述偏置电压输入端相连的第四场效应管、与所述第四场效应管相连的第五场效应管、与所述第五场效应管相连的第六场效应管、与所述第四场效应管和所述第五场效应管相连的放大器、与所述放大器相连的第一电阻、与所述第一电阻相连的第一组三极管、与所述放大器相连的第二三极管、与所述第六场效应管相连的第二电阻及与所述第二电阻相连的第三三极管；所述监测判断子电路包括第七场效应管、与所述第七场效应管相连的第八场效应管及与所述第八场效应管相连的第三电阻，所述第一组三极管包括N个并联连接的三极管，其中，N>1。3.根据权利要求2所述的温度监测电路，其特征在于：所述第一场效应管的栅极、所述第二场效应管的栅极、所述第三场效应管的栅极及所述第七场效应管的栅极共同连接所述放大器的输出端，所述第一场效应管的漏极与所述第四场效应管的源...

【专利技术属性】
技术研发人员：葛亮宏，
申请(专利权)人：成都锐成芯微科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：四川,51